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第八章金属和半导体的接触§8.1金属半导体接触及能级图1.金属和半导体的功金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。金属功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与金属的E能量之差,即Wn=Eo-(er)上式表示一个起始能量等于费米能级的电子,由金属内部逸出到真空中所需要的最小值E金属中的电子势阱Wn越大,金属对电子的束缚越强在半导体中,导带底EC和价带顶E般都比Eo低几个电子伏特。半导体功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与半导体的E能量之差,即Eo-(EFEcW与杂质浓度有关电子的亲合能X=Eo-Ec半导体的功函数又写为W=x+EC-(ER=x+E2接触电势差W、>W(EF)(a)接触前Ev-Vn)、金属表面负电半导体表面正电EEE金属的电势v:半导体的电势(b)间隙很大(D>原子间距)

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