《新能源汽车电力电子技术》 习题及答案 第二章 第三节 功率场效应晶体管认知（有答案）

第二、三节功率晶体管与功率场效应晶体管认知一、选择题1.根据功率场效应晶体管的转移特性，当栅极电压U小于开启电压U时，功率场效应晶体管MOSFET处于（D）状态。A.放大B.击穿C.截止D.导通2.GTR的半导体分别是（C）。A.引出集电极和基极B.引出集电极和发射极C.引出集电极﹑基极和发射极D.基极和发射极3.PN结是（B）。A.集电结B.集电结和发射结C.集电结或发射结D.发射结4.GTR的基本工作原理与普通的双极结型晶体管是（D）。A.不—样的B.—样的C.差不多D.以上都不是5.GTR的集电极和发射极施加正向电压后，基极正偏（ibA.通过B.导通C.断开D.休息6.GTR的集电极和发射极施加正向电压后，反偏（ibA.休息B.稳定C.导通D.截止7.给GTR的基极施加幅值足够大的脉冲驱动信号，它将工作于（C）的开关状态。A.导通B.截止C.导通或截止D.导通和截止8.GTR工作在开关状态，即工作在（A）。A.截止区或饱和区B.截止区和未饱和区C.截止区D.饱和区9.当BE结合CB结均正偏时，（C）。

A.功率晶体管处于缩小模式B.功率晶体管处于截止模式C.功率晶体管处于饱和模式D.功率晶体管处于放大模式

10.当BE结零偏或反偏、CB结反偏时，（B）。

A.功率晶体管处于缩小模式B.功率晶体管处于截止模式C.功率晶体管处于饱和模式D.功率晶体管处于放大模式11.目前常用的GTR器件有（B）。A.单管和模块B.单管、达林顿管和模块C.达林顿管和模块D.单管和达林顿管12.（C）扩散台面型NPN结构是单管GTR的典型结构。A.一重B.二重C.三重D.四重13.GTR开关过程有（D）。A.开通过程、导通状态B.关断过程、阻断状态、导通状态C.开通过程、导通状态、阻断状态D.开通过程、导通状态、关断过程、阻断状态14.由于GTR在导通和关断过程中都要经过放大区，因此应尽可能缩短开关时间，（B）开关损耗。A.增大B.减小C.不影响D.影响15.如果（A）中由一项或多项阻值无穷大或为0，则晶闸管是坏的。A.Rak、Rka、Rgk、RkgB.Rak、Rka、RgkC.Rak、Rka、RkgD.Rak、Rgk、Rkg16.功率场效应晶体管称为（A）。A.电力场效应晶体管或电力场控晶体管B.电力场效应晶体管C.电力场控晶体管D.电力场效应晶体管或电力场晶体管17.功率场效应晶体管具有（B）等特点。A.驱动功率小、开关速度高、安全工作区宽B.驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽C.驱动功率小、开关速度高、无二次击穿D.驱动功率小、无二次击穿、安全工作区宽18.MOSFET种类和结构较多，按导电沟道可分为（C）。A.P沟道和S沟道B.S沟道和N沟道C.P沟道和N沟道D.P沟道和T沟道19.在功率MOSFET中，应用较多的是（C）沟道增强型。A.SB.PC.ND.T

20.功率MOSFET导电机理与小功率MOS管（B），但在结构上有较大区别。

A.不相同B.相同C.差不多D.以上说法都不对21.功率MOSFET又称（A）。A.VMOSFETB.VMOSFECC.VMOSFEPD.VMOSFEU22.功率MOSFET引出的电极有（D）。A.栅极G和源极SB.漏极D和源极SC.栅极G和漏极DD.栅G、漏极D和源极S23.当栅源极间电压为零时，若漏源极间加（B）电源，P基区与N区之间形成的PN结反偏。A.负B.正C.阴D.以上都不对24.若在栅源极间加（B）电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。。A.负B.正C.阴D.阳25.晶闸管静态特性指是指晶闸管器件端（A）的关系。。

A.电压与电流B.电压或电流C.电压D.电流26.转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的（C）。

A.阳极伏安特性B.门极伏安特性C.转移特性关系曲线D.以上都不对27.转移特性可表示出器件的（B）能力，并且是与GTR中的电流增益β相似。

A.缩小B.放大C.改变D.减小28.功率场效应管的开通时间为（C）。A.ton=td（on）*trB.ton=td（on）-trC.ton=td（on）十trD.ton=td（on）/tr29.功率场效应管的关断时间（C）。A.toff=td（off）*tfB.toff=td（off）-tfC.toff=td（off）十tfD.toff=td（off）/tf30.要提高器件的开关速度，则必须（A）开关时间。A.减小B.增大C.扩大D.以上都不对31.功率场效应管是压控器件，在静态时（C）输入电流。A.不B.可能C.几乎不D.可以32.但在开关过程中，需要对输入电容进行充放电，故仍需要一定的（D）。A.功率B.电容功率C.电流功率D.驱动功率33.工作速度越快，需要的驱动功率（C）。A.越小B.不变C.越大D.变小34.用（A）挡测任意两脚1，2之间的正反向电阻，如果有两次或两次以上都很小，则为坏管子。A.R×1kB.R×2kC.R×3kD.R×4k35.功率场效应晶体管的测试中用（A）挡测任意两引脚之间的电阻。A.R×100ΩB.R×200ΩC.R×300ΩD.R×400Ω36.下列不属于功率场效应晶体管特点的是（B）。A.电压型控制器件B.适用于大功率场合C.输入阻抗高D.电路简单37.晶闸管的伏安特性曲线有（C）。A.正向特性B.反向特性C.A、B均是D.A、B均不是38.晶闸管正向特性表述正确的是（C）。A.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压增大

B.只要门极电流幅值大于1mA，晶闸管承受正向电压时就导通

C.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低D.以上都不对39.晶闸管反向特性表述正确的是（B）。A.晶闸管加反向电压时，只要门极电流幅值较大，则晶闸管反向导通

B.反向特性类似二极管的反向特性

C.晶闸管加反向电压时，只要门极也加反向电压，则晶闸管反向导通D.以上都不对二、判断题1.GTR是由3层半导体形成的两个PN结构成，和小功率三极管一样。（√）2.GTR通常采用NPN结构。（√）3.GTR的集电极和发射极施加正向电压后，基极正偏（ib＞0）时处于导通状态；反偏（ib4.给GTR的基极施加幅值足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通或截止的开关状态。（√）5.功率场效应晶体管不是一种单极型的电压控制器件。（×）6.结构能大大提高器件的耐压和通流能力，所以功率MOSFET又称VMOSFET。（√）7.开通过程中，tr表示上升时间。td与tr两者之和为开通时间ton，一般开通时间为微秒数量级。（√）8.功率MOSFET引出的三个电极分别为栅极G、漏极D和源极P。（×）9.功率场效应晶体管有自关断能力，而且还具有驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。（√）10.转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的转移特性关系曲线。（√）11.当栅极电压为零时漏源极间存在导电沟道的称为耗尽型。（√）12.由于GTR在导通和关断过程中都要经过放大区，而放大区的功耗很大。（√）13.使用万用表测试晶闸管阳极A和阴极K之间的正反电阻值，并记录为Rak和Rka。（√）三、填空题功率场效应晶体管也称为电力场效应晶体管或电力场控晶体管。MOSFET种类和结构较多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道。晶闸管静态特性又称为晶闸管伏安特性。晶闸管静态特性指是指晶闸管器件端电压与电流的关系。。转移特性表示漏极电流与栅源之间电压的转移特性关系曲线。功率场效应管是压控器件。GTR的基本工作原理用基极电流控制集电极电流的电流控制型器件。给GTR的基极施加幅值足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通或截止的开关状态。GTR有PNP和NPN两种类型。四、问答题1.简述功率晶体管测试答：①使用万用表测试晶闸管阳极A和阴极K之间的正反电阻值，并记录为Rak和Rka；②断开电路，将负载电阻R2改为10千欧姆。更换后合上电路。用万用表测试输出电压U0；③万