STM32 片内FLASH模拟EEPROM的优化方法

STM32片内FLASH模拟EEPROM的优化方法FLASH_Sector_0~FLASH_Sector_11，分别对应不同的扇区。而VoltageRange参数则是供电电压范围的选择，在STM32F407中可选参数为FLASH_VOLTAGE_RANGE_3，即3.3V左右的电压范围。在使用擦除函数时，必须先判断所需擦除的扇区是否已经被擦除，如果没有则进行擦除操作。擦除操作需要一定的时间，因此在实际应用中，需要根据具体情况来决定擦除操作的时机和方式。为了优化STM32F407的FLASH模拟EEPROM的使用效率，我们可以采用以下几种方法：1.合理分配FLASH空间：由于不同扇区的大小不同，因此我们可以根据数据的大小来选择合适的扇区进行存储。对于数据较小的情况，可以选择第0-3扇区进行存储，对于数据较大的情况，则可以选择后面的扇区进行存储。2.使用缓存：在进行写操作时，可以先将数据存储到缓存中，等到缓存中的数据达到一定的量或者达到一定的时间后再进行写入操作，这样可以减少写入操作的次数，提高效率。3.使用压缩算法：对于一些数据较为规律的情况，可以采用压缩算法进行压缩，减小存储空间的占用。4.使用硬件CRC校验：在进行写入操作时，可以使用硬件CRC校验来确保数据的完整性，避免数据写入错误或者丢失的情况发生。总之，对于STM32F407的FLASH模拟EEPROM的使用，需要根据具体情况来选择合适的存储方式和优化方法，以提高使用效率和可靠性。FlashSector0toFlashSector11(forourSTM32F407,themaximumisFlashSector11)areusedinthesefunctions.Forthesecondparameterofthesefunctions,weneedtoselectVoltageRange_3asourpowersupplyvoltagerangeis3.3V.ItisworthnotingthattheSTM32F407'sFlashdoesnotsupporttheso-calledpageerasureinotherchipmodels.IfwestoredatainFlashSector11,weneedtoerasetheentire128Ksectorbeforewritingdataintoit.Thisprocesstakes1-2seconds,andifthepowerissuddenlycutoffduringthistime,thedatawrittenintoFlashwillbeincorrect.Additionally,theFlashmemoryofthechiphasalifespan.Ifwefrequentlyeraseitatahighfrequency,thechipmayfail.Therefore,weneedtooptimizetheFlashtosimulateEEPROM.Toimprovesecurity,wecanuseFlashSector10andFlashSector11directly,witheachsectorbeing128K.Together,theyuse256K,leaving768Kforprogramoperation,whichissufficient.Tofacilitatetheuseofdata,wesuggestcreatingastructureforthedatatobestored,suchas:typedefstruct{U8saved[128];U8data[128];U32total;}savedinfo;Itisbesttoalignthesizeofthestructureto4bytes.对于FLASH操作，一般的思路是先擦除扇区，再写入数据。但如果要写入的数据很少，那这128K的扇区就显得浪费了。事实上，只要对扇区擦除过一次，扇区内的数据就都变成了1，这就为写入数据提供了前提条件。只要要写入的地址的数据不是1，就可以往里面写数据。这样一来，我们可以把128K扇区分成N块，每次写一块，然后下次再写下一块。然而，实际上STM32F407的FLASH是以2K为一块来操作。所以，如果我们要存储的数据结构体大小为400字节，就需要把128K扇区分成64块，每块2K。我们从FLASH_Sector_10开始存储，存满了64块之后，接着从FLASH_Sector_11开始存，等FLASH_Sector_11存满之后又从FLASH_Sector_10开始存。在存储的过程中，需要按照分好的块来查找需要写入的地址的数据是否是0XFF，如果不是，则继续查找下一块。