第5章陶瓷金属化与封接课件

陶瓷金属化与封接

MetallizingandJoining第五章.陶瓷金属化与封接

MetallizingandJoini1第一节

特种陶瓷的金属化.第一节

特种陶瓷的金属化.2陶瓷金属化的目的导电连接，例如电容器电极的引出陶瓷与金属材料封接的过渡层表面改性.陶瓷金属化的目的导电连接，例如电容器电极的引出.3一、被银法也称为浸银法。形成电容器、滤波器等的导电网络银的导电性优良，抗氧化和腐蚀能力强，与陶瓷热膨胀系数接近，结合牢固，工艺简单在高温和电场作用下，容易迁移，使电性能不稳定.一、被银法也称为浸银法。形成电容器、滤波器等的导电网络.4被银前瓷件的预处理~80℃肥皂水和清水的清洗，然后超声波清洗，去除油污，最后烘干有些产品可以采用溶剂（蒸汽）清洗对洁净度要求较高时，可以在电炉中于~550℃煅烧.被银前瓷件的预处理~80℃肥皂水和清水的清洗，然后超声波清洗5银浆组成含银的原料：Ag2O、Ag2CO3及Ag粉溶剂：使烧银温度降低到850℃以下，并改善结合强度，例如采用硼酸铅等粘合剂：使银浆具有良好的流变性能，易于均匀附着在瓷件的表面，包括树脂（黏结作用）、溶剂（溶解树脂）和油（调节触变性）.银浆组成含银的原料：Ag2O、Ag2CO3及Ag粉.6烧银过程中的物理化学变化银化合物分解温度350~500℃最高烧银温度低于910℃快速冷却获得细晶组织的银层.烧银过程中的物理化学变化银化合物分解温度350~500℃.7几种银浆的配方.几种银浆的配方.8二、Mo-Mn金属化电真空陶瓷金属化的常用方法去污清洗涂金属化浆保护气氛下金属化烧成镀镍焊接.二、Mo-Mn金属化电真空陶瓷金属化的常用方法去污清洗涂金属9几种典型的Mo-Mn金属化浆料配方.几种典型的Mo-Mn金属化浆料配方.10影响封接质量的主要因素表面洁净度：彻底去污，必要时在850~1150℃下煅烧30min去污玻璃含量高，烧结致密，晶粒较大容易金属化一般黏结剂采用硝棉（硝化纤维——Nitrocellulose与醋酸丁脂的溶液）、醋酸丁脂、草酸二乙脂配制.影响封接质量的主要因素表面洁净度：彻底去污，必要时在850~11金属化烧成的气氛一般在钼丝炉中进行，采用氢气气氛要求氢气中含有少量的氧，如果采用空气，总气体中氧含量0.25~1%如果采用水气，总气体露点为0~30℃，一般是将氢气通过室温的水，然后送入炉子中。金属化温度比瓷烧成温度低30~100℃.金属化烧成的气氛一般在钼丝炉中进行，采用氢气气氛.12镀镍金属化后，需要镀镍才能进行焊接镀镍一般采用电化学镀，例如滚镀，厚度4~6um。如果必要，需要在干燥的氢气下于1000℃烧结~20min，以提高结合强度.镀镍金属化后，需要镀镍才能进行焊接.13金属化机理Mn首先被氧化成为MnO，在~800℃完成MnO在高温下进入烧结的Mo层，并陶瓷结合，例如形成尖晶石Mo被轻度氧化，也部分参与反应，最后导致结合强度提高.金属化机理Mn首先被氧化成为MnO，在~800℃完成.14三、陶瓷与可伐合金封接可伐合金为Fe-Ni-Co采用Mo-Mn金属化