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ReviewforOct.

序化、K状态)2012Fall

j

b2

nzeb2P

nz2e2b2

VVPakTexpVh kTjnz2e2b2Ea

V

naz2e2b2Eexp

GDC

kT

E

expGDC

2012Fall

对

expGDC

ln )naz2e2b2

ln

loglogATlogAT

2012Fall

根据热力学第二定律GdcHdcT ln

lnln

exp(Sdc)

ln1T

2012Fall

i

BiT

Aexp(BiTiTi2012FallJ2EJ2E

Dq

Dqn

2012Fallnn0exp(qV/kTnqn Dq(qn)VDq(qn)V

2012Fall

Dq2n/nq 电导率高σ与D正比，说明扩

BBq D

2012Fall 2012Fall

2012Fall

2012Fall

2012Fall

2012Fallx&阴离子Xx2012Falli&i2012Fall将CaO引入ZrO2 CaOV & 2012Fall(FIC)(SIC)2012Fall

2012Fall

1170℃

2012Fall CaOV

2012FallIr2(rs=101pm)，加入0.13～0.68mol，可得完全稳定的立方相；0.007～0.08mol，部分稳2012FallEERTln(p1

2012Fall2012Fall

2012Fall

半导体称为非本征(杂质)半导体。2012Fall

Si特点： 禁带宽度1.1eV。

2012Fall

2012FalldE区间的量子态数；2012Fall2Ehk

EEe2m(k2k2k2xyzeEhEh k222xyzh

2012FallZZ(E)Ce(EEg12C C ZZ(E)Ch(E)12

2012Fall(E)dEdNeZdNeZ(E)f(E)dENeNeZ(E)f(E)dEbt

2012Fall EEkTf(E)exp(EEF)/kTf(E)EEf(E)Z(E)E 2012Fall

NeZ(E)f(E)dE设xEEg

ee(EEg)2exp(EEF)/kT1NNC(kT)2exp E)/kT3eegF0x2exdx12012Fall

eex012dx2 2(2mkT/h2 2012

E轴负方向呈指数衰减，则积分下限- NhNhNvexp(EF/kT 2(2mkT/h2)3

2012FallNeEF2

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