三极管测试方法

三极管测试方法若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”；被测管的C.B.E按规定进行连接；将Y电流/度置于IC合适档级，X电压/度置于UC合适档级；测试A与测试B搬向被测管连接的一边；集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合；选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要进行选择；观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；其发射极IB-IC特性：根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；11被测管的CBE按规定进行连接；12将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“”的档级；13测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节）；14将Y。Y方式开关““调节零点位置；15选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；16对所显示的IB-IC曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算HFE值：HFE=IC/IBIC=示波管刻度X档次读数IB=幅度/级X级数（2）、①反压特性测试及二极管特性测试：本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：VEBO发射极与基极间电压（集电极开路）VCEOVCERVEBO发射极与基极间电压（集电极开路）VCEOVCER集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）接C接E悬空bce接E悬空bce接C接E悬空bceVCES集电极与发射间电压（基极与发射极短）接C接c接E接Ebce接E接Ebce接c^9c±nEK4.L十OAGB1ittphadu.CDmFd3&llebb2g);"«»Sr■ran-■aJinA芒Rukh口打戏甲匸flmmihaEx爭抽jt田士士n??oiaSJurT?r.EtiHEt'*Ehf「：*eRu9u;±Qlirfl・jfitLtrr0FHR・-^9c±nEK4.L十OAGB1ittphadu.CDmFd3&llebb2g);"«»Sr■ran-■aJinA芒Rukh口打戏甲匸flmmihaEx爭抽jt田士士n??oiaSJurT?r.EtiHEt'*Ehf「：*eRu9u;±Qlirfl・jfitLtrr0FHR・-嫌熬田■的离或丁x静门就cw：iFlflawMxAmflit.^!S".'...-T2irtfl.«总、T.•:-i-^if..t.lilSftK-fl*■*"RIR匸示沛削度K苦找读娅h=（ft良"fix塑赴愀①应朝性耐及摆砒性利试;水②悦舞町世和下列各种反有击雰电压劃试,賈试定虫见有共半导恤试标准.测试勉奴谄安虬户决；VCBOffiit楣基极何电金f发射楼JT路」文性皆展LUS附M于?]10-te-D7VCEOJt电HiA氐期问电压口丄粮开路）TOTHt电出「注出凰闵电陆（fl-W!i扯刑HH电剛辿救?靠EVCES电楼勺发肘EI电」1、（乩掘勺墟射豪利｝中Millicr"■欣1,“懂悼电茹-型晶炸誓a.&I+Z錢出我逐役计逝艺上署拓ZIG1■沏示恒便用礙目<*育A■和晶比廊出特註傅■加懿1顶bbIOI-接H-Qf¥c'接c接c「打开姑f®QrflffWETR□t>iilIletiii^1...•审盅鼻僦常性鉅立裝斗牺0临国VCBO集电极基极间电压（发射极卅路）VEBO发射极与皓极间电压〔集也极开路）接L¥CE0集电极与发射间电压〔基极开路）悬空VCER集电极口发射极〔叩1压（基极口发射极问电阻连接）接E0VCES集逸极与发射间电压（基极与发射极短〉er悬空①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位置时，集电极电压为（=）极性；②被测管的CBE接上表的连接方法进行连接；③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA度档级）；④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；⑤将功耗限制电阻置于较大档级（一般置于10KQ-100KQ之间）；⑥选择测试A、B的位置；⑦选择合适的电压档级，峰值电压调为零，当测试时再按顺时针方向徐徐加大输出电压；⑧对所显示的VDS-ID曲线波形进行读数或记录、观察；⑨如需要显示VGS-ID曲线可将X电压/度置于“”档级。⑷、可控硅特性测试：可控硅的测②试可根据需要对正向阻断峰值电压（PEV）,正向漏电流（IPF）,反向阻断峰值电压（PRV）反向漏电流（IR）,控制极可触发电压（VGT）,控制极可触发电流（IGE）正向电压降（VF）条参数进行测试。①将测试选择开关置于NPN,并将“”开关置于“常态”；②被测管的A接C、G接B、C接E；③将Y电流/度开关置于IC范围内的合适档级（实际为IF值）；X电压/度开关置于UD合格档级（实际上UA值）;④测试A与B搬向被测管的一边；⑤选择合适的功耗限制电阻（要求〉0Q）,以免电流过大而使被测管烤坏；⑥按照VAC的要求值调节集电极峰值电压值，使显示值与右下方的零刻度重合；⑦选择合适的阶梯幅度/级开