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文档简介

第5章光学光刻光刻概述光源光刻」曝光刻蚀曝光方式评价光刻工艺可用三项主要的标准:分辨率、对准精度和生产效率。定义用类似于洗印照片的原理通过曝光和鐳簫工寝桨掩膜版上的集成电路图形印制到硅片上的精目工序利用旋转涂敷法在硅片表面上涂一层光刻胶:利用光通过掩膜版对光刻胶选进行择性曝光3通过对光刻胶显影从而将掩膜版上的图形转移到硅片上三要素:掩膜版、光刻胶和光刻机。光刻工艺流程涂光刻胶(正)选择曝光显影(第1次图形转移)刻蚀(第2次图形转移)光刻胶的涂敷和显影1、脱水烘烤目的是去除硅片表面吸附的水分。也可利用前面的氧化或扩散工艺来实现2、增粘处理在烘烤后的硅片表面涂一层六甲基二硅亚胺(HMDS),目的是增加硅片表面与光刻胶的粘附性。可采用蒸汽涂布法也可采用旋涂法。、涂胶般采用旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜厚的均匀性。胶膜的厚度决定于光刻胶的粘度和旋转速度。例:转速5000r/min,时间30sec,膜厚10μm。前烘(软烘)目的是去除光刻胶中的大部分溶剂和稳定胶的感光特性5、曝光

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