2024年通信电子计算机技能考试-平板显示技术历年考试高频考点试题附带答案

2024年通信电子计算机技能考试-平板显示技术历年考试高频考点试题附带答案（图片大小可自由调整）第1卷一.参考题库(共25题)1.简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。2.简述氧化物薄膜晶体管驱动OLED的优势，以及当前的研究热点？3.简述真空掩膜蒸镀技术实现红绿蓝像素并置全彩色方案的工艺流程。4.试画出9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的等效电路图。5.简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。6.简述扭曲效应显示器件和超扭曲向列液晶显示器工作原理的差异。为什么采用超扭曲向列效应的液晶显示板能增大液晶显示屏的行数？7.请画出常白型TN液晶显示器的显示原理图，并简述显示原理。8.简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。9.描述MVA技术如何实现的广视角？10.简述2T1C驱动原理及面临的问题。11.简述单像素双畴FFS模式的实现的原理。12.LED主要制作工艺是怎样的？13.简述提高IGZOTFT性能的方法。14.简述柔性显示面临的技术瓶颈。15.简述LED背光源的优势。16.简述Förster能量转移和Dexter能量转移的差别。17.简述无源矩阵驱动的原理。18.举例说明多畴模式的作用？19.简述MVA技术的显示原理。20.源漏电极很多工厂采用的复层材料Mo/Al/Mo，试分析上下层Mo的作用。21.简述有机发光二极管限制发光效率的因素以及提高效率的办法。22.激光显示技术的发展前景将会如何？23.LED背光源采用的是白光LED，还是RGB三基色LED，哪种更有优势？24.试根据5次光刻的工艺流程绘制等效电路。25.哪种模块工艺更适合制作精细线路？为什么？第2卷一.参考题库(共25题)1.简述漏光产生的原因。2.简述银点胶和边框胶的作用。3.不同种类的液晶材料是不是都能应用到显示中？在各种类型的显示中，液晶材料是不是可以互换？请举一个例子分析为什么？4.简述PI膜的形成过程。5.简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。6.简述彩膜的基本结构及各部分的作用。7.简述液晶材料的物理性质对显示性能的影响。8.什么是多点触控技术？简述多点触控技术的特点。9.非晶硅半导体有什么特点？非晶硅是哪种半导体？10.为什么说PVA技术有降低亮点的可能性？还有那些技术可以降低亮点呢？11.主导TFT器件工作的半导体现象是什么？它的物理意义和主要影响参数？为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用，从半导体的角度应该提高什么，降低什么？12.简述晶体与非晶材料在导电上的差别？13.简述叠层存储电容的组成及等效电路。14.简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。15.简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。16.简述小分子OLED与高分子PLED的优缺点。17.简述彩膜的工艺流程。18.简述PVA技术和MVA技术的主要不同。19.描述彩色光的3个基本参量是什么？各是什么含义？20.彩色电视传送色差信号比直接传送基色信号有什么优越性？21.简述阵列工艺的基本工艺流程。22.简述能量转移再复合发光的优点。23.简述电流复制型和电流镜电路的驱动原理。24.简述存储电容的作用。25.简述PE和RIE设备的不同点。第3卷一.参考题库(共25题)1.试分析如何减少绝缘膜的针孔及工业上采用的方法。2.描述采用ODF工艺的制屏工艺流程。3.为什么ODF工艺更适合5代线以上的生产线？4.OLED如何实现彩色显示？5.简述TN型液晶显示器的显示原理。6.简述OLED产业化的面临的问题？你认为有什么解决办法？7.荧光粉厚度对显示性能的影响是什么？8.简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。9.简述FFS技术中电极和电场的特点。10.简述液晶显示器残像产生的原因。11.简述液晶显示器的分类及英文缩写。12.简述有机发光显示的特点。13.画出阵列基板单元像素的平面图形及等效电路，简述其结构。14.简述激光光阀显示的结构及显示原理。15.简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？16.简述AMOLED驱动的最关键的TFT性能要求。17.试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？18.简述PDP多灰度级显示的实现方法。19.简述电容式触摸屏的优点。20.简述背沟道阻挡结构的优缺点。21.用对比的方法描述ODF与传统液晶注入方式主要的差别。22.简述ACF的作用。23.简述有机材料和无机半导体材料的相同点和不同点。24.以ITO阳极-空穴传输层-发光层-电子传输层-金属阴极结构OLED为例说明每一功能层的作用，并简述其工作原理。25.简述液晶显示器亮度决定因素有哪些？并计算分析实际亮度能达到多少？第1卷参考答案一.参考题库1.参考答案:物理作用的刻蚀类似于溅射成膜的原理，利用惰性气体的辉光放电产生带正电的离子，在电场作用下加速吸引到下电极上面的基板上，轰击刻蚀薄膜的表面，将薄膜原子轰击出来的过程。常用的惰性气体有氦气（He）、氩气（Ar）等。作用过程完全利用物理上能量的转移进行的，具有很强的刻蚀方向性，可以获得高的各向异性刻蚀断面，线宽控制非常好。 化学作用的刻蚀是一种纯粹的化学反应，利用各种源如射频、微波等，将气体电离产生化学活性极强的原子团、分子团等，扩散到刻蚀薄膜的表面与薄膜发生化学反应，生产易挥发的反应生成物，由真空泵抽离真空反应室。由于只有化学反应发生称之为化学反应刻蚀，类似于湿法刻蚀。只是反应物和生成物都是气态的，且由反应物的等离子体决定刻蚀速率。2.参考答案:优点是载流子迁移率为10cm2/Vs左右，阈值电压的变化与LTPS相当，可以采用溅射方法制作，不受基板尺寸限制，对现在的TFTLCD生产线不需要较大改动。 研究热点在于：1）由于载流子有氧空位，制造过程和工作状态下易受到影响，TFT特性稳定性和工艺重复性差，成为量产前急需解决的一个关键技术难题。通过在成膜后施加热处理，有望改善； 2）在相同体系中其他半导体材料的研发，减少贵金属材料的使用，降低材料成本； 3）更为便宜的制造工艺的研发，如涂布和喷印技术。3.参考答案:1）在真空下，利用掩模板遮挡的方法，将相邻的三个像素中遮挡两个像素，在另一个像素上蒸镀红、蓝、绿其中一种发光层； 2）利用高精度的对位系统移动遮挡的掩模板，再继续蒸镀下一像素。掩膜板常采用金属材料制成。4.参考答案:5.参考答案:组成的CMOS驱动电路的优点： 1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快； 2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度； 3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-SiTFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路； 4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示； 5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-SiTFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。6.参考答案:7.参考答案:常白模式液晶显示器的上下两个偏振片透光的光轴垂直，内部液晶分子从上到下刚好扭曲90°。不外加电压时，液晶显示器为透光状态，为亮态；加上外界电场后，随电场的增加透过的光强逐渐减小，最后透光率趋近于零，为暗态，可以实现在白色背景上显示黑色图案。 8.参考答案:栅电极、源漏电极的金属材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoNx、Mo/Al/Mo等采用溅射；像素电极ITO透明氧化物材料采用溅射；栅极绝缘膜SiNx、SiOx采用PECVD；半导体层a-Si：H、欧姆接触层n+a-Si材料采用PECVD；保护膜（钝化膜）SiNx材料采用PECVD。9.参考答案:V字形直条三角棱状的凸起物把每个子像素分成了四个畴，上下基板交错排列。在方位Ⅱ处观察，开态和关态，看到的都是接近液晶分子长轴的投影，显示中灰阶；在方位Ⅰ和Ⅲ处观察，关态在屏幕的投影是短轴方向，显示黑色；开态在屏幕投影是液晶分子长轴方向，显示白色。因此，方位Ⅱ和Ⅲ处能同时看到高灰阶和低灰阶，混色后正好是中灰阶。10.参考答案:驱动原理： 1）当扫描线扫描到某一行，扫描线给开关TFT的栅极加电压，T1管导通； 2）信号线送入数据信号电压，经由T1管给驱动TFT栅极加电压，T2管导通； 3）信号电压同时给存储电容充电，把信号存储在存储电容中； 4）信号电压控制T2管导通后，电源线施加一个恒定的电压，T2管工作在饱和区，像素处于点亮状态。 面临的问题：1）驱动管阈值电压和迁移率的不均匀； 2）电源线阻抗的影响。11.参考答案:双畴的FFS结构中，共用电极线在中间，把像素电极分成上下两部分。条形电极的方向不同，分别与信号线成一定的角度。表面取向层的摩擦方向，平行信号线方向。不加电压下，液晶分子沿摩擦方向排列。加电压后，正性液晶分子平行电场方向排列。像素电极上部分的液晶分子顺时针旋转，像素电极下部分的液晶分子逆时针旋转。两个方向旋转的液晶分子形成了两个不同的畴。12.参考答案:13.参考答案:1）改善非晶金属氧化物IGZO沉积条件、控制退火温度和存放环境等； 2）改善栅极绝缘层和非晶金属氧化物IGZO形成的界面。栅极绝缘层表面粗糙度越低，表面的缺陷态越少，成膜的质量越高，TFT的性能越好； 3）提高非晶金属氧化物IGZO钝化层性质。14.参考答案:面临的技术瓶颈主要有： 1）性能差； 2）寿命低； 3）生产设备不成熟； 4）相关高科技技术还未匹配。15.参考答案:1）更轻薄； 2）光衰期长； 3）效率高，耗电少； 4）色域广； 5）环保。16.参考答案:不同点：1）Förster能量转移由于依靠电荷的库仑作用，能在较远的距离内实现，一般可以达到几纳米。Dexter能量转移由于需要电子云的交叠，只能在紧邻的分子之间才能完成，分子间最大间距最多只能到几埃； 2）Förster能量转移是一个分子上的电子与空穴的激子复合，受到自旋方向的限制，只有单重激发态激子能发生Förster能量转移；Dexter能量转移由于电子云的交叠，电子或空穴可以在分子间迁移，三重激发态激子由于自旋禁戒不容易与基态复合，可以发生Dexter能量转移。17.参考答案:当某一行要发光的像素加电压，其他行接地；当某一列像素加负电压，其他列接地，交叉处OLED就可以发光。18.参考答案:多畴垂直排列技术通常采用取向层掩膜摩擦、光控取向或利用凸起物衬底等方法，在每个像素上形成多个液晶分子取向方向不同的畴，进而改善液晶由于单畴造成的各向异性过强，显示视角特性差的缺点。19.参考答案:不加电压下，液晶分子在液晶屏内并不是全部垂直基板排列。在垂直取向的作用下，一部分垂直基板排列，一部分垂直于凸起物排列，在交界处液晶分子会偏向某一个角度；上下偏振片光轴垂直，从一个偏振片通过的偏振光，穿过液晶层，到另一个偏振片后与光轴垂直，不透光呈黑态。 当加电压后，n型液晶分子在电场下要垂直电场排列，但由于垂直取向的作用，使得液晶分子在液晶屏内倾斜排列，并趋向于水平。光可以通过各层，由于双折射产生干涉，透光呈白态。在视觉观察下，MVA技术上下基板交错的三角棱状的凸起物，共同作用下两个畴的液晶分子排列更加整齐有序，利用这种不同指向的液晶分子长轴方向来实现光学补偿。20.参考答案:1）下层Mo的作用：Al直接与a-Si接触很容易向a-Si扩散使漏电流增大，影响TFT的关态特性，所以在Al层下面要增加一层Mo。 2）上层Mo的作用：Al容易产生小丘，表面粗超度不好，且Al与上面层ITO直接接触，容易还原ITO材料，降低ITO的电阻率，引起接触不良，因此要在Al的上面增加一层Mo。21.参考答案:限制发光效率的因素：1）单重激发态的自旋方向与基态相同，从单重激发态回到基态复合容易，寿命短。三重激发态的自旋方向与基态相反，向基态的跃迁属于自旋禁戒的，只能衰减，寿命较长。单重激发态的激子跃迁发射荧光更容易； 2）处于激发态的激子也可以通过其他非辐射复合的方式释放能量，如内转换、外转换、系间跨越等，显然降低了有机发光的效率； 3）在电致激发中，单重激发态的激子只有25%，理论上发射荧光的最大量子效率为25％。实际上，由于存在各种非辐射衰减，OLED荧光外量子效率一般都远远低于25％。 提高OLED发光效率的方法：1）改善器件的结构和制备技术； 2）优化电极材料、发光材料、载流子传输材料； 3）选择能级匹配的材料； 4）研究三重激发态磷光的利用率。22.参考答案:激光显示技术将成为未来高端显示的主流。在公共信息大屏幕、激光电视、数码影院、手机投影显示、便携式投影显示、大屏幕指挥及个性化头盔显示系统等领域具有很大的发展空间和广阔的市场应用前景。在超大屏幕显示上展现更逼真、更绚丽的动态图像，实现其他显示技术所不能达到的视觉震撼效果。23.参考答案:白色光LED背光源采用能发出白色光的LED光源代替原来的CCFL荧光管。结构与CCFL背光源基本一致，主要差别是CCFL是线光源，而LED是点光源。优点是：结构简单、亮度可动态调节、容易实现区域控制、对比度很高。由于白光LED不涉及背光源的调光，在电路结构方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺点是：在色彩显示特性方面上不如RGB-LED电视，一般只能达到NTSC色域的70%左右。 RGB-LED背光源的优点是： 1）高色彩表现力。采用RGB三原色独立发光器件，能实现广色域； 2）高动态对比度。RGB-LED电视可以支持背光区域调光技术，亮度调节更容易实现，对比度能够达到千万：1级，提高了电视的图像质量。RGB-LED背光源的缺点是：成本高；需要单独的调光电路和更好的散热结构；结构复杂，难以做到轻薄化。 从性能上比RGB三基色LED更有优势，从成本上比白光LED更有优势。24.参考答案:1）第一次光刻栅线，工艺流程是：溅射前清洗→AlNd/Mo溅射→涂胶→曝光→显影→显影后检查→湿法刻蚀→刻蚀后检查→去胶→O/S检查。 2）第二次光刻有源岛，工艺流程是：成膜前清洗→3层CVD（SiNx，a-Si：H，n+a-Si）→3层后清洗→涂胶→曝光→显影→显影后检查→干法刻蚀→刻蚀后检查→去胶。 3）第三次光刻源漏电极，工艺流程是：溅射前清洗→MoAlMo溅射→MoAlMo后清洗→涂胶→曝光→显影→显影后检查→MoAlMo湿刻→刻蚀后检查→n+切断PE刻蚀→刻蚀后检查→去胶。 4）第四次钝化层及过孔，工艺流程是：P-SiN前清洗→P-SiNCVD→涂胶→曝光→显影→显影后检查→P-SiN PE干法刻蚀→刻蚀后检查→去胶。 5）第五次像素电极，工艺流程是：溅射前清洗→ITO溅射→ITO后清洗→涂胶→曝光→显影→显影后检查→ITO湿刻→刻蚀后检查→去胶→退火→阵列终检→激光修复。 25.参考答案:COF工艺更适合制作精细线路。COF工艺与传统的窄带驱动IC自动邦定的TAB工艺非常相似。由于TAB工艺要制作悬空引线，在目前线间距非常细、高引线密度的情况下，这种极细的悬空引线由于强度不够很容易变形甚至折断。COF工艺没有这方面的问题，可以将线宽及间距做到非常精细，可以做到35μm的线距。第2卷参考答案一.参考题库1.参考答案:漏光是黑色显示时有不同程度的光透过的现象。常黑模式TN型液晶显示器不加电压下为黑态。入射的线偏振光，在扭曲的液晶分子作用下产生双折射，导致通过液晶层的偏振光的光程差△n•d不同，引起不同程度的漏光，无法得到全黑色。2.参考答案:边框胶是为了使TFT基板和CF基板紧密粘合。银点胶用于连接TFT基板和CF基板的共用电极（COM电极），使CF基板上的ITO电极导通。3.参考答案:各种类型的液晶材料基本都用于开发液晶显示器。如向列相液晶显示器、聚合物分散液晶显示器、双（多）稳态液晶显示器、铁电液晶显示器和反铁电液晶显示器等。在多种液晶显示器中，开发最成功、市场占有量最大、发展最快的是向列相液晶显示器。 不可以互换。因为显示原理不一样，结构和参数设计都不一样，所以不可以互换。4.参考答案:PI印刷后溶剂尚未挥发完全，PI的分子仍是聚酰亚胺酸。经预固化均匀地挥发薄膜内的部分溶剂，聚酰亚胺酸转变为聚酰亚胺薄膜。经主固化完全转变为聚酰亚胺薄膜。5.参考答案:1）第一次光刻有源岛； 2）第二次光刻栅极； 3）第三次光刻n-区和n+区掺杂； 4）第四次光刻p+区掺杂； 5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极； 6）第七次光刻金属M3层和第八次光刻过孔 7）第九次光刻像素电极。 技术关键是第三次光刻采用SiNx等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和Los区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH3）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为1017~1018cm-3，为轻掺杂的电子导电的n-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的Los区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为1020~1021cm-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n+区、部分轻掺杂的n-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n-区主要用于形成LDD结构的Los区。重掺杂的n+区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。6.参考答案:由玻璃基板、彩色层、黑矩阵、保护层、及ITO共用电极组成。玻璃基板为彩膜的载体。利用彩膜三基色混色原理来实现彩色显示。黑矩阵有两个作用：一是分割各种颜色层提高对比度，防止混色和像素间串色；二是起遮光的作用，遮挡TFT防止光照产生光生电流，引起薄膜晶体管关态电流增大的问题。保护层用来保护彩色层、增加表面的平滑性、作为黑矩阵与透明电极ITO层的绝缘层，以及隔离液晶和防止污染。ITO共用电极是液晶显示器的一个电极，与阵列基板的像素电极构成正负极驱动液晶分子旋转。7.参考答案:弹性常数和旋转的粘度决定着液晶的响应时间和阈值电压的主要因数；介电各向异性决定着液晶在电场下是p型还是n型的特性，大的介电常数可以降低阈值电压；光学各向异性决定着液晶的光学性质；阈值电压决定着在低功耗下的工作范围。8.参考答案:多点触屏是一种用户可以通过多个手指同时对屏幕的应用控制输入技术。特点是： 1）在同一屏幕上能够实现多点或多用户的操作，更加方便快捷； 2）用户也可以进行单点触摸，通过单双击、按压、滚动等不同触摸方式，实现随心所欲的操控，方便对录像、图片、三维立体等信息进行全面的了解； 3）可以根据相应的要求来制定合适的触控面板、触控软件、触控系统等，也可以和专业图形软件配合使用。9.参考答案:非晶硅材料的特点： 1）非晶硅材料长程无序，短程有序； 2）配位数相同，非晶硅的键长和键角略有改变； 3）非晶硅中存在一些缺陷。 非晶硅是弱n型半导体。10.参考答案:PVA技术属于常黑模式的液晶显示器，不加电场下，屏幕为黑色。在生产制作中，如果有一个TFT坏点，也同样不会产生“亮点”，大大降低了液晶显示器面板出现“亮点”的可能性。 MVA技术、VA技术等。11.参考答案:TFT器件中主要的半导体现象是电导现象。 在电场的作用下载流子会定向地运动，导电能力由电导率决定。电导率反映半导体材料导电能力的物理量，又由载流子密度和迁移率来决定。非晶硅半导体材料没有进行掺杂，载流子密度很低。因此，决定薄膜晶体管性质的主要参数是迁移率。 从半导体的角度应该提高迁移率，降低载流子浓度，或者降低暗电导率。12.参考答案:非晶硅材料的特点决定了非晶硅在载流子导电上与单晶硅不同。 1）非晶硅中费米能级通常是“钉扎”在带隙中，不随掺杂而变化，也基本上不随温度变化； 2）非晶硅的迁移率比单晶硅低2~3个数量级； 3）非晶硅在氢化后，禁带宽度将随着氢化程度的不同可在1.2~1.8eV之间变化，而单晶硅具有确定的禁带宽度； 4）非晶硅存在扩展态、带尾局域态、带隙中的缺陷态，这些状态中的电子都可能对导电有贡献； 5）非晶硅的光吸收边有很长的拖尾，而单晶硅的光吸收边很陡。13.参考答案:存储电容由两个并联的存储电容相叠构成，一个存储电容Cs1为源漏金属M2和金属层M3，中间夹着的SiNx介质层构成；另一个存储电容Cs2由金属层M3和像素电极ITO，中间夹着的第三介质层构成。液晶像素电容Clc由阵列基板的像素电极ITO和彩膜基板上的共用电极构成，中间夹着液晶材料构成。 14.参考答案:1）关态不同。TFT源和漏极处没有形成pn结，关态电流是源漏之间的泄漏电流，主要是由非晶硅半导体的暗电导率引起的，关态电流大。而MOSFET的关态是pn结的零偏状态或反偏状态，关态电流小。 2）源极和漏极没有正负之分。TFT源极和漏极，正常工作情况下没有正负之分；而MOSFET为保证pn的反向偏置，有严格的源漏电极正负之分。 3）表面导电层状态不同。当栅极加正压达到一定程度时，TFT沟道积累电子形成n型导电沟道。源漏电极之间加上电压，就会有电流在源漏电极之间流动。因此，TFT是n型半导体能形成n型导电沟道，是积累层导电而不是反型层导电。MOSFET是反型层导电，n型衬底形成了p型导电沟道。15.参考答案:当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。16.参考答案:高分子PLED具有制备简单、成本低廉以及聚合物薄膜能够弯曲等特点，寿命已可达几万小时。但高分子聚合物的纯度不易提高，在亮度和彩色方面不及小分子OLED。小分子OLED工艺较成熟，良率高，率先走在新一代显示的前列。17.参考答案:黑矩阵光刻→彩色层（R、G、B）分别光刻→形成保护层→形成ITO共用电极→检查。18.参考答案:1）凸起物不同，MVA技术的上、下基板上间隔分布着三角棱状的凸起物，经垂直取向后，液晶分子在凸起物表面附近及上下基板表面上垂直取向。PVA技术直接改变了液晶显示器单元像素结构，采用透明的ITO层代替MVA中的凸起物，具有更好的开口率、高的显示亮度，最大限度减少背光源的浪费。 2）电极结构不同，MVA技术的下基板上形成像素电极，光刻出像素电极的形状，而上基板的ITO电极是一个整面的结构，不需要光刻出图形。PVA型液晶显示器上基板的ITO电极，不再是一个完整的ITO薄膜，而是光刻出一道道平行的缝隙。19.参考答案:色调是指在物体反射的光线中以哪种波长占优势来决定的，不同波长产生不同颜色的感觉。色调是彩色最重要的特征，它决定了颜色本质的基本特征。 颜色的饱和度是指一个颜色的鲜明程度。饱和度是颜色色调的表现程度，它取决于表面反射光的波长范围的狭窄性（即纯度）。在物体反射光的组成中，白色光越少，则它的色彩饱和度越大。 明度是指刺激物的强度作用于眼睛所发生的效应，它的大小是由物体反射系数来决定的，反射系数越大，则物体的明度越大，反之越小。明度是人眼直接感受到的物体明亮程度，可描写人眼主观亮度感觉。20.参考答案:21.参考答案:22.参考答案:1）可以得到红、蓝、绿三色的OLED器件，也可以实现OLED的全彩色化显示； 2）将能量转移给荧光效率更强的客体发光材料，可以增加整个OLED器件的发光效率； 3）通过选择合适的客体材料，可以增加OLED器件的寿命。23.参考答案:电流复制型驱动原理可以分为两步信号电流写入和复制发光两步，以p沟道TFT为例。信号电流写入阶段，信号线输入信号电流，同时要将驱动管T4流过的信号电流相应的栅源电压VGS，存储在储存电容里；重新复制一样或成比例的电流流过OLED发光。电流镜驱动原理也是分为两个过程，信号电流写入、复制发光。24.参考答案:存储电容在有源矩阵液晶显示中有两个作用： 1）维持液晶像素保持一帧的时间； 2）减少和消除图像闪烁。25.参考答案:PE刻蚀和RIE刻蚀在设备结构上的不同，使得两者的刻蚀特性不同。PE设备的上电极与电容耦合器及RF电源相连，而基板在下电极上，辉光放电区产生在距离基板很近的区域，等离子体离基板很近，轰击能量小，物理作用弱。RIE刻蚀设备的RF电源与下电极相连，基板也放在下电极上，辉光放电区产生在距离基板很远的上电极附近，等离子体离基板很远。阴极电压下降进一步增强了电场，轰击能量加大。因此，在RF电场的作用下物理作用强。第3卷参考答案一.参考题库1.参考答案:一般采用多层薄膜叠加的栅绝缘膜，还有许多采用连续生长的办法。还有在两层绝缘膜之间加清洗的方法。2.参考答案:ODF工艺是用液晶滴下机滴入液晶，可以形成均一的液晶屏。滴下液晶后，在真空中把涂布有边框胶、滴有高精度量液晶的基板和均匀散布隔垫物的基板，通过高精度的对位后贴合在一起，再经过UV照射和加热固化边框胶、液晶再取向等工艺技术形成液晶屏。3.参考答案:ODF工艺是用液晶滴下机滴入液晶，可以形成均一的液晶屏。滴下液晶后，在真空中把涂布有边框胶、滴有高精度量液晶的基板和均匀散布隔垫物的基板，通过高精度的对位后贴合在一起，再经过UV照射和加热固化边框胶、液晶再取向等工艺技术形成液晶屏。对于5代线以上的生产线的大型玻璃尺寸更实用。液晶滴填充的方法，时间短、效率高。4.参考答案:5.参考答案:在不加驱动电压时（off态），来自光源的自然光经过上偏振片后只剩下平行于透光轴的线偏振光。线偏振光射入液晶层。液晶层内的液晶分子，由于上下基板表面取向层的作用，从上到下刚好扭曲90°。光在传播中，偏振方向随液晶分子扭曲结构同步旋转。光到达下偏振片时，偏振面刚好旋转了90°，正好与另一片偏振片的光轴平行，光可以透过，呈现亮态。 在施加足够电压时（on态），由于正性液晶的介电各向异性和电场的相互作用，液晶分子扭曲结构解体，液晶分子长轴平行于电场方向，线偏振光的偏振方向在盒中传播时不再旋转，保持原来偏振方向到达下偏振片。正好与下偏振片的光轴正交，无光输出，呈现暗态。 当一些像素透光，而另一些像素不透光，就会显示出明暗不同的图像。6.参考答案:面临的问题主要有：1）材料稳定性和寿命问题；2）驱动技术问题；3）成本问题；4）设备制造问题。另外，喷墨打印技术、彩色化技术还需进一步研究，设备也需要进一步改进。7.参考答案:一般为2-3层，4-9um，荧光粉呈弱电性。8.参考答案:优点是光刻次数少，材料成本低，工艺节拍短；缺点是刻蚀选择比小，a-Si：H层相应要做得厚些，一般为1500~2000Å，工艺难度大，厚度控制要求严格。9.参考答案:在FFS技术中两个电极都是透明的ITO电极，电极间距小。电极间的距离L小于液晶屏的盒厚d和电极宽度w。加电压时整个液晶屏内的电场线呈抛物线形状。电极上方有电场的水平分量，又有电场的垂直分量，液晶分子也可以旋转，从而增大了开口率，提高了液晶屏的透光率。10.参考答案:液晶中快态离子在电场作用下引起离子的传输，导致在相对低的频率下光传输中图像的闪烁，获得错误的灰度级。11.参考答案:液晶显示器主要分为无源矩阵和有源矩阵液晶显示器。无源矩阵液晶显示器又包括TN、STN、HTN、FSTN、ECB、铁电液晶、Ch-N相转变模式等液晶显示器。有源矩阵液晶显示器又包括二端子和三端子器件两类。二端子器件有MIM、MSI（SiNx硅氧化膜）、DR、BTB二极管、Pin二极管/（a-Si）等。三端子器件主要有MOSFET和TFT，TFT有非晶硅a-SiTFT、多晶硅p-SiTFT、氧化物ZnOTFT、化合物CdSeTFT，CdSTFT、有机TFT（OTFT）等。 12.参考答案:1）材料广泛； 2）能耗低； 3）成本低； 4）厚度薄，重量轻； 5）响应速度快； 6）可实现柔性显示。13.参考答案:栅极与栅线相连，源极与信号线相连，漏极与像素电极相连。阵列基板上的像素电极和彩膜基板上的共用电极，形成了液晶材料两端的电极。液晶屏的像素电极部分等效于一个电容Clc。同时，像素电极与栅极同时制作出来的存储电容电极之间隔着绝缘膜构成了存储电容Cs，与液晶电容Clc并联。因此，有源矩阵液晶显示器的一个单元像素等效为一个晶体管开关，连接两个并联液晶电容Clc与存储电容Cs的等效电路。 14.参考答案:激光光阀显示由液晶盒、激光寻址组件、光源部分、屏幕四部分组成。 显示原理可以分为四个过程： 1）激光束寻址，激光器发出的激光经调制后照射到分束镜上，聚焦后投射到液晶盒上。 2）液晶分子的光学参数发生改变。光学参数与附近没有受到激光照射部分的近晶相不同，被激光投射的部分呈现出液体的光散射状态，没有被激光束投射到的液晶分子仍保持垂直表面取向的透明结构。光源的光透射状态不一样，因此控制激光束的扫描，在整个画面上形成为稳定的光散射部分和光透过部分，显示出相应的图像。 3）图像保持，激光束寻址扫描到下一点时，刚刚扫描的点液晶温度开始下降，又出现相变过程。在降温相变过程中，形成了一种光散射的焦锥结构，会一直保持图像到下一次激光照射扫描，也就是可以保持一帧的画面，类似有源矩阵液晶显示器中存储电容的功能。 4）擦除过程，在液晶盒内的透明电极上施加高于液晶分子阈值电压的电场，迫使液晶分子恢复到初始的透明状态，为图像的擦除过程。15.参考答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用，使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。 制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻，再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率，又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜，还能降低缺陷提高成品率。16.参考答案:关键的TFT性能要求是： 1）更高的迁移率。对AMOLED显示，要求阵列基板的驱动TFT有较大的电流流过的能力，也就是要求TFT具有更高的开态电流。在适合的开关比下，要有更高的载流子迁移率，一般需要≥1cm2/Vs，最好达到5cm2/Vs以上； 2）更高的均匀性和稳定性。为保证显示效果，需要控制流过每一个OLED器件电流的均匀性和稳定性。因此，要求阵列基板上不同区域内的TFT特性具有更高的均匀性和稳定性。稳定性一般要求阈值电压的偏移△VTH<1V。17.参考答案:背曝光是一种自对准的光刻工艺，不需要掩膜版，利用栅线和栅极的金属图形做掩膜进行曝光的工艺。栅线、栅极、存储电容等有金属薄膜的地方上面的光刻胶都没有曝光，其他没有遮挡的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻胶的性质发生改变。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把栅线和存储电容上面的光刻胶被一次曝光的紫外光照射到，留下阻挡层图像。 为了形成精确对准且能够恰好在栅极上面的i/sSiNx阻挡层小图形，采用连续两次曝光，先背面曝光再一次曝光相结合的光刻工艺。仅采用一次曝光，对版精度和图形的大小都要受到限制，工艺难度大。18.参考答案:彩色PDP利用调节维持脉冲个数的方法来实现多灰度级显示。对于表面放电型彩色PDP，通常采用寻址与显示分离（ADS）的子场驱动方法。在显示一幅图像时，是在一场时间内顺序扫描寻址各显示行，然后整屏所有显示单元同时维持显示。 ADS实现多灰度显示的原理是将某一种颜色的电平信号量化为n位数据，对显示数据按位进行显示，每位的显示期的维持放电时间长度，即发光脉冲个数和该位的权重相关联，权重越大，该显示期的发光脉冲个数越多，反之，则发光脉冲个数越少。这样，各位显示的亮度也就不同，一位的显示时间称为一个子场。每个子场包括准备期、寻址期和维持显示期。通过不同子场的点亮的组合可以实现多灰度级的显示。19.参考答案:1）操作新奇，电容式触摸屏支持多点触控，操作更加直观、更具趣味性； 2）不易误触，电容式触摸屏只感应人体的电流，只有人才能进行操作，