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文档简介

HTR-4立式4寸快速退火炉HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，技术指标高、工艺复杂、专用性强。主要应用领域：1.快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；2.离子注入/接触退火；3.金属合金；4.热氧化处理；5.化合物合金（砷化镓、氮化物等）；6.多晶硅退火；7.太阳能电池片退火；8.高温退火；9.高温扩散。产品特点：可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。快速控温与高真空：最高升温速率可达150℃/s，真空度最高可达到10-5Pa。程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性≤1%。全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。主要技术参数：最大样品尺寸4英寸（直径100mm）控温范围RT~1200℃升温速率（max）150℃/s高温段降温速率（max）1200℃/min控温精度±0.5℃温场均匀性≤1%

气体流量标配1路MFC控制（氮气）可扩展至4路压力控制~1bar，±100Pa工艺

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