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第六章半导体存储器及接口教学内容半导体存储器概述随机存取存储器只读存储器半导体存储器与CPU的连接6.1半导体存储器概述除采用磁、光原理的辅存外,其它存储器主要都是采用半导体存储器本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法CPUCACHE主存(内存)辅存(外存)6.1.1半导体存储器的分类按制造工艺双极型:速度快、集成度低、功耗大MOS型:速度慢、集成度高、功耗低按使用属性随机存取存储器RAM:可读可写、断电丢失只读存储器ROM:正常只读、断电不丢失半导体存储器的分类半导体存储器只读存储器(ROM)随机存取存储器(RAM)静态RAM(SRAM)动态RAM(DRAM)非易失RAM(NVRAM)掩膜式ROM一次性可编程ROM(PROM)紫外线擦除可编程ROM(EPROM)电擦除可编程ROM(EEPROM)读写存储器RAM组成单元速度集成度应用SRAM触发器快低小容量系统DRAM极间电容慢高大容量系统NVRAM带微型电池慢低小容量非易失只读存储器ROM掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改PROM:允许一次编程,此后不可更改EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许用户多次擦除和编程EEPROM(E2PROM):采用加电方法在线进行擦除和编程,也可多次擦写FlashMemory(闪存):能够快速擦写的EEPROM,但只能按块(Block)擦除6.1.2半导体存储器芯片的结构地址寄存地址译码存储体控制电路AB数据寄存读写电路DBOEWECS6.1.3半导体存储器的技术指标存储容量:指存储器可存储的二进制信息量.芯片的存储容量=2M×NM:芯片的地址线根数N:芯片的数据线根数即:存储容量=字数×字长微机中常用字节数来表示存储容量。6.1.3半导体存储器的技术指标存取速度(最大存取时间):是指存储器从接收存储单元地址码开始,到取出或存入数据为止所需的时间,其上限值称为最大存取时间。超高速存储器的最大存取时间小于20ns,中速存储器在100-200ns之间,低速存储器在300ns以上。6.2随机存取存储器静态RAMSRAM2114SRAM6264动态RAMDRAM4116DRAM21646.2.1静态RAMSRAM的基本存储单元是触发器电路每个基本存储单元存储二进制数一位许多个基本存储单元形成行列存储矩阵SRAM一般采用“字结构”存储矩阵:每个存储单元存放多位(4、8、16等)每个存储单元具有一个地址SRAM芯片2114存储容量为1024×418个引脚:10根地址线A9~A04根数据线I/O4~I/O1片选CS*读写WE*123456789181716151413121110VccA7A8A9I/O1I/O2I/O3I/O4WE*A6A5A4A3A0A1A2CS*GNDSRAM芯片6264存储容量为8K×828个引脚:13根地址线A12~A08根数据线D7~D0片选CS1*、CS2读写WE*、OE*+5VWE*CS2A8A9A11OE*A10CS1*D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND123456789101112131428272625242322212019181716156.2.2动态RAMDRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容必须配备“读出再生放大电路”进行刷新每次同时对一行的存储单元进行刷新每个基本存储单元存储二进制数一位许多个基本存储单元形成行列存储矩阵DRAM一般采用“位结构”存储体:每个存储单元存放一位需要8个存储芯片构成一个字节单元每个字节存储单元具有一个地址DRAM芯片4116存储容量为16K×116个引脚:7根地址线A6~A01根数据输入线DIN1根数据输出线DOUT行地址选通RAS*列地址选通CAS*读写控制WE*VBBDINWE*RAS*A0A2A1VDDVSSCAS*DOUTA6A3A4A5VCC12345678161514131211109DRAM芯片2164存储容量为64K×116个引脚:8根地址线A7~A01根数据输入线DIN1根数据输出线DOUT行地址选通RAS*列地址选通CAS*读写控制WE*NCDINWE*RAS*A0A2A1GNDVSSCAS*DOUTA6A3A4A5A7123456781615141312111095.3只读存储器EPROMEPROM2716EPROM2764EEPROMEEPROM2717AEEPROM2864A5.3.1EPROM顶部开有一个圆形的石英窗口,用于紫外线透过擦除原有信息一般使用专门的编程器(烧写器)进行编程编程后,应该贴上不透光封条出厂未编程前,每个基本存储单元都是信息1编程就是将某些单元写入信息0EPROM芯片2716存储容量为2K×824个引脚:11根地址线A10~A08根数据线DO7~DO0片选/编程CE*/PGM读写OE*编程电压VPPVDDA8A9VPPOE*A10CE*/PGMDO7DO6DO5DO4DO3123456789101112242322212019181716151413A7A6A5A4A3A2A1A0DO0DO1DO2VssEPROM芯片2764存储容量为8K×828个引脚:13根地址线A12~A08根数据线D7~D0片选CE*编程PGM*读写OE*编程电压VPPVppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDVccPGM*NCA8A9A11OE*A10CE*D7D6D5D4D312345678910111213142827262524232221201918171615EPROM芯片2725612345678910111213141516171819202122232425262728VppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7CEA10OEA11A9A8A13A14Vcc27256引脚图A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0CEOED7D6D5D4D3D2D1D027256逻辑图6.3.2EEPROM用加电方法,进行在线(无需拔下,直接在电路中)擦写(擦除和编程一次完成)有字节擦写、块擦写和整片擦写方法并行EEPROM:多位同时进行串行EEPROM:只有一位数据线EEPROM芯片2817A存储容量为2K×828个引脚:11根地址线A10~A08根数据线I/O7~I/O0片选CE*读写OE*、WE*状态输出RDY/BUSY*NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVccWE*NCA8A9NCOE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O312345678910111213142827262524232221201918171615EEPROM芯片2864A存储容量为8K×828个引脚:13根地址线A12~A08根数据线I/O7~I/O0片选CE*读写OE*、WE*VccWE*NCA8A9A11OE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GND123456789101112131428272625242322212019181716156.4半导体存储器与CPU的连接这是本章的重点内容SRAM、EPROM与CPU的连接译码方法同样适合I/O端口6.4.1存储芯片与CPU的连接存储芯片的数据线存储芯片的地址线存储芯片的片选端存储芯片的读写控制线1.存储芯片数据线的处理若芯片的数据线正好8根:一次可从芯片中访问到8位数据全部数据线与系统的8位数据总线相连若芯片的数据线不足8根:一次不能从一个芯片中访问到8位数据利用多个芯片扩充数据位这个扩充方式简称“位扩充”2.存储芯片地址线的连接芯片的地址线通常应全部与系统的低位地址总线相连寻址时,这部分地址的译码是在存储芯片内完成的,我们称为“片内译码”3.存储芯片片选端的译码存储系统常需利用多个存储芯片扩充容量.这种扩充简称为“地址扩充”或“字扩充”进行“地址扩充”,需要利用存储芯片的片选端对多个存储芯片(组)进行寻址这个寻址方法,主要通过将存储芯片的片选端与系统的高位地址线相关联来实现⑴译码和译码器译码:将某个特定的“编码输入”翻译为唯一“有效输出”的过程译码电路可以使用门电路组合逻辑译码电路更多的是采用集成译码器常用的2:4译码器:74LS139常用的3:8译码器:74LS138常用的4:16译码器:74LS154⑵全译码所有的系统地址线均参与对存储单元的译码寻址包括低位地址线对芯片内各存储单元的译码寻址(片内译码),高位地址线对存储芯片的译码寻址(片选译码)采用全译码,每个存储单元的地址都是唯一的,不存在地址重复译码电路可能比较复杂、连线也较多全译码示例A15A14A13A16CBAE3138
2764A19A18A17A12~A0CEY6E2E1IO/M1C000H1DFFFH全0全100011100001110地址范围A12~A0A19A18A17A16A15A14A13⑶部分译码只有部分(高位)地址线参与对存储芯片的译码每个存储单元将对应多个地址(地址重复),需要选取一个可用地址可简化译码电路的设计但系统的部分地址空间将被浪费部分译码示例138A17
A16A11~A0A14
A13A12(4)(3)(2)(1)2732273227322732CBAE3E2E1IO/MCECECECEY0Y1Y2Y3A19~
A15A14~
A12A11~A0一个可用地址1234××10×××10×××10×××10×000001010011全0~全1全0~全1全0~全1全0~全120000H~20FFFH21000H~21FFFH22000H~22FFFH23000H~23FFFH⑷线选译码只用少数几根高位地址线进行芯片的译码,且每根负责选中一个芯片(组)虽构成简单,但地址空间严重浪费必然会
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