国开光伏电池材料形考任务1-4试题及答案

国开光伏电池材料形考任务1试题及答案题目顺序是随机的，使用查找功能（Ctrl+F）进行搜索单项选择题题目：多晶硅属于（）答案：金刚石结构题目：二元相图通常采用（）的坐标系。答案：温度-浓度（T-x）图题目：根据晶胞外形即极边长度之间的关系和晶轴之间的夹角情况，而不涉及晶胞中原子的具体排列情况，可将所有晶体分成（）个晶系，（）种布拉菲点阵。答案：7、14题目：关于二氧化硅以下说法错误的是（）答案：石英是地壳中分布很少的矿物题目：关于硅单质说法错误的是（）。答案：具有类似金属的塑性题目：关于硅的化学性质说法错误的是（）。答案：硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化题目：关于四氯化硅以下说法错误的是（）答案：不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂题目：关于位错密度说法错误的是（）。答案：通常情况下制得位错密度较小的材料题目：观察晶体中位错最简单的方法是（）。答案：浸蚀观察法题目：硅晶体的解理面有（）答案：{111}晶面和{110}晶面题目：面心立方结构晶胞中的原子数为（）答案：4题目：漂晶现象的原因在于（）。答案：液面上这些位置不能保持正驱动力题目：室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。答案：2题目：西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）:P型硅半导体;99.9999%（6个9）的为太阳能级硅;99.999999999%（11个9）的为电子级硅;95%-99%的冶金级硅答案：95%-99%的冶金级硅题目：下列属于面缺陷的是（）:位错;空洞;空位;晶界答案：晶界题目：液态水、冰、水蒸气共存时，独立组元数为（）。答案：1题目：一般热处理时的原子扩散主要与（）有关:答案：空位题目：以下（）不是自然界中的硅同位素。答案：32Si题目：杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（）答案：置换原子题目：正温度梯度与负温度梯度相比，（）。答案：正温度梯度时结晶潜热只能通过固相而散出，相界面的推移速度受固相传热速度所控制多项选择题题目：不能用于区分晶体与非晶体的是（）答案：是否具有确定的熔点;原子排练是否有序题目：采用适当的原料配比，都能得到解决或部分解决是（）。答案：在固液两相区内生长晶体或是配料偏离同成分点时温度波动导致固相成分波动引起生长条纹;晶体冷却时越过溶线引起脱溶沉淀;晶体成分偏离理想配比引起点缺陷题目：关于白炭黑说法准确的是（）。答案：白碳黑是在特殊设计的炉子里在1370K下用四氯化硅在氧气流经过气相氧化制得的;非常细小颗粒和极大的表面积;具有化学惰性不会与硫化而引入的过氧化物反应;硅氧烷橡胶里的主要增强填料题目：关于单晶硅的晶体结构说法正确的是（）。答案：硅原子轨道杂化以后，在sp3轨道上有4个未成对的价电子;硅原子所有价电子都被束缚在共价键上，没有自由电子，所以不是导体;共价键的饱和性使得硅最多只能形成4个共价键;共价键的方向性使得每个硅原子都和周围4个最近邻的原子组成一个正四面体题目：关于点缺陷说法错误的是（）。答案：点缺陷使得滑移更容易进行题目：关于固溶体与中间相说法错误的是（）。答案：Cu-Ni合金属于中间相;固熔体一般具有较高的熔点及硬度题目：关于硅的电阻率说法错误的是（）。答案：N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子题目：关于硅的卤化物说法错误的是（）。答案：一般都是无毒的题目：关于晶体的宏观表面说法正确的是（）。答案：表面最活跃的位置是台阶的边缘处;从原子的尺度来看，十分粗糙而凹凸不平;宏观表面基本上由一系列平行的原子密排面及相应的台阶组成的题目：关于临界晶核说法错误的是（）。答案：临界半径与过冷度ΔT无关;均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同”题目：关于三氯氢硅说法正确的是（）。答案：可由硅粉与氯化氢合成而得;可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅;熔点-128℃，沸点31.5℃;无色透明液体题目：关于石英说法错误的是（）。答案：由一个个的简单SiO2分子组成题目：关于位错的观察，说法正确的是（）。答案：石英砂;硅酸盐题目：解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。答案：{111}题目：金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。答案：8、4题目：两侧晶粒位向差为1°的晶界属于（）。答案：小角度晶界题目：热力学平衡条件包括（）。答案：相平衡;热平衡;力学平衡题目：下列不属于面缺陷的是（）。答案：长程有序;解理性;各向异性;固定熔点单项选择题题目：柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。答案：错题目：点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。答案：对题目：硅晶体的半导体性源于共价键。答案：对题目：硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。答案：错题目：硅烷就是甲硅烷。答案：错题目：硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。答案：对题目：滑移的方向是与位错线平行的为刃型位错。答案：错题目：甲硅烷的化学性质很活泼，有强的氧化性。答案：错题目：可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。答案：错题目：内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。答案：错题目：平衡状态下，位错密度随温度升高呈指数关系增加。答案：错题目：普通玻璃是无定形二氧化硅。答案：错题目：刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。答案：对题目：水晶是石英的单晶体，是一种坚硬、脆性、难溶的无色透明的固体。答案：对题目：一氧化硅是硅和二氧化硅的均匀混合物在低压下加热到1450K以上生成的挥发性物质答案：对题目：有些杂质即使在硅中含量超过1015cm-3，也不会对电池的转换效率产生明显影响。答案：对题目：在半导体的P-N结中，浓度梯度形成的扩散作用与内建电场的电场力的作用达到平衡。答案：对题目：在常温下硅对多数酸是稳定的。答案：对题目：在常温下硅能与稀碱溶液反应。答案：对题目：在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。答案：对“题目：将各类晶体缺陷与实例一一对应。（1）点缺陷一一[[2]]（2）线缺陷一一[[1]]（3）面缺陷一一[[3]];[[1]]->{A.位错/B.空位/C.相界}”“题目：将各种硅化合物与描述一一对应。（1）二氧化硅一一[[2]]（2）三氯氢硅一一[[1]]（3）四氯化硅一一[[3]];[[1]]->{A.沸点31.5℃，室温下无色透明液体/B.可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到/C.在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾}”“题目：将各种硅化合物与熔沸点一一对应。（1）四氯化硅一一[[2]]（2）三氯氢硅一一[[3]]（3）甲硅烷一一[[1]];[[1]]->{A.熔点-185℃，沸点-111.8℃/B.熔点-70℃，沸点57.6℃/C.熔点-128℃，沸点31.5℃}”“题目：将各种硅化合物与作用一一对应。（1）二氧化硅一一[[2]]（2）三氯氢硅一一[[1]]（3）甲硅烷一一[[3]];[[1]]->{A.可作为西门子法提纯硅材料的中间产物/B.制造冶金硅的主要原料之一/C.大量地用于制高纯硅，高温易热解}”“题目：将硅材料与描述一一对应。（1）电子级硅[[2]]（2）冶金级硅一一[[3]]（3）太阳能级硅一一[[1]];[[1]]->{A.99.9999%/B.99.999999999%/C.95%-99%}”“题目：将硅的用途与性质一一对应。（1）二极管一一[[3]]（2）集成电路一一[[1]]（3）光电池一一[[2]];[[1]]->{A.通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路/B.可以把光能转化成电能/C.制成晶体二极管后即能整流又能检波}”“题目：将晶体的特性与解释一一对应。（1）各向异性一一[[3]]（2）长程有序一一[[2]]（3）解理性一一[[1]];[[1]]->{A.晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质/B.粒子排列具有三维周期性、对称性/C.在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等}”“题目：将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。（1）简单立方结构一一[[3]]（2）体心立方结构一一[[2]]（3）面心立方结构一一[[1]];[[1]]->{A.4/B.2/C.1}”“题目：将晶体生长方式与实例一一对应。（1）固相生长一一[[3]]（2）液相生长一一[[2]]（3）汽相生长一一[[1]];[[1]]->{A.水汽凝结为冰晶/B.盐水溶液结晶/C.石墨在高温高压的条件下转变为金刚石}”“题目：将相图与特点一一对应。(1)匀晶相图一一[[1]](2)共晶相图一一[[2]](3)包晶相图一一[[3]];[[1]]->{两组元在液态、固态都无限互溶/L→α+β/L+α→β}”配伍题答案：{B.空位}{A.位错}{C.相界}答案：{B.可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到}{A.沸点31.5℃，室温下无色透明液体}{C.在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾}答案：{B.熔点-70℃，沸点57.6℃}{C.熔点-128℃，沸点31.5℃}{A.熔点-185℃，沸点-111.8℃}答案：{B.制造冶金硅的主要原料之一}{A.可作为西门子法提纯硅材料的中间产物}{C.大量地用于制高纯硅，高温易热解}答案：{B.99.999999999%}{C.95%-99%}{A.99.9999%}答案：{C.制成晶体二极管后即能整流又能检波}{A.通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路}{B.可以把光能转化成电能}答案：{C.在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等}{B.粒子排列具有三维周期性、对称性}{A.晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质}答案：{C.1}{B.2}{A.4}答案：{C.石墨在高温高压的条件下转变为金刚石}{B.盐水溶液结晶}{A.水汽凝结为冰晶}答案：{两组元在液态、固态都无限互溶}{L→α+β}{L+α→β}

国开光伏电池材料第2次形考任务答案题目顺序是随机的，使用查找功能（Ctrl+F）进行搜索单项选择题题目：（）是生产太阳能级硅材料的主要技术。答案：改良西门子法题目：代号2205的工业硅，其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是（）。答案：0.20％、0.20％、0.05％题目：对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（）。答案：节约时间题目：改良西门子法所采用的提纯工艺是（）。答案：精馏题目：工业硅加工产品的附加值最高的是（）。答案：生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池题目：关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）答案：几乎无法效果去除题目：关于分子筛说法错误的是（）。答案：对非极性分子具有较强的亲和力题目：硅石和还原剂在低于1500℃时，发生的反应是（）。答案：无化学反应，仅为预热题目：金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。答案：{111}面题目：晶体生长过程中产生的缺陷称为（）。答案：原生长缺陷题目：区熔法制备单晶硅时，需要（）。答案：不需要坩埚题目：生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。答案：低压的氩气题目：太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。答案：位错题目：微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）。答案：从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要题目：吸附时不发生任何化学变化，是（）。:物理吸附;以上皆不是;化学吸附;不可逆过程答案：物理吸附题目：在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）答案：底下是SiC，其上面是产品工业硅题目：占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。答案：间隙杂质原子题目：CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。答案：缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长题目：Dash工艺主要解决的是（）。答案：减少缺陷（位错）多项选择题目：大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。答案：防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破;吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险题目：工业硅生产过程中，要注意的是（）。答案：通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度;及时捣炉，帮助沉料;保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体;及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比题目：工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。答案：具有较大的内表面，吸附容量大;具有一定的机械强度，抗磨损;有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀;选择性高题目：关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。答案：生长时都需借助要采用籽晶;都需要采用真空气氛保护题目：关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。答案：放热反应;温度升高后反而将影响产品收率;要加热到所需温度才能进行题目：关于晶转说法正确的是（）。答案：过高的晶转会使固液界的形状太凹;在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动题目：关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。答案：被两条曲线分为三个区域题目：关于SiO说法正确的是（）。答案：SiO很容易发生化学反应;温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到;能在1500℃与C发生反应;能与氧气发生反应题目：硅烷法的特点是（）。答案：不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅;硅烷气体易于用吸附法提纯;易于分解为非晶硅;硅烷易爆炸题目：化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。答案：中间化合物的分离提纯;中间化合物的合成;中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅题目：晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。答案：点缺陷的产生;点缺陷的复合;点缺陷的扩散题目：具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。答案：〈210〉晶向{110}晶面族;{111}晶面族〈111〉晶向”题目：磷在硅中很容易去除，在于。答案：磷在硅中的分配系数小于1;磷在硅熔液中很快得到蒸发题目：石墨坩埚的寿命取决于（）。答案：石墨坩埚的形状;在晶体生长过程中的受热程度;承受的重量;石墨的材质题目：位错影响说法正确的是（）。答案：刃型位错也可能作为一排受主;位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心;位错能够改变载流子浓度;刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子题目：无坩埚区域提纯（）。答案：也可用于晶体生长;避免了坩埚的污染;熔硅不会流动是由于其很大的表面张力题目：以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。答案：化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发;物理．吸附的进行吸附是可逆的题目：由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。答案：通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度;熔体稳定;晶体直径大;对多晶形状要求低题目：直拉单晶炉的主室包括（）。答案：热绝缘筒和地盘;石墨加热器;石墨坩埚;石英坩埚题目：CZ法产生位错的环节和方式有（）。答案：籽晶中的位错延伸、增殖;晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力;籽晶表面损伤、机械磨损裂痕;单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力判断题题目：闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少。答案：对题目：从安全性的角度考虑，改良西门子法优于硅烷法。答案：对题目：单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。答案：错题目：对于一次熔化来说，正常凝固的提纯效果不如区域提纯的效果好。答案：错题目：分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。答案：错题目：改良西门子法的原料主要是硅石。答案：错题目：改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。答案：对题目：改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。答案：对题目：硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。答案：对题目：化学提纯时，中间化合物提纯到所需要的纯度后，在后续的还原工艺要求不需要很高。答案：错题目：化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。答案：错题目：甲硅烷常温下为气体，室温下就容易分解。答案：错题目：精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。答案：对题目：冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。答案：错题目：由于能量的原因，晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。答案：对题目：只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。答案：对题目：CZ和FZ均采用感应线圈进行加热。答案：对题目：FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。答案：错题目：MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。答案：对题目：SiH4不能采用精馏技术进行提纯答案：错“题目：将工业硅的应用与用量一一对应。（1）生产合金一一[[3]]（2）有机硅一一[[2]]（3）半导体器件和太阳能电池一一[[1]];[[1]]->{A.5%/B.40%/C.55%}”“题目：将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。（1）保持适宜的SiO2与碳的分子比一一[[3]]（2）保证反应区有足够高的温度一一[[2]]（3）及时捣炉，帮助沉料一一[[1]];[[1]]->{A.避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO/B.分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行/C.防止过多的SiC生成}”“题目：将工艺与提纯方法一一对应。（1）硅烷法一一[[2]]（2）改良西门子法一一[[1]]（3）冶金一一[[3]];[[1]]->{A.精馏/B.吸附/C.物理提纯}”“题目：将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。（1）红外散射缺陷（LSTDs）一一[[3]]（2）流水花样缺陷（FPDs）一一[[2]]（3）晶体原生颗粒缺陷（COPs）一一[[1]];[[1]]->{A.随着拉速的增加而增加/B.过饱和空位凝聚而成的空位团/C.拉速越慢，LSTDs密度越低}”“题目：将化学反应与作用一一对应。（1）SiHCl3+H2→Si+3HCl一一[[3]]（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2一一[[1]]（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑一一[[2]];[[1]]->{A.中间产物的合成/B.工业硅的合成/C.中间产物的还原}”“题目：将吸附的设备与工艺一一对应。（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内一一[[3]]（2）固定吸附床一一[[1]]（3）移动吸附器一一[[2]];[[1]]->{A.半连续操/B.连续操作/C.间歇操作}”“题目：将氧的存在方式及其描述一一对应。（1）热施主一一[[2]]（2）新施主一一[[1]]（3）氧沉淀一一[[3]];[[1]]->{A.热处理温度处于550～850℃/B.处理温度处于300～500℃/C.适当的温度下进行热处理时会脱溶}”“题目：将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。（1）O一一[[1]]（2）C一一[[2]]（3）B一一[[3]];[[1]]->{A.1.25/B.0.07/C.0.8}”“题目：将Cz法中的工艺与描述一一对应。（1）缩颈生长一一[[1]]（2）放肩生长一一[[3]]（3）等径生长一一[[2]];[[1]]->{A.减少位错/B.硅片取材的部位/C.肩部夹角接近180°，这样可以提高多晶硅的利用率}”“题目：将Cz法中的设备与描述一一对应。（1）石英坩埚一一[[3]]（2）石墨坩埚一一[[1]]（3）石墨加热器一一[[2]];[[1]]->{A.底部比较厚，以起到较好的绝热效果/B.电阻会随着使用次数的增加而升高/C.纯度和耐热性能要求很搞}”“题目：将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。（1）O一一[[1]]（2）C一一[[2]]（3）N一一[[3]];[[1]]->{A.危害大/B.浓度低，影响小/C.增强机械性能}”配伍题答案：{C.55%}{B.40%}{A.5%}答案：{C.防止过多的SiC生成}{B.分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行}{A.避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO}答案：{B.吸附}{A.精馏}{C.物理提纯}答案：{C.拉速越慢，LSTDs密度越低}{B.过饱和空位凝聚而成的空位团}{A.随着拉速的增加而增加}答案：{C.中间产物的还原}{A.中间产物的合成}{B.工业硅的合成}答案：{C.间歇操作}{A.半连续操}{B.连续操作}答案：{B.处理温度处于300～500℃}{A.热处理温度处于550～850℃}{C.适当的温度下进行热处理时会脱溶}答案：{A.1.25}{B.0.07}{C.0.8}答案：{A.减少位错}{C.肩部夹角接近180°，这样可以提高多晶硅的利用率}{B.硅片取材的部位}答案：{C.纯度和耐热性能要求很搞}{A.底部比较厚，以起到较好的绝热效果}{B.电阻会随着使用次数的增加而升高}答案：{A.危害大}{B.浓度低，影响小}{C.增强机械性能}

国开电大光伏电池材料第3次形考任务答案题目顺序是随机的，使用查找功能（Ctrl+F）进行搜索单项选择题题目：单晶硅片的电阻率一般控制在（）。答案：1～3·cm左右题目：电磁铸锭法说法错误的是（）答案：较少晶体缺陷题目：硅的熔点约为（）。答案：1420℃题目：硅片切割中的碎料可用于（）。答案：铸造多晶硅题目：硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。答案：POCl3题目：目前常用的多晶硅铸锭炉单炉产量约为（）。答案：450kg题目：目前最常用的硅片的尺寸为（）。答案：156mm×156mm题目：热交换法与布里奇曼法的主要区别在于（）。答案：坩埚与热源的相互运动情况题目：少子寿命的物理意义是（）。答案：非平衡少数载流子复合所需要的平均时间题目：生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是（）kWh。答案：8～15题目：太阳电池用单晶硅片的厚度约为（）。答案：200～300um题目：氧在铸造多晶硅中的浓度约为（）。答案：1×1017～1×1018cm-3题目：一般制造一个重量为250～300kg的铸造多晶硅锭需要（）时间。答案：35～45h题目：用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。答案：整流法题目：铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。答案：10mm左右题目：铸造多晶硅现在通称为（）。答案：mc-Si题目：铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。答案：热交换法题目：铸造多晶硅中的晶体掺杂可采用（）。答案：B2O3题目：最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。答案：四探针法题目：PCD方法可用于测量（）。答案：少子寿命多项选择题题目：大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。答案：防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破;吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险题目：工业硅生产过程中，要注意的是（）。答案：通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度;及时捣炉，帮助沉料;及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比;保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体题目：工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。答案：具有一定的机械强度，抗磨损;有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀;选择性高;具有较大的内表面，吸附容量大题目：关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。答案：生长时都需借助要采用籽晶;都需要采用真空气氛保护题目：关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。答案：放热反应;要加热到所需温度才能进行;温度升高后反而将影响产品收率题目：关于晶转说法正确的是（）。答案：在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动;过高的晶转会使固液界的形状太凹题目：关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。答案：被两条曲线分为三个区域题目：关于SiO说法正确的是（）。答案：SiO很容易发生化学反应;能在1500℃与C发生反应;温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到;能与氧气发生反应题目：硅烷法的特点是（）。答案：不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅;硅烷气体易于用吸附法提纯;硅烷易爆炸;易于分解为非晶硅题目：化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。答案：中间化合物的合成;中间化合物的分离提纯;中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅题目：晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。答案：点缺陷的产生;点缺陷的扩散;点缺陷的复合题目：具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。答案：〈210〉晶向{110}晶面族;{111}晶面族〈111〉晶向”题目：磷在硅中很容易去除，在于。答案：磷在硅熔液中很快得到蒸发;磷在硅中的分配系数小于1题目：石墨坩埚的寿命取决于（）。答案：在晶体生长过程中的受热程度;石墨坩埚的形状;承受的重量;石墨的材质题目：位错影响说法正确的是（）。答案：刃型位错也可能作为一排受主;刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子;位错能够改变载流子浓度;位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心题目：无坩埚区域提纯（）。答案：熔硅不会流动是由于其很大的表面张力;避免了坩埚的污染;也可用于晶体生长题目：以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。答案：化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发;物理．吸附的进行吸附是可逆的题目：由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。答案：通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度;晶体直径大;对多晶形状要求低;熔体稳定题目：直拉单晶炉的主室包括（）。答案：热绝缘筒和地盘;石墨坩埚;石墨加热器;石英坩埚题目：CZ法产生位错的环节和方式有（）。答案：籽晶中的位错延伸、增殖;籽晶表面损伤、机械磨损裂痕;晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力;单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力判断题题目：纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。答案：错题目：多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。答案：对题目：多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。答案：错题目：硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。答案：错题目：硅片切割得越薄，切割损耗也越多。答案：对题目：国内还不能生产铸造多晶硅的铸锭炉。答案：错题目：浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。答案：错题目：目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。答案：错题目：热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。答案：错题目：如果减少多晶硅铸锭炉的氮化硅喷涂工艺，可以降低成本。答案：错题目：太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀，腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。答案：对题目：太阳能行业用的硅片是不需要经过抛光的。答案：对题目：通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。答案：对题目：一般采用的是掺磷的n型多晶硅，而不是掺镓的p型多晶硅。答案：错题目：影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。答案：对题目：与高纯石英坩埚相比，高纯石墨坩埚的成本更低，但更可能引入碳污染和金属杂质污染。答案：对题目：在铸造多晶硅锭中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。答案：错题目：直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。答案：错题目：铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。答案：对题目：铸造多晶硅中的金属沉淀不会影响载流子浓度。答案：对题目：将测试方法与作用一一对应。（1）整流法一一[[3]]（2）四探针法一一[[2]]（3）光电导衰退法一一[[1]];[[1]]->{A.少子寿命/B.电阻率/C.导电型号}”“题目：将各工艺与能耗一一对应。（1）区熔单晶硅一一[[3]]（2）直拉单晶硅一一[[2]]（3）铸造多晶硅一一[[1]];[[1]]->{A.8～15kWh/Kg/B.18～40kWh/Kg/C.30kWh/Kg}”“题目：将各种硅生产工艺与特点一一对应。（1）mc-Si一一[[3]]（2）cz-Si一一[[2]]（3）fz-Si一一[[1]];[[1]]->{A.生产成本最高/B.对硅料的要求一般/C.转换效率一般最低}”“题目：将硅片参数与作用一一对应。（1）BOW一一[[1]]（2）TTV一一[[3]]（3）TIR一一[[2]];[[1]]->{A.弯曲度/B.平整度的一种量度/C.总厚度偏差}”“题目：将硅中的各种元素与影响一一对应。（1）B一一[[3]]（2）O一一[[1]]（3）H一一[[2]];[[1]]->{A.危害较大/B.有钝化效果/C.特意加入，形成掺杂}”“题目：将化学反应与作用一一对应。（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑一一[[1]]（2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O一一[[3]]（3）Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑一一[[2]];[[1]]->{A.去除硅表面的致密保护膜/B.碱腐蚀/C.酸腐蚀}”“题目：将抛光工艺与描述一一对应。（1）机械抛光法一一[[2]]（2）化学抛光法一一[[3]]（3）化学－机械抛光法一一[[1]];[[1]]->{A.现代半导体工业中普遍应用/B.采用细磨料颗料/C.硝酸与氢氟酸混合腐蚀液}”“题目：将清洗时试剂与作用一一对应。（1）无机酸一一[[1]]（2）有机溶剂一一[[3]]（3）过氧化氢一一[[2]];[[1]]->{A.去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质/B.对一些难溶物质转化为易溶物质/C.相似相溶}”“题目：将吸杂工艺与描述一一对应。（1）磷吸杂一一[[1]]（2）铝吸杂一一[[3]]（3）磷-铝共吸杂一一[[2]];[[1]]->{A.去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除/B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化/C.除杂效果最佳}”“题目：将制备方法与描述一一对应。（1）布里曼法一一[[1]]（2）热交换法一一[[2]]（3）浇铸法一一[[3]];[[1]]->{A.坩埚需升降/B.固液界面比较平稳/C.熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行}”配伍题答案：{C.导电型号}{B.电阻率}{A.少子寿命}答案：{C.30kWh/Kg}{B.18～40kWh/Kg}{A.8～15kWh/Kg}答案：{C.转换效率一般最低}{B.对硅料的要求一般}{A.生产成本最高}答案：{A.弯曲度}{C.总厚度偏差}{B.平整度的一种量度}答案：{C.特意加入，形成掺杂}{A.危害较大}{B.有钝化效果}答案：{A.去除硅表面的致密保护膜}{C.酸腐蚀}{B.碱腐蚀}答案：{B.采用细磨料颗料}{C.硝酸与氢氟酸混合腐蚀液}{A.现代半导体工业中普遍应用}答案：{A.去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质}{C.相似相溶}{B.对一些难溶物质转化为易溶物质}答案：{A.去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除}{C.除杂效果最佳}{B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化}答案：{A.坩埚需升降}{B.固液界面比较平稳}{C.熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行}

国开光伏电池材料第4次形考任务答案题目顺序是随机的，使用查找功能（Ctrl+F）进行搜索单项选择题题目：大π键说法正确的是（）。答案：苯环上6个碳原子各有1个未参加杂化的2p轨道，它们垂直于环的平面，并从侧面相互重迭而形成一个闭合的π键题目：二氧化钛的几种晶体结构中最适合用于太阳电池的是（）。答案：锐钛矿题目：非晶硅薄膜的厚度约为（）。答案：数百纳米题目：非晶硅的沉积温度为（）。答案：100～300℃题目：非晶硅的禁带宽度为（）。答案：1.5eV，并且在一定程度上可调题目：非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。答案：105℃/s题目：非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。答案：SiH4加B2H6题目：非晶硅太阳电池的转换效率约为（）。答案：10%题目：非晶硅最常用的生产方法是（）。答案：辉光放电分解气相沉积题目：关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（）。答案：晶粒越大越好题目：锐钛矿相二氧化钛晶体的禁带宽度为（）。答案：3.2eV题目：通常有机半导体中的导电电子是指（）。答案：离域π电子题目：铜铟镓硒薄膜太阳电池的禁带宽度（）。答案：1.02~l.67eV范围内可调题目：铜铟镓硒薄膜太阳电池最高转换效率的记录（）。答案：19.40%题目：以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（）。答案：非晶硅薄膜题目：铟储量最多的国家是（）。答案：中国题目：与光致衰减效应联系最紧密的元素是（）。答案：H题目：a-Si指（）。答案：非晶硅题目：PECVD所使用的主要原料是（）答案：SiH4题目：PECVD主要利用的是（）区域。答案：正离子柱区多项选择题题目：常用的多晶硅薄膜的制备方法有（）。答案：非晶硅晶化制备;利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜题目：对多晶硅薄膜的研究重点目前主要有（）。答案：制备电池的工艺和方法，以便选用低价优质的衬底材料;如何在廉价的衬底上，能够高速、高质量地生长多晶硅薄膜题目：二氧化钛的晶体结构有（）。答案：板钛矿;锐钛矿;金红石题目：非晶硅晶化制备多晶硅薄膜的途径有（）。答案：快速热处理晶化;激光热处理晶化;金属诱导固相晶化;固相晶化题目：非晶硅太阳电池成本低原因在于（）。答案：非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度;制备是在低温下进行;廉价的衬底材料题目：非晶硅太阳电池的多品种和多用途在于（）。答案：只要改变原材料的气相成分或者气体流量，便可使非晶硅薄膜改性题目：非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（）。答案：材料和制造工艺成本低;易实现柔性电池;易于形成大规模生产能力以及大面积化生产题目：关于光致衰减效应说法正确的是（）。答案：铸造多晶硅没有光致衰减;在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低;简称S-W效应;在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态题目：关于D/A界面说法正确的是（）。答案：D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差;类似于无机太阳电池中的PN结题目：化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。答案：热丝化学气相沉积制备多晶硅;低压化学气相沉积制备多晶硅;等离子增强化学气相沉积题目：辉光放电系统中的I-V特性曲线可分为（）阶段。答案：电弧放电;异常放电;汤森放电;正常放电题目：可用于多孔纳米晶薄膜的材料有（）。答案：TiO2;SnO2;ZnO题目：染料敏化太阳电池的基本结构包括（）。答案：电解质;对电极;染料敏化剂;多孔纳米晶薄膜题目：染料敏化太阳电池优点有（）。答案：较低的成本;可制得柔性器件;很好的装饰功能;简单的制备工艺题目：铜铟镓硒薄膜的制备方法有（）。答案：电沉积;印刷法;后硒化;多元分步蒸发题目：旋涂成膜存在的问题有（）。答案：溶解性;溶剂残留;薄膜的均匀性难以保证;挥发性题目：有机半导体薄膜成膜技术包括（）。答案：丝网印刷技术;有机气相沉积法;真空热蒸发沉积;旋转涂层法题目：有机太阳电池产生电流的流程（）。答案：运输到D/A界面处;电子空穴分离;产生激子;吸收光子题目：有机太阳电池的层状三明治迭层结构包括（）。答案：负电极;透明衬底;正电极;有机半导体薄膜层题目：有机太阳电池基本的结构模型有（）。答案：双层异质结结构;单层同异质结结构;单层混合膜异质结结构判断题题目：苝衍生物是一种应用较多的光敏剂和A型材料，在450到600nm波段内具有较强的吸收，在光照条件下稳定性好，成本低。答案：对题目：单晶硅与多晶硅的物理特性是各向异性，而非晶硅的物理特性是各向异性答案：错题目：碲的材料供应可能会成为碲化镉薄膜太阳电池的材料瓶颈。答案：错题目：非晶硅材料与晶体材料不同之处在于它的原子结构排列不是长程有序。答案：错题目：非晶硅的结构决定了它的物理性质也是具有各向同性的。答案：对题目：非晶硅是间接带隙结构。答案：错题目：非晶硅太阳电池生产出来以后，转换效率不会随时间发生改变。答案：错题目：非晶硅太阳电池中也存在晶体硅太阳电池中一样的pn节结构。答案：错题目：高纯硅原料价格增加，对薄膜太阳电池的成本影响不大。答案：对题目：晶体硅太阳电池和非晶硅太阳电池都可以做成柔性太阳电池。答案：错题目：晶体硅与非晶硅薄膜太阳电池都是间接带隙结构，而铜铟镓硒太阳电池是直接带隙结构。答案：错题目：随着非晶硅中氢含量的增加，其能隙宽度从1.5eV可以增加到1.8eV。答案：对题目：酞菁类化合物是典型的D型有机半导体。答案：对题目：铜铟镓硒具有高达6*10cm-l的吸收系数，这是到目前为止所有半导体材料中的最低值。答案：错题目：一般而言，衬度温度在200～300℃，功率在300～500W/m2时，比较适宜制备非晶硅。答案：对题目：用于制备多孔纳米晶薄膜的二氧化钛具体指锐钛矿相二氧化钛。答案：对题目：有机太阳电池中电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主（Donor，简称D型材料），相当于无机半导体中的P型材料。答案：对题目：在150～200℃热处理，可以使得因为S-W效应而效率降低的非晶硅太阳电池恢复原来的状态。答案：对题目：在合适的热处理条件下，非晶硅可以转化为多晶硅、微晶硅和纳米硅。答案：对题目：PECVD技术即可用于非晶硅薄膜太阳电池的制备，也可用于多晶硅薄膜太阳电池的制备。答案：对题目：将太阳电池与其禁带宽度一一对应。（1）非晶硅一一[[1]]（2）铜铟镓硒一一[[2]]（3）碲化镉一一[[3]];[[1]]->{A.1.5eV/B.1.04eV/C.1.45eV}”“题目：将太阳电池与转换效率一一对应。（1）单晶硅太阳电池一一[[2]]（2）非晶硅薄膜太阳电池一一[[3]]（3）有