双极型晶体三极管小结含习题

一、BJT工作原理两种类型：NPN管和PNP管放大状态下BJT内部载流子传输过程三种工作状态：放大、饱和、截止

①条件/特点/判断方法

②直流等效模型

③放大状态下的电流关系双极型晶体三极管小结二、BJT静态伏安特性曲线曲线的形状;工作区域的划分，特点直流参数直流电流放大系数和极间反向电流ICBO和ICEO交流参数交流电流放大系数α和频率参数fβ和fT极限参数集电极最大允许电流ICmax集电极最大允许功耗PCmax反向击穿电压

BJT主要参数一般作近似处理：=

=（1）根据管脚电位，判别管脚的极性。

②中间电位对应的管脚是基极B；

③与中间电位相差约一个导通电压VBE(ON)的管脚是发射极E。（2）根据基极B与发射极E的电位差，判断三极管的材料。（3）根据各极电位，判断三极管的类型①三个电极的电位从低到高依次排序；判断三极管的电极、材料和管型的方法三极管的简化直流模型截止模型饱和模型放大模型三、BJT小信号模型1.电压控制电流源（ic=gmvbe）模型。2.电流控制电流源（ic=

ib）模型。两种模型之间的转换关系rbe=

/gm3.BJT完整小信号模型gm模型

模型3.BJT完整小信号模型——混合Π模型基本参数1）基区复合电阻：2）低频跨导：

基调效应参数高频参数1．三极管的工作原理2．三极管的输入和输出特性曲线3．三极管的小信号模型BJT工作状态分析BJT的直流简化模型1.BJT工作状态分析方法2.BJT交流小信号模型双极型晶体三极管重点与难点重点难点发射结正偏截止截止状态放大状态饱和状态临界饱和假定法放大状态假定法难点一：BJT工作状态分析方法假定BJT处于放大状态VBE=VBE(ON)，IC

=IB计算VCE、VCB集电结反偏集电结正偏放大状态饱和状态放大状态假定法临界饱和假定法发射结正偏假定BJT处于临界饱和状态VBE=VBE(ON)，VCES=VBE(ON)计算临界饱和电流ICS和IBSIBS=ICS/

IB<IBSIB>IBS放大状态饱和状态IB=IBS临界饱和状态BJT交流小信号模型需注意的几点BJT交流小信号模型是用于交流分析的，不能用于直流分析。BJT交流小信号模型中的参数是在某个静态工作点测得的，其数值与静态工作点有关。BJT交流小信号模型中的电流源是受控源，其方向不能随意假定。BJT交流小信号模型与管子的型号无关。NPNPNP特点截止区发射结反偏或未达到VonVb<Ve或Vbe<Von发射结反偏或未达到VonVb>Ve或Veb<VonIb=0Ic=0放大区发射结正偏集电结反偏Vc>Vb>Ve发射结正偏集电结反偏Vc<Vb<VeIc=Ib饱和区发射结正偏集电结正偏Vb>Ve，Vb>Vc发射结正偏集电结正偏Vb<Ve，Vb<VcIc随集电结反偏电压增大而增大PNP型、NPN型三极管比较第2章习题解题方法指导1.判断管脚的极性，依据：2.判断三极管的材料，依据：3.判断三极管的类型，依据：

②中间电位对应的管脚是基极B；

③与中间电位相差约一个导通电压VBE(ON)的管脚是发射极E。①三个电极的电位从低到高依次排序；题型→三极管的电极、材料和管型的判断⑴判断发射结偏置状态→断开电路中的BJT：判断BJT发射结、集电结偏置状态的方法(2)判断集电结偏置状态→求基极与集电极接线处的电位差对于NPN型BJT，确定基极与发射极接线处的电位差，记为VBE；若VBE=<0，发射结零偏/反偏；IB=0；若VBE>0，发射结正偏；IB

0；若IB=0，则也可以采取断开电路中的BJT的判断方法，求出基极与集电极接线处的电位差，首先判断是否为零偏，然后结合管型判断集电结的偏置状态。若IB

0，采用假定法判断→假定放大法：求基极与集电极接线处的电位差；若集电结反偏，则假设成立，否则集电结正偏。“先发射结，再集电结”判断方法题型→BJT发射结、集电结的偏置状态判断习题2.5(a)T习题2.5(b)TT习题2.5(c)T发射结零偏集电结反偏集电结正偏发射结反偏判断BJT工作状态的方法“先判导或止，再判饱和否”的判断方法：从电路中把晶体管拔掉，求出基极与发射极接线处的电位差，记为VBE。对于NPN管：若VBE<=0，则BJT一定处于截止状态，否则晶体管处于导通状态。晶体管导通，可能是饱和导通，也可能是放大导通。此时再通过计算晶体管的基极电流IB和临界饱和时的基极电流IBS进行判断。若是IB>=IBS，则晶体管饱和导通，若是IB<IBS

，则晶体管放大导通。解：由图可知，BJT的e结正偏且导通。题型→由偏置电路判断BJT的工作状态例2.4

如图所示电路。已知BJT的=40，VBE=0.7V。分析电路中BJT的工作状态。