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文档简介

真空导电电镀介绍EMI镀膜主要分类有两大种类：蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜，具体则包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，溶胶凝胶法等等蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。

厚度均匀性主要取决于：

1、基片材料与靶材的晶格匹配程度

2、基片表面温度

3、蒸发功率，速率

4、真空度

5、镀膜时间，厚度大小。

组分均匀性：

蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。

晶向均匀性：

1、晶格匹配度

2、基片温度

3、蒸发速率

溅射类镀膜利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜Ar基板Pump抽真空靶材(Ni)電極Ar+ArArArArAr1.真空中通入氬氣(Ar)，含有微量的氬離子(Ar+)。8.若氬氣持續通入，則電漿持續產生。濺鍍原理電源供應器2.於電極板加負高壓電。3.帶正電的氬離子

(Ar+)

被負高壓電吸引。Ale-4.Ar+撞擊靶材產生電子(e-)及轟擊出镍原子(Nl)。Ar+e-e-5.e-撞擊Ar→Ar++e-+e-。Al6.鋁原子沉積在素材基板上。7.Ar+重複3.~6.。鍍膜參數介紹氣體壓力製程氣體通量鍍膜功率鍍膜時間使用靶數T/S(Target/Substrate)距離氣體壓力(一)壓力低→腔體內部氣體粒子少→撞擊靶材的Ar+變少壓力高→腔體內部氣體粒子多→Ar+變多→Ar+到達靶材前碰撞其他粒子機率變大→靶原子到達基板前與氣體碰撞的機率變大Ar低真空鍍膜Al

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