微电子工艺学A知到章节答案智慧树2023年上海大学

微电子工艺学A知到章节测试答案智慧树2023年最新上海大学第一章测试世界上第一个集成电路制造所用的衬底是（）。

参考答案:

锗单晶麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。

参考答案:

7nm发明集成电路的公司有（）。

参考答案:

仙童半导体;德州仪器微电子产业的特点有()。

参考答案:

制造环境要求高;技术含量高，人才需要大;商品寿命短;对材料及产品可靠性要求高摩尔定律会一直发展下去。（）

参考答案:

错集成电路制造所需的单晶硅纯度在11－12个9。（）

参考答案:

对____理论的提出是集成电路平面工艺实现的前提。

参考答案:

null集成电路(IC)将发展成为____。

参考答案:

null第二章测试如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（）。

参考答案:

增加注入能量下列哪个杂质允许在硅中存在的？()

参考答案:

Cu硅的四种掺杂方式有以下几种？（）

参考答案:

中子嬗变掺杂;扩散掺杂法;离子注入;原位掺杂金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。（）

参考答案:

错硅的解理面为（110）面。（）

参考答案:

错对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的____。

参考答案:

null硅中点缺陷分_缺陷和_缺陷。

参考答案:

null第三章测试金刚石结构的立方晶胞空间利用率为74%。（）

参考答案:

对硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

参考答案:

精馏目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

参考答案:

注氧隔离法;智能剥离法;键合再减薄技术物理提纯法制备多晶硅过程中，硅参加了化学反应。（）

参考答案:

对无坩埚制备单晶硅的生长方法叫____法。

参考答案:

null有坩埚制备单晶硅的生长方法有____法。

参考答案:

null第四章测试如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？()

参考答案:

融解的氧气下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

参考答案:

浓度美国联邦标准209E按一立方英尺中存在的颗粒大小和密度定义空气净化标准。()

参考答案:

对美国用离子交换法制取95%纯水。（）

参考答案:

对硅中污染清除的底线____。

参考答案:

null三种制高纯水方法：____、____、____。

参考答案:

null第五章测试硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）

参考答案:

25nm湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

参考答案:

95度消除鸟嘴效应的方法有（）。

参考答案:

在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化;高压氧化工艺鸟嘴效应造成的不良影响有（）。

参考答案:

有效栅宽变窄;电容增加重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速度快。（）

参考答案:

对晶向（111）硅单晶氧化速率将比（100）稍慢。（）

参考答案:

错迪尔-格罗夫（Deal-Grove）氧化模型中，氧化物有两个生成阶段描述：____和____。

参考答案:

null在规定的地方热生长形成氧化膜，其它地方要用掩蔽膜遮盖起来，这叫_或_。

参考答案:

null第六章测试扩散工艺用于形成（）。

参考答案:

深结掺杂的浓度范围为（）。

参考答案:

****下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

参考答案:

Cu;Ag;Au填隙扩散的特点有（）。

参考答案:

对硅掺杂水平无直接贡献;填隙型杂质扩散很快空位扩散是替位型杂质的主要扩散机制之一。（）

参考答案:

对只有存在空位扩散时，才能发生推填隙扩散。（）

参考答案:

对____是要将具有电活性的杂质，在一定温度，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度以及掺杂类型。

参考答案:

null____是平衡态下杂质可溶于半导体材料中的最高浓度，与温度有关。

参考答案:

null第七章测试当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

参考答案:

临界剂量掺杂后退火时间一般在（）。

参考答案:

30~60分钟注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?（）

参考答案:

温度掺杂后，退火的目的是（）。

参考答案:

实现电激活;修复损伤;提高掺杂均匀性低剂量离子注入不会产生损伤。（）

参考答案:

错如果注入离子的半径较小，它沿着敞开的晶体方向注入时，沟道效应更加显著。（）

参考答案:

对离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质的工艺过程叫____。

参考答案:

null离子注入设备的离子源有等离子体型离子源和____离子源。

参考答案:

null第八章测试常压的硅外延方法有（）：

参考答案:

四氯化硅氢还原法;三氯氢硅氢还原法;二氯氢硅烷法;硅烷热分解法物理气相沉积方法有（）。

参考答案:

磁控溅射;热蒸发;电子束蒸发化学气相沉积是在超高真空条件下进行反应。()

参考答案:

错分子束外延制备薄膜主要是在衬底上发生化学反应。（）

参考答案:

对蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。（）

参考答案:

错CVD技术的分类：按淀积温度，可分为低温、____、____。

参考答案:

nullCVD技术的分类：按反应器内的压力，可分为_、_。

参考答案:

null第九章测试刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()

参考答案:

光刻下列选项哪个不是干法刻蚀优点？（）

参考答案:

设备便宜刻蚀参数有：（）。

参考答案:

选择比;刻蚀速率;均匀性;刻蚀偏差刻蚀过程中聚合物形成的来源有：（）。

参考答案:

光刻胶;刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物干法刻蚀工艺中不存在化学反应。()

参考答案:

错____是各向异性刻蚀技术。

参考答案:

null第十章测试进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

参考答案:

HF结尾的清洗工艺光刻工艺的设备核心是（）。

参考答案:

对准和曝光光刻工艺的特点包括：（）

参考答案:

决定特征尺寸的关键工艺;光刻与芯片的价格和性能密切相关;复印图像和化学作用相结合的综合性技术光刻工艺对准误差包括：（）。

参考答案:

X或Y方向的平移;转动曝光波长越短约好。（）

参考答案:

对正性光刻胶显影后可用____进行清洗。

参考答案:

null第十一章测试新的平坦化方法有哪几个？（）

参考答案:

固结磨料CMP技术;无磨粒CMP技术;无应力抛光技术;电化学机械平坦化技术CMP的设备构成包括（）。

参考答案:

抛光液;抛光垫;夹持设备化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）

参考答案:

还原剂化学机械抛光是一种全局性的抛光技术。（）

参考答案:

对没有化学机械抛光，就不可能生产甚大规模集成电路芯片。（）

参考答案:

对消除掺杂过程中硅片中产生的损伤可，可对硅片进行____处理。

参考答案:

null三种平坦化方法分别为：____、____和CMP。

参考答案:

null第十二章测试最早使用的金属化材料是（）。

参考答案:

铝进行沟槽填充常用的金属材料是（）。

参考答案:

钨金属化中可选用的金属材料有（）。

参考答案:

银;金;铝;铜互连工艺中AL的制备可选用（）。

参考答案:

CVD;PVD互连工艺中铝和硅可以互溶。（）

参考答案:

对在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移，这种现象就是____。

参考答案:

null第十三章测试封装工艺中，银浆固化的温度为()。

参考答案:

175度下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？()

参考答案:

二光检查影响封装芯片特性的温度有（）。

参考答案:

热敏感度;物理的脆弱度;热的产生;集成度芯片粘接的工艺过程包括（）。

参考答案:

银浆固化;点银浆;芯片粘接三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。（）

参考答案:

对去溢料的方法主要有弱酸浸泡和高压水冲洗。（）

参考答案:

对____是利用金属和化学的方法，在框架的表面镀上一层镀层，以防止外界环境的影响。

参考答案:

null电镀一般有____和铅锡合金。

参考答案:

null第十四章测试集成电路制造中所涉及的器件主要是（）。

参考答案:

CMOS晶体管下面哪个不是单电子晶体管的特点？（）

参考答案:

制备工艺简单IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

参考答案:

特征线宽等有关尺寸缩小α倍,而单位芯片面积的功耗不变;特征线宽等有关尺寸缩小α倍,单元电路