微电子学微电子学试卷(练习题库)(2023版)

———微电子学微电子学试卷(练习题库)

1、列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用？

2、用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念？

3、简单叙述微电子学对人类社会的作用？

4、载流子的输运有哪些模式？对这些输运模式进行简单的描述。

5、闩锁效应起因？

6、什么是集成电路。

33、所谓（），指在时间上和幅度上离散取值的信号。

34、计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做（）。

35、半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路

36、MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。

37、集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。

38、集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。

39、集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。

40、双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（）型。

41、双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。

42、能量最高的是价电子所填充的能带，称为（）。

43、2000年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是（）。

44、在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和（）为单位的。

45、本征半导体的导电能力很弱，热稳定性很（）。

46、非晶、（）、单晶是固体的三种基本类型。

47、晶体性质的基本特征之一是具有（）。

48、MOSIC的缺点是（）。

49、硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。

50、（）集成电路已成为集成电路的主流。

51、一般认为MOS集成电路功耗低、（），宜用作数字集成电路。

52、迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。

53、反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。

54、组合逻辑电路的输出状态只与当时的（）有关。

55、微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。

56、微电子技术的核心是集成电路，处理器是集成电路的标志性产品之一。

57、双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。

58、EDA是计算机辅助测试的英文简称。

59、在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

60、双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。

61、常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。

62、SOC指的是系统芯片。

63、微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。

64、常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于

65、从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。

66、标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

67、对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。

68、半导体激光器的工作原理是受激发射。

69、同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。

70、对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。

71、CMOS电路与双极集成电路相比速度快。

72、对于发光二极管，其内量子效率比外量子效率小。

73、如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

74、什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？

75、简述晶体管的直流工作原理？

76、晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？

77、经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。

78、PN结的寄生电容有几种，形成机理，对PN结的工作特性及使用的影响？

79、什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？

80、CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？

81、对门电路而言，高低电平噪声容限受哪些因素影响？

82、在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？

83、什么是线性电源？

84、短沟道效应

85、沟道长度调制效应

86、“掺杂”

87、厄利电压

88、平带电压

89、扩散法（diffusion）

90、离子注入

91、退火

92、什么是电路模拟？其在IC设计中的作用。

93、试述器件模拟和工艺模拟的基本概念。

94、SPICE主要可以完成哪些主要的电路分析。

95、列出逻辑模拟中的主要延迟模型，并给出简单说明。

96、半导体发光器件的基本原理是什么？

97、版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？

98、层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次。

99、Wafer晶元

100、Die芯片裸片

12>>

101、ASIC专用集成电路

102、MASK掩模版

103、HDL硬件描述语言

104、集成电路设计和分立电路设计相比，有哪些特点？

105、MEMS工艺与微电子工艺技术有那些区别。

106、集成电路技术发展的方向有哪些？尽可能描述。

107、什么是MEMS？它主要包括哪几个部分？并简述各个部分的功能。

108、MPW多项目晶圆

109、Wafer

110、IC

111、MooreLaw

112、