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精品文档-下载后可编辑IDC-谏早电子开发的高压NchMOSFET-新品速递

半导体制造商谏早电子有限公司宣布,开发高压NchMOSFET「INK013EAP1」。

产品是响应开发请求而开发的产品，以支持其他公司同类产品的EOL。本产品是额定VDSS=500V、ID=0.5A、SOT89封装的NchMOSFET，为谏早电子的MOSFET产品中具有的VDSS额定值。

本产品适用于高速开关和高压开关应用，其应用之一是为开关电源控制IC提供驱动电源的启动电路，如下图所示。如果启动电路仅由电阻和电容组成，则必须降低电阻值以缩短启动时间,但降低电阻会增加启动电路中的功率损耗。通过使用MOSFET构成启动器电路，可以在不损失启动时间的情况下抑制启动器电路的功率损耗。在这种情况下，输入电压直接施加在MOSFET的漏极和源极之间，因此需要高耐压MOSFET。特别是AC240V开关电源的情况下，包括纹波在内的电压超过400V，因此VDSS=500V的产品适合这种情况。

此外，通过工艺优化，该产品的抗浪涌性能是其他公司同类产品的3倍左右。

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