芯片发展历程与莫尔定律演示文稿

芯片发展历程与莫尔定律演示文稿当前1页，总共25页。（优选）芯片发展历程与莫尔定律.当前2页，总共25页。第1个晶体管的诞生1947.12.23点接触式晶体管

ByBardeen&Brattain第一篇关于晶体管的文章BrWebster’s“Thetransistor,asemiconductortriode”

（晶体管，一个半导体三级管）“Transistor=transfer+resistor,

（晶体管＝传输+电阻）Transferringelectricalsignalacrossaresistor”（经过一个电阻传输点信号）当前3页，总共25页。场效应晶体管理论通过表面电荷调制半导体薄膜的电导

率(Phys.Rev.74,232,1948)1956Nobel物理奖：Bardeen,BrattainandShockley场效应晶体管理论的建立当前4页，总共25页。1950-1956:基本晶体管制造技术发展---从基于锗的器件转为硅衬底---从合金化制造p/n结转变为扩散制备pn结1950扩散结(Hall,Dunlap;GE)1952结型场效应晶体管(Shockley;BellLab)1954第一个硅晶体管(TI：德州仪器）)1955扩散结和晶体管结合(BellLab)晶体管制造工艺的摸索当前5页，总共25页。第1个集成电路的发明第1个IC锗衬底，台式结构、2个晶体管、2个电容、8个电阻，黑蜡保护刻蚀，打线结合4千2百万个晶体管、尺寸：224mm2IntelP4J.Kilby集成电路之父2000Nobel物理奖发明了第1个IC“SolidCircuit”距离晶体管发明已经过去11年，why？当前6页，总共25页。第一个Si单片电路IC-“微芯片”byR.Noyce(Fairchild,IC技术创始人之一)第1个在Si单片上实现的集成电路当前7页，总共25页。1958-1960基本IC工艺和器件进一步---氧化工艺(Atalla;bellLab)---PN结隔离(K.Levovec)---Al金属膜的蒸发制备---平面工艺技术(J.Hoerni;Fairchild)

1959-63MOS器件与工艺---1959MOS电容(J.Moll;Stanford)---1960-63Si表面和MOS器件研究(Sah,Deal,Grove…)---1962PMOS(Fairchild);NMOSFET(美国无线电公司)---1963CMOS(Wanlass,Sah;Fairchild)IC制造工艺的进步当前8页，总共25页。FromSSItoVLSI/ULSI小规模集成电路(SSI)2-30中规模集成电路(MSI)30-103大规模集成电路(LSI)103-5超大规模集成电路(VLSI:VeryLarge)105-7甚大规模ULSI(UltraLarge)107-9极大规模SLSI(SuperLarge)>109巨大规模(GSI:Gigantic/Giga)晶体管数目IC芯片中晶体管（脑细胞）数目当前9页，总共25页。制造技术Si和其他材料的开发器件物理电路和系统---IC快速发展强烈依赖材料与技术研发性能(速度、能力可靠性)功能从简单逻辑门到复杂系统产量、价格、应用当前10页，总共25页。集成度提高---新工艺技术1958-1967SSI*平面工艺1968-1977LSI*离子注入掺杂 *多晶硅栅极 *局部硅氧化的器件隔离技术 *单晶管DRAMbyR.Denard(1968patent) *微处理器(1971,Intel)IC快速发展强烈依赖材料与技术研发当前11页，总共25页。1978-1987VLSI *精细光刻技术(电子束制备掩膜版) *等离子体和反应离子刻蚀技术 *磁控溅射制备薄膜1988-1997ULSI*亚微米和深亚微米技术*深紫外光刻和图形技术集成度提高---新工艺技术IC快速发展强烈依赖材料与技术研发当前12页，总共25页。1998-2007SoC/SLSI,纳米尺度CMOS *Cu和Low-k互连技术 *High-k栅氧化物 *绝缘体上SOI,etc2008-集成度提高---新工艺技术IC快速发展强烈依赖材料与技术研发当前13页，总共25页。新制造方法300mmequipmentProcessingchemistriesAlliancesAdvancedProcessControlIntegratedmetrology新材料CopperInterconnectsSilicon-On-Insulator(SOI)Low-kSiliconGermanium(SiGe)StrainedSilicon

新封装形式FlipChipWaferScalePackaging3DPackagingSysteminapackage器件、电路新原理System-on-Chip(SOC)MagnetoresistiveRAMDouble-gateTransistorsCarbonNanotubeTransistorsBiologicalandMolecularSelf-assemblySource:FSIInternational,Inc.IC快速发展源泉——材料与技术研发当前14页，总共25页。Moore'sLawGordonMoore,“CrammingMoreComponentsOntoIntegratedCircuits”,Electronics,Vol.38,No.8,April19,1965.莫尔定律Intel创始人GordonMoore1965年提出集成电路的集成度，每18-24个月提高一倍1960以来，Moore定律一直有效芯片上晶体管（脑细胞）尺寸随时间不断缩小的规律当前15页，总共25页。Moore’sobservationaboutsiliconintegration(cost,yield,andreliability)hasfueledtheworldwidetechnologyrevolution:ICminiaturizationdowntonanoscaleandSoCbasedsystemintegration.莫尔定律——原始依据当前16页，总共25页。莫尔定律的有效性——延续至今当前17页，总共25页。莫尔定律的有效性——延续至今当前18页，总共25页。莫尔定律——特征尺寸特征尺寸是指器件中最小线条宽度,为技术水平的标志对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度，是一条工艺线中能加工的最小尺寸也是设计采用的最小设计尺寸单位（设计规则）缩小特征尺寸从而提高集成度是提高产品性能/价格比最有效手段之一集成度提高一倍，特征尺寸*0.7当前19页，总共25页。集成电路的特征参数从1959年以来缩小了140倍平均晶体管价格降低了107倍。特征尺寸：10微米-1.0微米-0.8µ（亚微米）→半微米0.5µ→深亚微米0.35µ,0.25µ,0.18µ,0.13µ→纳米

90nm→65nm→45nm

32nm/2009→28nm/2011→22nm/2012ICIndustry:“Makeitbiginamake-it-smallbusiness”!IC工业就是一个在做小中做大的生意莫尔定律——特征尺寸当前20页，总共25页。MOS尺寸缩小莫尔定律——特征尺寸当前21页，总共25页。全球最大代工厂商台积电是唯一一家具体公布20nm工艺量产时间的企业——预定2012年下半年量产台积电（TSMC）于2010夏季动工建设的新工厂打算支持直至7nm工艺的量产英特尔——微细化竞争中固守头把交椅。从英特尔的发展蓝图来看，预计该公司将从2011年下半年开始22nm工艺的量产。美国Achronix半导体（AchronixSemiconductor）于当地时间2010年11月1日宣布，将采用英特尔的22nm级工艺制造该公司的新型FPGA“Speedster22i”CMOS技术的观点而言，22～20nm工艺对各公司来说均是32～28nm工艺的延伸技术，也就是说很可能会通过使用高介电率（high-k）栅极绝缘膜/金属栅极的平面（Plane）CMOS来实现。那么，15nm工艺以后的CMOS技术又将如何发展？莫尔定律——今后适用性？当前22页，总共25页。SOC与IC的设计原理是不同的，它是微电子设计领域的一场革命。SOC是从整个系统的角度出发，把处理机制、模型算法、软件（特别是芯片上的操作系统-嵌入式的操作系统）、芯片结构、各层次电路直至器件的设计紧密结合起来，在单个芯片上完成整个系统的功能。它的设计必须从系统行为级开始自顶向下（Top-Down）。集成电路走向系统芯片芯片制造技术的发展趋势当前23页，总共25页。SOC集成电路走向系统芯片SOC—