低温溶液法制备NiO-x插层构筑高效量子点发光二极管

低温溶液法制备NiO_x插层构筑高效量子点发光二极管

引言

量子点发光二极管（QLEDs）作为一种新型的显示和照明技术，已经吸引了广泛的研究兴趣。QLEDs具有高颜色饱和度、高亮度、宽色域、快速响应和低能耗等优点，被认为是未来显示和照明的理想选择。其中，量子点（QDs）作为发光层的材料，其光电性能的优化对于提高QLEDs的性能起着至关重要的作用。近年来，一种新型的材料NiO_x插层被引入到QDs材料中，通过调节插层的性质，可以显著改善QLEDs的性能。本文将介绍低温溶液法制备NiO_x插层的方法和其在高效量子点发光二极管中的应用。

低温溶液法制备NiO_x插层

低温溶液法制备NiO_x插层是一种简单且可扩展的方法。首先，将镍盐（如NiCl2）和还原剂（如乙二胺）溶解在高沸点的溶剂中，形成镍离子和还原剂的溶液。然后，在QDs薄膜上涂覆一层镍离子和还原剂的溶液，通过热退火或紫外光照射等方法，将镍离子还原为NiO_x插层。这种低温溶液法不仅简单易行，而且能够在低温下完成制备过程，避免了对QDs材料的热失配和晶体结构的破坏。此外，这种方法还可以控制NiO_x插层的厚度和性质，从而对QLEDs的性能进行调控。

NiO_x插层对高效量子点发光二极管的影响

NiO_x插层可以在两个方面改善QLEDs的性能：一方面，NiO_x插层可以提高载流子注入效率；另一方面，NiO_x插层还可以提高光子产生效率。

首先，NiO_x插层可以提高载流子注入效率。在常规的QLEDs中，由于能带失配和电荷隧穿效应的存在，载流子注入效率较低。而NiO_x插层具有适当的能带结构和良好的导电性，可以促进载流子的注入，从而提高发光二极管的效率。

其次，NiO_x插层可以提高光子产生效率。由于量子点的发光效率受到表面缺陷和非辐射淬灭的影响，因此提高光子产生效率是改善QLEDs性能的关键。研究表明，NiO_x插层可以在一定程度上修复量子点的表面缺陷，并有效抑制非辐射失活，提高发光效率。

NiO_x插层应用于高效量子点发光二极管

将NiO_x插层应用于高效量子点发光二极管的制备中，可以显著提高其性能。以CdSe/CdS核壳结构的量子点为例，通过低温溶液法制备NiO_x插层，可以在QLEDs中获得更高的亮度和更高的发光效率。研究发现，CdSe/CdS量子点在NiO_x插层的帮助下，其光电转换效率提高了约30％，同时还显著提高了发光的稳定性和可靠性。

另外，NiO_x插层还可以改善QLEDs的色坐标和色纯度。通过调控NiO_x插层的厚度和性质，可以实现量子点发射的色纯度和色坐标的调控。研究人员通过控制NiO_x插层的厚度，成功地实现了从蓝色到红色的调变，且调变过程中保持了较高的发光效率。

结论

低温溶液法制备NiO_x插层是一种简单且可扩展的方法，可用于构筑高效量子点发光二极管。NiO_x插层具有改善载流子注入效率和提高光子产生效率的作用。通过应用NiO_x插层，QLEDs可以实现更高的亮度、更高的发光效率和更好的色纯度。未来，随着对NiO_x插层的研究的深入和完善，QLEDs的性能还将进一步提升，为显示和照明领域带来更加优异的表现通过将NiO_x插层应用于高效量子点发光二极管的制备中，可显著提高其性能。在CdSe/CdS核壳结构的量子点QLEDs中，NiO_x插层可提高光电转换效率约30％，同时增强发光的稳定性和可靠性。此外，NiO_x插层还能改善QLEDs的色坐标和色纯度，通过调节插层厚度和性质，可实现量子点发射的色纯度和色坐标的调控。低温溶液法制备NiO