MOSFET管开关电路基本知识总结

DSSDSSDSGSDSSDSSDSGS一直以来模拟电路就学的不好不容把三极管解完就一直没敢碰了没想还是不过句话不就技术不能入你会都很单.(管的识是用半导体表的电场效应行工作也称为表面场效器件•分为沟道和沟道两类其中每一类又可分为增强型和耗两种所耗尽型就是当时在导电沟,D0谓增强是0时道，即D0.a

DG

—gL

JPMOS-2合一•』以是沟道和沟道的符号图，其相基本数开启电压,栅源之间所的电压，th⑵饱漏电流,指的是在=0情况下当|时的漏极th电流称为饱和漏流I最大漏源压最大栅源压入日負七入日負七,V流输通常管的极与互换些产厂与起，能对意以一些主参数为进行介绍：AbsoluteIV!KimumT=25unfeso(heniws«notedSymbolParameterUnitsVass

VVI

QSSD

-Continuous

+8

VA

-w与漏电压为能是接正极,D极，极之电压为反.为1.3A,由向，为

ZeroGateVoltageDrainCurant

V=-1GVV^=0V

-1

Tj=55C

待曰齐\/cFH*\/.-dp\/这疋表在0时

时饱漏流，GateVoltage

V,

I-250AD

-0.4

-0.9

15

V仏

GaleVottjgeTemp.CoefficienlDrain-Sounre

luA_Referencedto25=-1.3A

C右

3018

rriV/tV„=-2.5V.

A

016

为指出其通电阻.()MOSFET管的的MOSFET电压的为是用这，以用可以省系统功耗吧在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题，比一个电源经过管子后可能变了这候要考不能，我曾题就负就是5V了，经过子后发现系工作不起来后来才想起来管上占了一部分压了类似的问题还有在使用二极管的时候（其是做电压接保护时）也要注管子的压降题开关路原.BJT

三极管Transistors

只发射极对电源短路就电子关用N

管

E

对电源负极短路

.

（搭铁）低边开关；b-e正向电饱和导P

管发射极E电源正极短路

.

高开关;b-e反向电流饱和导通.FET

场效应管只要源极

S

对电源短路就是电子开关用法N

管源极S对电源负极短路.（铁）低边开关向电压导P

源S对电源正极短路

.

高开关导通总:低边开用NPN管高边开用PNP管三管必须大于C-E饱和通的电流场效应管论上源有大于漏源导通条的电压就0K假原来用NPN三极管作氧传感器加热电源控制低边开关则直接用

场应管代换；或情况修改拉或上拉电基极--栅极集电极-漏极发射极-源极上面是在一个论坛摘抄的语言通俗很实用，S

：94,^0里摘抄的一个开关电路图PMOSFET构的电源自切换开关在需要电池供电的携式设备，有的电池充电是系统充电即充电电池不用拔下来。另为了节省耗，需要在插入墙适配器电时，系统自换为适配器供电，断开池与负载连接；如果拔掉适器电源，统自动为电池供电。本电路用一个成这种自切换开关图中的表示电池电压，VIN_AC表示适配器电压当插入适器电源时，VIN_AC压于电池电压（否则适器源就不对池充电，Vgs>0,MOSFET截止，统由适配供电。拔去适配器源，则栅极电压为,而封装在一体的施特基二极管使极电压近似为电池电压，导致Vgs小于，MOSFET通，从而系由电池电。1073V