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第第页MOS管的死区损耗计算

MOS管在逆变电路，开光（电源电路）中经常是成对出现，习惯上称之为上管和下管，如图Figure1中的同步Buck变换器，High-side（MOSFET）为上管，Low-sideMOSFET为下管。

如果上管和下管同时导通，就会导致（电源）短路，MOS管会损坏，甚至时电源损坏，这种损坏是灾难行动，必须避免．由于MOS的开通和关断都是有时沿的，为了避免上管和下管同时导通，造成短路现象，从而引入了死区的概念，也就是上下管同时关断的区间，如图Figure2中的E和F。

死区EtDf上管关断，下管还没开启，下管体（二极管）续流，（电流）从最大值Io+ΔI/2开始下降，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区E的电流恒定，以方便计算。

死区Ｅ对应的功耗为：

死区FtDf下管关断，上管还没开启，下管体二极管续流，电流接近最小值Io-ΔI/2，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区F的电流恒定，以方便计算。

死区Ｆ对应的功耗为：

工程上快速估算时，也会用把两个死区的电流平均化，近似用Io替代，一个完整的开关周期的死区损耗如下：

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