光电技术 第5版 课件 第8章8.1节 图像传感器简介

第8章

图像信息的光电变换

8.1图像传感器简介8.1.1图像传感器发展历史完成图像信息光电变换的功能器件称为光电图像传感器。光电图像传感器的发展历史悠久，种类很多。早在1934年就成功地研制出光电摄像管（Iconoscope），用于室内外的广播电视摄像。但是，它的灵敏度很低，信噪比很低，需要高于10000lx的照度才能获得较为清晰的图像。使它的应用受到限制。1947年制出的超正析像管（ImaigeOrthico），的灵敏度有所提高，但是最低照度仍要求在2000lx以上。1954年投放市场的高灵敏视像管（Vidicon）基本具有了成本低，体积小，结构简单的特点，使广播电视事业和工业电视事业有了更大的发展。

1965年推出的氧化铅视像管(Plumbicon)成功地取代了超正析像管，发展了彩色电视摄像机，使彩色广播电视摄像机的发展产生一次飞跃。诞生了1英寸，1/2英寸，甚至于1/3英寸（8mm）靶面的彩色摄像机。然而，氧化铅视像管抗强光的能力低，余辉效应影响了它的采样速率。

1976年，又相继研制出灵敏度更高，成本更低的硒靶管（Saticon）和硅靶管（Siticon）。不断满足人们对图像传感器日益增长的需要。

1970年，美国贝尔电话实验室发现的电荷耦合器件（CCD）的原理使图像传感器的发展进入了一个全新的阶段。CCD图像传感器不但具有固体器件的所有优点，它自扫描输出方式消除了电子束扫描造成的图像的非线性失真。CCD图像传感器的诞生和发展使人们进入了更为广泛应用图像传感器的新时代。利用CCD图像传感器人们可以近距离的实地观测星球表面的图像，可以观察肠、胃耳、鼻、喉等器官内部的病变图像信息，可以观察人们不能直接观测的图像。CCD图像传感器目前已经成为图像传感器的主流产品。CCD图像传感器的应用研究成为当今高新技术的主流课题。

它推动了广播电视、工业电视、医用电视、军用电视、微光与红外电视技术的发展，带动了机器视觉的发展，促进了公安刑侦、交通指挥、安全保卫等事业的发展。

8.1.2图像传感器的分类

按工作方式分图像传感器有两类扫描型和直视型。通过电子束扫描或数字电路的自扫描方式将二维光学图像转换成一维时序信号输出出来。代表图像信息的一维信号称为视频信号。视频信号可通过信号放大和同步控制等处理后，通过相应的显示设备还原成二维光学图像信号。

视频信号的产生、传输与还原过程中都要遵守一定的规则才能保证图像信息不产生失真，这种规则称为制式。

如广播电视系统中遵循的规则被称为电视制式。数字图像传输与处理过程中根据计算机接口方式的不同也规定了许多制式。

扫描型图像传感器输出的视频信号可经A/D转换为数字信号，存入计算机，并在软件的支持下完成图像处理、存储、传输、显示及分析等功能。

扫描型图像传感器的应用范围远远超过直视型图像传感器的应用范围。直视型图像传感器用于图像的转换和增强。将入射辐射图像通过外光电转化为电子图像，再由电场或电磁场的加速与聚焦进行能量的增强，并利用二次电子的发射作用进行电子倍增，最后将增强的电子图像激发荧光屏产生可见光图像。本章主要讨论从光学图像到视频信号的转换原理，即图像传感器的基本工作原理和典型应用问题。

8.2光电成像原理与电视制式8.2.1光电成像原理如图8-1所示为光电成像系统的基本原理方框图。光电成像系统常被分成摄像系统与图像显示系统两部分。摄像系统由光学成像系统、光电变换系统、同步扫描和图像编码等部分构成，输出全电视视频信号。1.摄像机的基本原理

在外界照明光照射下或自身发光的景物经成像物镜成像在物镜的像面上，形成二维空间光强分布的光学图像。

光电图像传感器完成将光学图像转变成二维“电气”图像的工作。

组成一幅图像的最小单元称为像元，像元的大小或一幅图像所包含的像元数决定了图像的分辨率，分辨率越高，图像的细节信息越丰富，图像越清晰，图像质量越高。

即图像分割得越细，图像质量越高。

高质量的图像来源于高质量的摄像系统，其中主要是高质量的光电图像传感器。

2.图像的分割与扫描分割图像的方法有很多，超正析像管利用电子束扫描光电阴极方法分割像元；面阵CCD、CMOS图像传感器用光敏单元分割。被分割后的电气图像经扫描输出一维时序信号，扫描的方式也与图像传感器的性质有关。面阵CCD采用转移脉冲方式将电荷包输出一维时序信号；CMOS图像传感器采用顺序开通行、列开关的方式完成像元信号的一维输出。面阵CCD、CMOS图像传感器以自扫描方式输出电信号。CRT监视器或电视接收机的显像管是利用电磁场使电子束偏转实现行与场扫描，对于行、场扫描的速度、周期等参数进行严格的规定，才能显示理想的图像。

如图8-2（a）所示为亮度按正弦分布的光栅图像，电子束扫描一行将输出如图8-2（b）正弦时序信号，其纵坐标为与亮度L有关的电压U，横坐标为扫描时间t。若图像的宽度为W，图像在x方向的亮度分布为Lx，设正弦光栅图像的空间频率为fx。电子束从左向右扫描（正程扫描）的时间频率f应为

式中thf为行扫描周期，而W/thf应为电子束的行扫描速度，记为vhf，式可改写为

f=fx·vhfCCD与CMOS只有遵守上述的扫描方式才能替代电子束摄像管，因此，CCD与CMOS的设计者均使其自扫描制式与电子束摄像管相同。8.2.2电视制式电视图像发送与接收系统中，图像的采集与图像显示器必需遵守同样的规则才有理想图像的传输。该规则被称为电视制式。

电视制式根据当时科技发展状况和技术条件，考虑本国或本地区电网对电视系统的干扰情况及人眼的视觉感受和人们对图像的要求等条件制定。

目前，世界正在应用的电视制式一般有三种：

我国以及西欧各国的彩色电视制式，该电视制式确定的场频为50Hz，隔行扫描每帧扫描行数为625行，伴音、图像载频带宽为6.5MHz。也称为PAL彩色电视制式。PAL电视制式规定场周期为20ms,其中场正程时间为18.4ms,场逆程时间为1.6ms；行频为15625Hz，行周期为64μs,行正程时间为52μs,行逆程时间为12μs。1.PAL彩色电视制式（1）电视图像的宽高比若用W和H表示电视显示图像的宽度和高度，二者之比称为图像的宽高比，用α表示（2）帧频与场频每秒中电视屏幕变化的数目称为帧频。我国电网频率为50Hz，因此，采用了50Hz场频和25Hz帧频的隔行扫描的PAL电视制式。

2.扫描方式（3）扫描行数与行频帧频与场频确定后，电视扫描系统中还需要确定的参数是每场扫描的行数，或电子束扫描一行所需要的时间，又称为行周期。行周期的倒数称为行频。

我国现行电视制式（PAL制式）的主要参数为：宽高比α=4/3；场频fv=50Hz；行频fl=15625Hz；场周期T=20ms，其中场正程扫描时间为18.4ms，逆程扫描时间为1.6ms。行周期为64μs，行正程扫描时间为52μs，逆程扫描时间为12μs。

（1）逐行扫描显像管的电子枪装有水平与垂直两个方向的偏转线圈，线圈中分别流过如图8-3所示的锯齿波电流，完成对荧光屏的扫描。

电子束扫描轨迹如图8-4所示，使图像逐行显示出来。

逐行扫描图像清晰度高，但是电子束必须在一帧时间内扫完，速度必然很快。（2）隔行扫描根据人眼对图像分辨能力确定扫描的水平行数至少应大于600行，这对于逐行扫描方式，行扫描频率必须大于29000Hz才能保证人眼视觉对图像的最低要求。高行扫描频率，无论对摄像系统还是对显示系统都提出更高的要求。为降低行扫描频率，又保证人眼视觉对图像分辨率及闪耀感的要求，早在上世纪初，人们就提出了隔行扫描分解图像和显示图像的方法。如图8-5所示，将两场光栅均匀交错叠加是对隔行扫描方式的基本要求，否则图像的质量将大为降低。隔行扫描必须满足下面两个要求：第一，要求下一帧图像的扫描起始点应与上一帧起始点相同，确保各帧扫描光栅重叠；第二，要求相邻两场光栅均匀地镶嵌，确保获得最高的清晰度。从第一条要求考虑，每帧扫描的行数应为整数，若在各场扫描电流都一样的情况下，要满足第二条要求，每帧均应为奇数。那末，每场的扫描行数就要出现半行的情况。8.4电荷耦合器件

8.4.1线阵CCD图像传感器我国现行的隔行扫描电视制式是每帧扫描行数为625行，每场扫描行数为312.5行。CCD（ChargeCoupledDevices，）图像传感器主要有两种基本类型，一种为信号电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面进行转移的器件，称为表面沟道CCD器件；另一种为信号电荷包存储在距离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向转移的器件，称为体沟道或埋沟道器件（简称为BCCD）。下面以SCCD为例讨论CCD的基本工作原理。

1.电荷存储构成CCD的基本单元是如图8-6（a）MOS结构。在栅极G施加电压UG之前p型半导体中空穴（多数载流子）的分布是均匀的。当栅极施加正电压UG小于等于p型半导体的阈值电压Uth时，p型半导体中的空穴将被排斥，并在半导体中产生如图8-15（b）所示耗尽区。

UG继续增加，耗尽区将继续向半导体体内延伸，如图8-6（c）所示。UG大于Uth后，耗尽区的深度与UG成正比。将半导体与绝缘体界面上的电势记为表面势Φs，Φs将随栅极电压UG的增加而增加，他们的关系曲线如图8-7所示。图8-7描述了在掺杂为1021cm-3，氧化层厚度为0.1μm、0.3μm、0.4μm和0.6μm情况下，不存在反型层电荷时

，表面势Φs与栅极电压UG的关系曲线。Φs与UG的关系曲线可以看出厚度越薄曲线的直线性越好；在同样栅极电压UG作用下，不同厚度氧化层有着不同的表面势。表面势Φs表征了耗尽区的深度。

图8-8为UG不变的情况下，Φs与Qinv之间的关系。可见，Φs随Qinv的增加而线性减小。依据图8-7与图8-8的关系曲线，很容易用半导体物理中的“势阱”概念来描述。电子所以被加有栅极电压的MOS结构吸引到交界面处，因为那里的势能最低。在没有反型层电荷时，势阱的“深度”

UG的关系恰如Φs与UG的关系，如图8-9（a）空势阱的情况。

Q=COXUG

2.电荷耦合本节以三相CCD电极在三相驱动脉冲作用下如何通过变化的势阱驱使电荷做定向转移的。3.CCD的电极结构图8-11二相电极结构图8-12四相电极结构目前所采取的转移电极结构通常为如图8-11与图8-12所示的二相与四相电极结构，靠电极结构的不对称性形成非对称势阱驱使电荷定向转移。数字信号4.电荷的注入和检测

当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。光注入方式又可分为正面照射式与背面照射式。图8-13所示为背面照射式光注入的示意图。CCD摄像器件的光敏单元为光注入方式。光注入电荷（1）光注入图8-13

背光照射式光注入示意图Qin=ηqNeoAtcη为材料的量子效率；q为电子电荷量；

Neo为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积；tc为光的注入时间。（2）电注入

(1)电流注入法

(2)电压注入法

如图8-14（a）所示为电流注入法结构如图8-14（b）所示为电压注入法结构（3）电荷的检测(输出方式)输出电流Id与注入到二极管中的电荷量QS的关系