常用的半导体器件【课堂练习】

常用半导体器件课堂练习一、填空题1.P型半导体的多数载流子是，少数载流子的是；N型半导体的多数载流子是，少数载流子是。2.PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN接反偏时，P区接电源的极3.二极管的主要特性是，硅二极管的死区电压约V，锗二极管的死区电压约V。4.硅二极管导通时的正向压降约V，锗二级管导通时的正向压降约V.5.使用二极管时，应考虑的主要参数是、、。6.晶体三极管有两个PN结，即结和结；按基区的不同分为有型和型。7.某晶体三极管的Uce不变，基极电流Ib=30A时，Ic=1.2mA，则发射极电流Ie=mA，如果基极电流Ib增大到50A时，Ic增加到2mA，则发射极电流Ie=mA,三极管的电流放大系数=。8.晶体三极管的输入特性是指。9.硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管发射结的死区电压约V．晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约V,锗管发射结的导通电压约V.10.晶体三极管的输出特性可分为三个区域，即区区和区。11.晶体三极管发射极电流Ie，基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系式，其中Ic/I叫做用表示；ΔIc/ΔIb叫做用表示。12.晶体三级管的三个主要极限参数是、和三极管正常工作时，应满足、和。二、单项选择题1.半导体中传导电流的载流子是（）A电子B空穴C电子和空穴2.P型半导体是（）A纯净半导体B掺杂半导体C带点半导体3.PN结形成以后，它的最大特点是具有（）A导电性B绝缘性C单向导电性4.当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）Ａ.放大状态Ｂ.饱和状态Ｃ.截止状态5.用直流电压表测量ＮＰＮ型晶体三极管中管子各极电位是Ｕｂ＝４.７Ｖ，Ｕｃ＝４.３Ｖ，Ｕｅ＝４Ｖ，则该晶体三极管的工作状态是（）Ａ.截止状态Ｂ.饱和状态Ｃ.放大状态6.晶体三极管各电极对地电位如图１－６所示，工作于饱和状态的三极管是（）7.满足Ｉｃ＝Ｉｂ的关系，晶体三极管工作在（）Ａ.饱和区Ｂ.放大区Ｃ.截止区8.晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）Ａ随基极电流的增加而增加Ｂ随基极电流的增加而减小Ｃ与基极电流变化无关，只取决于Ｕｃｃ和Ｒｃ。9.三极管输出特性曲线中，当Ｉb＝０时，Ｉｃ等于（）Ａ.ＩｃｍＢ.ＩｃｂｏＣ.Ｉｃｅｏ10.有三只晶体三极管，除和Ｉｃｅｏ不同外，其他参数一样，用作放大器件时，应选用（）Ａ.＝５０，Ｉｃｅｏ＝０.５ｍＡＢ.＝１４０，Ｉｃｅｏ＝２.５ｍＡＣ.＝１０，Ｉｃｅｏ＝０.５ｍＡ11.用万用表Ｒ×１ｋ挡测量一只正常的三极管，若用红表棒接触一只管脚，黑表棒分别接触另外两只管脚时测得的电阻均很大则该三极管是（）Ａ.ＰＮＰ型Ｂ.ＮＰＮ型Ｃ.无法确定12.三极管放大作用的实质是（）Ａ.三极管可以把小电流放大成大电流Ｂ.三极管可以把小电流放大成大电压Ｃ.三极管可以用较小的电流控制较大的电流。三、判断题1.只有单晶硅或者锗才能制作半导体器件。（）2.在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。（）3在硅或锗晶体中掺入三价元素形成N型导体。（）4.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（）5.PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。（）6.PN结反向偏置时，反向电流随反向电压增大而增大。（）7.无论是哪种类型的晶体二极管，其正向电压都为0.3V左右。（）8.晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）9.当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（）10.在图1-1中，晶体二极管V若为硅管则能导通，为锗管则不通。（）四、简答题1．试述PN结的特性2．什么是晶体三极管的电流放大系数？和hfe有什么区别？3．晶体三极管的主要功能是什么？放大的实质是什么？晶体三极管为什么具有电流放大作用？4．如何用万用表判别晶体三极管的管脚和极性？如何判别是硅管或锗管常用半导体器件课堂练习参考答案一、填空题1、空穴、自由电子、自由电子、空穴2、正、负、负3、单向导电、0.5、0.24、0.7、0.35、最大整流电流、最高方向工作电压、反向电流6、集电、发射、PNP、NPN7、1.23、2.05、408、在UCE一定的条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压UBE和基极电流IB之间的关系曲线9、0.5、0.2、0.7、0.310、放大、截止、饱和11、IE=IB+IC=(1+β）IB、直流电流放大系数、hFE、三极管的电流放大系数、β12、集电极最大电流ICM、集电极—发射极反向击穿电压U(BR)CEO、集电极最大允许耗散功率PCM二、单项选择题1、C2、B3、C4、A5、C6、C7、b8、C9、C10、A11、B12、C三、判断题1、×2、√3、√4、√5、×6、×7、×8、×9、√10、×四、简答题1、把P型材料和N型材料用特殊的工艺使它们结合在一起，在它们的叫界面处就会形成一个特殊的空间电荷区，这个电荷区就叫“PN结”。它是一个电荷阻挡层，具有变阻、变容等多种特性，但最主要的特性是单向导电性，即当PN结加正向电压时导通，当PN结加反向电压时截至。2、晶体三极管的电流放大系数表示在共发射极电路中三极管集电极电流的变化量与基极电流变化量的比值，它反映三极管的交流电流放大能力，用β表示。hfe表示在共发射极电路中，UCE为规定值且无交流信号输入时，集电极电流和基极电流的比。3、晶体三极管的主要功能是电流放大作用，其放大的实质是用较小的基极电流控制较大的集电极电流。三极管的电流放大原理是：从发射区到基区的电子中，只有很小的一部分与基区的空穴复合而形成基极电流Ib，绝大部分电子能通过基区并被集电区收集而形成集电极电流Ic，因此集电极电流Ic就会比基极电流Ib大的多，这就是晶体三极管的电流放大作用的原理。4、b极和管型的判断：以黑表笔为准，红表笔接另外两极，如果阻值都很小，则黑表笔所接为NPN型b极，；以红表笔为准笔，黑表笔接另外两极，如果阻值都很小，则黑表笔所借为PNP型b极。c极和e极的判断：对于NPN型三极管，用黑表笔接假定的c极，红表笔接假定的e极，然后用手指触及b极和c极，记住表针摆动幅度，然后把黑、红表笔再按反相假定接一次，重复上述过程，其中摆动幅度较