模拟电子技术-南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年_第1页
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模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA。当R从10kΩ减小至5kΩ时，I将____。【图片】

参考答案:

变化不大

随着温度的升高，在杂质半导体中，多数载流子的浓度____。

参考答案:

变化较小

随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____。

参考答案:

明显增大

某硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。当UD增加10％（即增大到0.66V）时，则ID约为____。

参考答案:

100mA

当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

参考答案:

小于

当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。

参考答案:

大于

PN结加正向电压时，空间电荷区将。

参考答案:

变窄

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____。

参考答案:

杂质浓度

稳压管的稳压区是其工作在。

参考答案:

反向击穿

硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大____。

参考答案:

大于10％

电路如图所示，ui=0.1sinωt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻rd将____。【图片】

参考答案:

减小

在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，UD=0.7V。当V调到6V，则I将为____。【图片】

参考答案:

大于2mA

设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。

参考答案:

ISe(U/UT-1)

已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V＝10V时，测得I＝1μA。当V增加到20V时，I将____。【图片】

参考答案:

变化不大

由理想二极管组成的电路如下图所示，其A,B两端的电压Uab应为。【图片】

参考答案:

－6V

当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

参考答案:

增大

P型半导体是在纯净半导体中掺入____。

参考答案:

三价元素，如硼等

已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA。保持V和R不变，温度下降10℃，I将____。【图片】

参考答案:

为0.5μA左右

设某二极管在正向电流ID＝10mA时。其正向压降UD＝0.65V。在ID保持不变的条件下，当二极管的结温升高20℃，UD约为____。

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