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陈为 IEC/TC51WG9（磁性元件）中国对口专家组召集人高高 压速温 化化 芯片字化噪 声 源 电磁干 制程工IFrameIFrameForm尺 材 Strain FeKoolMu(铁硅铝合金)Fe-Si(铁硅合金)narnarPermalloy(玻 Amorphous圆电磁 方电磁线铜箔导体扁螺旋立绕线圈多股绞VtNpIprmsNsINpIVspk(1DVpkDID)II 股数n主要局限 rrJtotal=urce+0R J H m xyHH2H(HHsinh[k(dx)]Hsinh(kx)sinh(kd)0I– mH( WithH(xHJ(k j j2fH布 dP2(x,y,z)j(x,y,z)iHH1=0,PfDIBIB里兹线（Litz(RopeLaystrainedwireof(Bunchstrainedwireof0Litz Litz f 频率提高→Litz线广泛应用，且线规选择更加重P I=1I=1I=1I=1I=1I=1I=1I=1I=1布 4.44f(NA)500kfx1uuuBBmax–(dB)2dtBBB1(Bk1BkBmin)Bk1 sin_2BB 1k BSINOr,2 (|v(t)|dt) Powerlossfactor,k,withsameBmandk= J(x)kHcosh[k(dx)]H键 N L 不得转载频率NN偶次MMF(NsaandPCBwindingspec.:Turnratio:4:1Copperwidth:5mmfRackk00120k012k012奇次谐波√210奇次谐波0一般结构（磁场大→漏感大，损耗大）三明治结构（磁场小→漏感小，损耗 xx 增漏路磁并会增绕组损耗，但构复 镍LI/ NINI1给定电路参数：LmLk,2.初定匝数：Np/Ns=+Ae1Ae0le1le0NN5优化PCBR1R0tete中国电源学会授权发布未损短损短测 n2*Lk2 n2*Lk2 抗Rkac第ki(t) R功率变换

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