半导体制造技术必看考点

1、问答题 说明影响氧化速率的因素。2、问答题 个投影曝光系统承受ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论区分率和焦深。3、填空题 争论细胞构造和功能特别与疾病关系的细胞生物学分支称为〔〕。4、问答题 什么是集中效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？5、问答题 说明SiO2的构造和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区分。6、问答题 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。7、问答题 什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。8、问答题 分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。9、问答题 简述常规热氧化方法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么状况下氧化过程由反响掌握或集中掌握。10、问答题〔1〕1~6〔2〕211、问答题O2H2O2H2SiSiO2化？为什么？12、问答题 离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？13、问答题1～5各步的含义。14、问答题 MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最根本的区分是什么？15、问答题 什么是光刻中常见的外表反射和驻波效应？如何解决？16、问答题依据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？17、问答题杂质原子的集中方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子集中的角度举例说明氧化增加集中和氧化阻滞集中的机理。18、问答题写出菲克第肯定律和其次定律的表达式，并解释其含义。19、问答题 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量承受什么方法？20、问答题 简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。21、问答题 射频放电与直流放电相比有何优点？22、问答题 CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么状况下会支配整个淀积速率？23、问答题 简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？24、问答题 热退火用于消退离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热集中的温度，然而，杂质纵向分布仍会消灭高斯展宽与拖尾现象，解释其缘由。25、问答题 在MEMS加工中，为了准确掌握腐蚀深度，有哪几种腐蚀停顿技术，分别说一下其腐蚀停顿原理。26、问答题 什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区分？27、问答题承受无定形掩膜的状况下进展注入，假设掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度削减至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。28、问答题 从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中〔Back-End-Of-Line，BEOL〕承受铜〔Cu〕互连和低介电常数〔low-k〕材料的必要性。29、问答题应力分为压应力和张应力，以下图的外形是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。假设要让上面的构造材料变得平坦，要怎么做？30、问答题 以P2O5为例，多晶硅中杂质集中的方式及分布状况。31、问答题简述硼和磷的退火特性。32、问答题Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理方法。33、问答题 画出侧墙转移工艺和self-aligneddoublepatterning〔SADP〕的工艺流程图。34、问答题 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？35、问答题并给出其变化的缘由。36、问答题 什么是固相外延〔SPE〕及固相外延中存在的问题？37、问答题 简述BOE〔或BHF〕刻蚀SiO2的原理。38、问答题 在铜互连中，为什么要用铜集中阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？39、问答题 假设进展一次受固溶度限制的预淀积集中，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。40、问答题 浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。41、问答题 物理气相淀积最根本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。42、问答题 简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？43、问答题 常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。44、问答题 简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区分。45、问答题 对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的缘由。假设温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严峻，这说明晶圆片外表上的辐射分布是怎样的？46、问答题 在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。47、问答题 在光刻中，能够在增加区分率的同时增加聚焦深度吗？为什么？48、问答题 什么是离子注入中常发生的沟道效应〔Channeling〕和临界角？怎样避开沟道效应？49、问答题 对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，外表反响速率系数ks=1×107exp〔-1.9eV/kT〕cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择〔1〕冷壁，石墨支座型；〔2〕热壁，堆放硅片型。应中选用哪种类型的淀积系统并简述理由。50、问答题 一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜掩盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。〔1〕在1200℃下，承受H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。〔2〕在1200℃下，承受干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？51、问答题 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能状况。52、问答题 什么是两步集中工艺，其两步集中的目的分别是什么？53、问答题 影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？54、问答题 分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。55、问答题 简述几种典型真空泵的工作原理。56、问答题 简述杂质在SiO2的存在形式及如何调整SiO2的物理性质。57、问答题P2O2SiO258、问答题 集成电路制造中有哪几种常见的集中工艺？各有什么优