大学物理II智慧树知到答案章节测试2023年武汉纺织大学

第一章测试如图所示，两个同心均匀带电球面，内球面半径为R1、带电量Q1，外球面半径为R2，带电量Q2，则在外球面外面、距离球心为r处的P点的场强大小E为：（

）

A:

B:

C:

D:

答案:D如图所示，两个同心的均匀带电球面，内球面半径为R1，带电量Q1，外球面半径为R2，带电量Q2。

设无穷远处为电势零点，则在两个球面之间，距离球心为r处的P的点电势为：(

)

A:

B:

C:

D:

答案:A空间某区域静电场的电场线分布如图、所示，现将电量为-q的点电荷由a点经任意路径移到b点，则在下列说法中，正确的是（

）

A:电势Va＜Vb，电场力作负功

B:电势能Wa＜Wb，电场力作正功

C:电势能Wa＜Wb，电场力作负功

D:电场强度Ea＞Eb，电场力作正功

答案:C如图所示，A、B两点与O点分别相距5

cm和20

cm，场源电荷位于O点且Q=10-9C。若选无限远处为电势零点，则B点的电势VB为(

)

A:90

V

B:135

V

C:180

V

D:45

V

答案:D在点电荷+q的电场中，若取图中P点处电势为零点，则M点的电势为(

)

A:

B:

C:

D:

答案:D边长为a的正六边形每个顶点处有一个点电荷，取无限远处作为参考点，则O点电势和场强为(

)

A:电势为零，场强不为零

B:电势不为零，场强不为零

C:电势不为零，场强为零

D:电势为零，场强为零

答案:D两个均匀带电的同心球面，半径分别为R1、R2(R1<R2)，小球带电Q，大球带电-Q，下列各图中哪一个正确表示了电场的分布：

(

)

A:

B:

C:

D:

答案:D真空中静电场的高斯定理告诉我们

A:穿过高斯面的电场强度通量为零，则面上各点的电场强度必为零

B:高斯面上各点的电场强度与面内自然电荷有关，与面外的电荷无关

C:穿过高斯面的电场强度通量，仅与面内自然电荷有关

D:高斯面内不包围自由电荷，则面上各点的电场强度的量值处处为零

答案:C静电场的环路定理表明静电场是：

A:均匀场

B:非均匀场

C:非保守场

D:保守场

答案:D下列几个说法中哪一个是正确的

A:E=1/4πε0•Q/r2er适用于点电荷及非点电荷电场

B:电场中某点场强的方向就是将点电荷放在该点所受电场力的方向

C:E=F/q0适用于点电荷及非点电荷电场

答案:C第二章测试如图所示，一个不带电的空腔导体球壳，内半径为R，在腔内离球心的距离为d处（d＜R），固定一电量为+q的点电荷，用导线把球壳接地后，再把地线撤去。选无穷远处为电势零点，则球心O处的电势为：(

)

A:

B:0

C:

D:

答案:A一导体外充满相对电容率为εr的均匀介质，若测得导体表面附近的电场强度为E，则导体表面上的自由电荷密度为σ为(

)

A:

B:

C:

D:

答案:B一片二氧化钛晶片(εr=173)，其面积为1.0cm2，厚度为0.10mm。把平行平板电容器的两极板紧贴在晶片两侧。则电容器的电容为(ε0=8.85×10-12F·m-1)

A:3.06×10-10F

B:1.53×10-9F

C:1.53×10-10F

D:3.06×10-9F

答案:B静电场与导体的相互作用证明了电场作为物质的存在。

A:对

B:错

答案:A对于带电的孤立导体球

A:导体内的场强与电势大小均为零

B:导体内的场强为零，而电势为恒量

C:导体内的电势比导体表面高

D:导体内的电势与导体表面的电势高低无法确定

答案:B关于有介质时的高斯定理，下列说法中正确的是

A:若高斯面内不包围自由电荷，则穿过高斯面的D通量与E通量均为零

B:穿过高斯面的D通量与面内自由电荷有关，而穿过高斯面的E通量与高斯面内的自由电荷和束缚电荷均有关

C:若高斯面上的D处处为零，则面内自由电荷的代数和必为零

D:高斯面上各点处D由面内自由电荷决定

答案:BC极化电荷可以用接地的方法中和。

A:错

B:对

答案:A一空气平行板电容器，充电后把电源断开，这时电容器中储存的能量为W0。然后在两极板之间充满相对介电常数为εr的各向性均匀电介质，则该电容器中储存的能量W为

A:εrW0

B:(1+εr)W0

C:W0

D:W0/εr

答案:D一空气平行板电容器，其电容值为C0，充电后将电源断开，其储存的电场能量为W0。今在两极板间充满相对介电常数为εr的各向同性均匀电介质，则此时电容值C=__________，储存的电场能量为W=__________。

A:εrC0，W0/εr

B:C0/εr，εrW0

C:εrC0，εrW0

D:C0/εr，W0/εr

答案:A避雷针是利用了尖端放电的原理。

A:错

B:对

答案:B第三章测试通过任意有限曲面（不闭合）的磁通量表达式是（

）

A:

B:

C:

D:

答案:C无限长载流直导线，电流为，则距离其为的该点的磁感应强度B为（

）

A:

B:

C:

D:

答案:B对半径为的无限长载流圆柱体，求圆柱体内距轴线垂直距离为的磁感应强度B为（

）

A:

B:

C:

D:0

答案:B磁感应强度B的单位是

A:法拉第

B:安培

C:韦伯

D:特斯拉

答案:D磁感线与电场线都具有不相交性。

A:对

B:错

答案:A磁场的高斯定理表明磁场是无源场。

A:错

B:对

答案:B利用安培环路定理计算载流导线的磁场分布时，闭合回路的绕行方向一般选取与电流满足右螺旋。

A:对

B:错

答案:A带电粒子在磁场中所受到的力是

A:安培力

B:洛伦兹力

C:库仑力

D:电场力

答案:B在均匀磁场中，带电粒子的速度v与磁感应强度B斜交，带电粒子作

A:匀速直线运动

B:螺旋运动

C:圆周运动

D:静止

答案:B霍耳效应可以用来判断半导体的类型和测量磁场。

A:对

B:错

答案:A第四章测试麦克斯韦方程组是（

）

A:

B:

C:

D:

答案:ABCD如图所示，M、N为水平面内的两根平行金属导轨，ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直导线，外磁场B垂直于水平面且向上，当外力使ab向右平移时，则cd的运动情况为

(

)

A:向右移动解析：利用楞次定律，cd运动趋势是阻碍磁通量的增加。

B:不动

C:转动

D:向左移动

答案:A法拉第电磁感应定律的表达式中，负号表现了感应电动势的方向，是楞次定律的体现。

A:对

B:错

答案:A一长为L的铜棒，处在方向垂直于纸面向外，磁感应强度为B的均匀磁场中，沿逆时针方向绕O轴以角速度w转动。设转轴与B平行，则铜棒中所产生的动生电动势的大小为

A:0

B:BwL2/2

C:BLw2/2

D:BwL2

答案:B激发感生电场的场源是

A:变化的磁场

B:电流

C:运动电荷

D:静止电荷

答案:A影响互感系数的因素有

A:两个线圈之间的相对位置

B:周围磁介质的磁导率

C:两个线圈的形状及大小

D:线圈中的电流大小及方向

答案:ABC对于各项同性的均匀介质，其磁导率为，则磁场的能量密度为

A:B2/2μ

B:BH/2

C:μH2/2

D:μB2/2

答案:ABC位移电流的本质是变化的电场。

A:错

B:对

答案:B感生电场和静电场均对电荷有力的作用，所以感生电场也是有源场。

A:对

B:错

答案:B尺寸相同的铁环与铜环所包围的面积中，通以相同变化率的磁通量，环中

A:感应电动势不同

B:感应电动势相同，感应电流不同

C:感应电动势相同，感应电流相同

D:感应电动势不同，感应电流相同

答案:B第五章测试光学仪器的分辨率与其孔径成正比，与入射波长成反比。

A:对

B:错

答案:A光的偏振性证明了光是一种横波。

A:对

B:错

答案:A如果单缝夫琅和费衍射的第1级暗纹发生在衍射角30°的方向上，所用单色光波长=500nm，则单缝宽为

A:100nm

B:10μm

C:1μm

D:1mm

答案:C波长为600nm的单色平行光，垂直入射到缝宽为a=0.6mm的单缝上，缝后有一焦距f=60cm的透镜，在透镜焦平面上观察到衍射图样，则中央条纹的宽度为

A:0.6×10-3m

B:1.2×10-3m

C:3.6×10-3m

D:2.4×10-3m

答案:B三个偏振片P1、P2与P3堆叠在一起，P1与P3的偏振化方向相互垂直，P2与P1的偏振化方向间的夹角为45°，强度为I0的自然光入射于偏振片P1，并依次透过偏振片P1、P2与P3，则通过三个偏振片后的光强为

A:3I0/8

B:I0/8

C:3I0/32

D:I0/32

答案:B杨氏双缝干涉实验是利用波阵面分割法获得相干光，薄膜干涉则利用振幅分割法获得相干光。

A:错

B:对

答案:B用真空中波长λ=589.3nm的单色光垂直照射折射率为1.50的劈尖薄膜，产生等厚干涉条纹，测得相邻暗条纹间距b=0.15cm，则劈尖角为

A:1.3×10-6rad

B:1.3×10-3rad

C:1.3×10-5rad

D:1.3×10-4rad

答案:D在双缝干涉实验中，两缝间距为0.30mm，用单色光垂直照射双缝，在离缝1.20m的屏上测得中央明纹一侧第5条暗纹与另一侧第5条暗纹间的距离为22.78mm，则所用光的波长为

A:589.1nm

B:550nm

C:673nm