1+X集成电路理论知识模拟题含答案

1+X集成电路理论知识模拟题含答案

1、重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料管，应采取（）的

处理方式。

A、人工加待测料管

B、人工换料管

C、人工加空料管

D、人工将卡料取出

答案：A

重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料，需要人工加待测料

管。

2、探针台上的（）处于（）状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死机,

导致晶圆撞击探针测试卡。

A、红色指示灯、亮灯

B、指示灯、亮灯

C、绿色指示灯、亮灯

D、红色指示灯、灭灯

答案：B

探针台上的指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死

机，导致晶圆撞击探针测试卡。其中红色指示灯表示下降，绿色指示灯表示上

升，当至少有一盏指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作。

3、以下选项中切筋与成型步骤模具运动顺序正确的是（）。

A、模具下压一成型冲头下压一切模一框架进料一管脚成型

B、框架进料一成型冲头下压一切模一模具下压一管脚成型

C、模具下压一框架进料一切模一成型冲头下压一管脚成型

D、框架进料一模具下压一切模一成型冲头下压一管脚成型

答案：D

略

4、晶圆检测工艺中，在进行烘烤之后，需要进行的操作是（）。

A、真空入库

B、扎针测试

C、打点

D、外检

答案：D

晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘

烤f外检一真空入库。

5、“6s”的管理方式相较于“5s”，多的一项内容是()。

A、整理

B、整顿

C、清洁

D、安全

答案：D

5s即整理、整顿、清扫、清洁、素养。6s管理是5s的升级，6s即整理、

整顿、清扫、清洁、素养、安全(SECURITY)。

6、重力式分选机进行芯片检测时，芯片测试完成后，下一个环节需要进行

()操作。

A、上料

B、分选

C、外观检查

D、真空入库

答案：B

重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一分选一

外观检查f真空包装。

7、添加连线时，在先的起点处()鼠标，移动光标，在线的终点()鼠标

完成连线绘制。

A、单击、单击

B、单击、双击

C、双击、单击

D、双击、双击

答案：B

8、若进行打点的晶圆规格为5英寸，应选择的墨盒规格为？()

A、5mil

B、8mil

C、lOmil

D、30mil

答案：A

9、避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用

()遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。

A、气泡膜

B、不透明袋

C、黑布

D、白布

答案：C

避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用一

块黑布遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。

10、植球时，球和焊盘金属形成冶金结合，此时形成的焊点为（）0

A、第一焊点

B、第二焊点

C、第三焊点

D、芯片焊点

答案：A

劈刀下降到芯片焊点表面，加大压力和功率，使球和焊盘金属形成冶金结

合，形成第一焊点。

11、电镀工序中完成前期清洗后，下一步操作是（）

A、装料

B、高温退火

C、电镀

D、后期清洗

答案：C

电镀流程：装料f前期清洗一电镀槽电镀f后期清洗一高温退火。

12、LK32Tl02最大支持（）个I/O端口。

A、36

B、48

C、64

D、72

答案：B

13、在电子产品测试中需保证测试环境稳定，其中测试环境是指（）0

A、硬件环境（硬件配置一致）

B、软件环境（软件版本一致）

C、使用环境（周围环境对测试的影响）

D、以上都是

答案：D

14、编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式（）份。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：C

编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式三份。

15、()可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一

一对应。

A、测试机

B、探针台

C、塑封机

D、真空包装机

答案：B

探针台可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一

一对应。

16、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用SCT清洗液进行清洗时，可

以去除的物质是Oo

A、光刻胶

B、颗粒

C、金属

D、自然氧化物

答案：B

17、自定义元件库需与原理图文件放在同一()中。

A、Message

B、Project

C、Navigator

D>Target

答案：B

18、化学机械抛光中，抛光液的作用是()。

A、与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化

B、向抛光垫施加压力

C、将反应生成物从硅片表面却除

D、清洗硅片

答案：A

硅片固定在抛光盘上后，抛光盘和装有抛光垫的旋转盘开始旋转，同时喷

淋抛光液；然后抛光盘向抛光垫施加压力，此时抛光液在硅片和抛光垫之间流

动，抛光液中的物质与硅片表面材料反应，变为可溶物质或将一些硬度过高的

物质软化；通过研磨作用将反应生成物从硅片表面去除，进入流动的液体排出。

19、编带完成外观检查后，需要进入()环节。

A、编带

B、上料

C、测试

D、真空包装

答案：D

转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一编带一

外观检查一真空包装。

20、单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中热探针法可以测量单晶

硅的()参数。

A、电阻率

B、直径

C、少数载流子寿命

D、导电类型

答案：D

21、常用的干法去胶方法有()o

A、溶剂去胶

B、氧化剂去胶

C、等离子去胶

D、介质去胶

答案：C

常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化剂去胶、等离子去胶，其中干法去胶的

方法为等离子去胶。

22、选择集成电路的关键因素主要包括()o

A、性能指标

B、工作条件

C、性价比

D、以上都是

答案：D

23、平移式分选机设备分选环节的流程是：()。

A、分选一吸嘴吸取芯片~收料

B、吸嘴吸取芯片一分选一收料

C、吸嘴吸取芯片一收料一分选

D、分选f收料一吸嘴吸取芯片

答案：B

平移式分选机设备测试环节的流程是：吸嘴吸取芯片f分选~收料。

24、以全自动探针台为例，关于上片的步骤，下列所述正确的是：（）。

A、打开盖子一花篮放置一花篮下降一花篮到位一花篮固定一合上盖子

B、打开盖子一花篮放置一花篮到位一花篮下降一花篮固定一合上盖子

C、打开盖子一花篮放置一花篮下降一花篮固定一花篮到位一合上盖子

D、打开盖子一花篮放置一花篮固定一花篮下降一花篮到位一合上盖子

答案：D

以全自动探针台为例，上片的步骤为：打开盖子一花篮放置一花篮固定一

花篮下降一花篮到位f合上盖子。

25、芯片检测工艺中，进行管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、

合上盖子后，需要在内盒的封口边（）处贴上“合格”标签。

A、左侧

B、右侧

C、中央

D、任意位置

答案：C

26、一般情况下，待编至（）颗时，需更换卷盘，并在完成编带的卷盘上贴

上小标签，便于后期识别。

A、2000

B、4000

C、6000

D、8000

答案：B

一般情况下，待编至4000颗左右时，需要更换卷盘，即一盘编带一般装有

4000颗的芯片。

27、下列描述错误的是（）。

A、重力式分选机可分为并行测试和串行测试

B、并行测试一般是进行单项测试（可根据测试卡的数量进行1site/2

sites/4sites测试），适用于普通DIP/SOP封装的芯片

C、串行测试一般是进行多项测试，适用于DIP24/DIP27等模块电路

D、并行测试时模块电路依次进行不同电特性参数的测试

答案：D

28、在版图设计过程中，N-MOS管的源极接（）,漏极接（）,P-MOS管的

源极接（），漏极接Oo

A、地、高电位、GND、低电位

B、电源、高电位、GND、低电位

C、地、高电位、GND、高电位

D、地、高电位、电源、低电位

答案：A

29、通常情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片（）颗。

A、3000

B、1000

C、5000

D、2000

答案：D

一般情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片2000颗。

30、模拟芯片常见参数测试输入失调电压，指在差分放大器或差分输入的

运算放大器中，为了在输出端获得恒定的零电压输出，而需（）。

A、在两个输入端所加的直流电压之差

B、在两个输入端所加的交流电压之差

C、在两个输入端所加的直流电压之和

D、在两个输入端所加的直流电压之积

答案：A

31、芯片测试工艺中进行S0P8芯片的编带包装时，一个内盒中通常装有（）

盘真空包装完的编带。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：B

32、在进行料盘真空包装时，需要在（）上进行。

A、平移式分选机

B、真空包装机

C、测试机

D、高温烘箱

答案：B

在进行料盘真空包装时，需要在真空包装机上进行。

33、以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操

作是（）。

A、前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上

B、按下降的按钮，承重台和花篮开始下降

C、花篮下降到指定位置，下降指示灯灭

D、合上承重台上的盖子

答案：A

以全自动探针台为例，上片时，将花篮放在承重台上后，前后移动花篮，

将花篮固定在承重台上。

34、料盘打包时，要在料盘的。个地方进行打包。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：C

料盘打包时，要在料盘的3个地方进行打包。

35、（）包装形式在入库及之后的工艺中操作方便，比较省时。

A、晶圆盒包装

B、花篮内盒包装

C、防静电铝箔袋包装

D、花篮外盒包装

答案：D

花篮外盒包装形式在入库及之后的工艺中操作方便，比较省时。

36、重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测结

果通过（）把结果传回分选机。

A、GPIB

B、数据线

C、串口

D、VGA

答案：A

重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将芯片检测结

果通过GPIB传回分选机

37、用转塔式分选机设备进行芯片检测的第二个环节是（）。

A、编带

B、上料

C、测试

D、外观检查

答案：C

转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料f测试f编带f

外观检查f真空包装。

38、编带机光检区检测不合格的芯片，会从光检区滑落至不良品料管内；

而检测合格的芯片，则会由（）吸取，并将其精准地放到空载带内，载带内每

放置一颗芯片便会向前传送一格。

A、镜子

B、吸盘

C、真空吸嘴

D、机器手臂

答案：C

39、利用高温驱动杂质渗透进半导体内，此工序采用的设备是。。

A、扩散炉

B、离子注入机

C、加热平板

D、对流烘箱

答案：A

利用高温驱动杂质渗透进半导体内的工序为热扩散，热扩散采用的设备为

扩散炉。

40、载入元件库：AltiumDesigner系统默认打开的元件库有两个：常用

分立元器件库（）；常用接插库（）。

A、Devices.IntLib；MiscellaneousConnectors.IntLib

B、Devices.IntLib；Connectors.IntLib

C、MiscellaneousDevices.IntLib；Connectors.IntLib

D>MiscellaneousDevices.IntLib；MiscellaneousConnectors.IntLib

答案：D

41、下列对芯片检测描述正确的是（）。

A、集成电路测试是确保产品良率和成本控制的重要环节

B、所有芯片的测试、分选和包装的类型相同

C、测试完成后直接进入市场

D、测试机分为数字测试机和模拟测试机

答案：A

42、在实现LED流水灯程序中主要用到了（）语句。

A、顺序

B、条件

C、扫描

D、循环

答案：D

43、关于全自动探针台扎针调试的步骤，下列说法正确的是。。

A、输入晶圆信息一调出检测MAP图一自动对焦一扎针调试

B、输入晶圆信息一自动对焦一调出检测MAP图一扎针调试

C、输入晶圆信息一自动对焦一扎针调试一调出检测MAP图

D、输入晶圆信息一调出检测MAP图一扎针调试一自动对焦

答案：B

44、脱水烘烤是在()的气氛中进行烘烤。

A、真空

干燥氮气

C、真空或干燥氮气

D、清洁的空气

答案：C

脱水烘烤是在真空或干燥氮气的气氛中进行。

45、芯片检测工艺中，在外观检查时发现料管破损，应()。

A、继续使用

B、及时更换

C、对破损部位进行修补

D、视情况而定

答案：B

46、引线键合前一道工序是()-

A、第二道光检

B、晶圆切割

C、芯片粘接

D、晶圆清洗

答案：C

晶圆贴膜一晶圆切割一晶圆清洗一第二道光检f芯片粘接一引线键合

47、封装工艺中，在完成芯片粘接后需要进行银浆固化，该环节在烘干箱

中进行，一般在()℃的环境下烘烤1小时。

A、150

B、175

C、200

D、225

答案：B

48、晶圆检测工艺对环境的其中一项一一温度的要求范围是()℃。

A、22±3

B、20±5

C、25±3

D、20±3

答案：A

晶圆检测工艺对环境的要求：测试车间符合10万级洁净区标准，温度常年

保持在22±3℃,湿度保持在45±15吼

49、转塔式分选机设备芯片检测工艺流程中，上料之后的环节是()。

A、测试

B^分选

C、编带

D、外观检查

答案：A

转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一编带一

外观检查一真空包装。

50、采用全自动探针台对晶圆进行扎针调试时，若发现单根探针发生偏移,

则对应的处理方式是()0

A、利用微调档位进行调整

B、相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置

C、更换探针测试卡

D、调节扎针深度

答案：B

51、｛下国所示的内盘是()的内盘。｝

A、料盘

B、料管

C、编带

D、以上都是

答案：A

该图所示示的内盒从上往是料盘的内盒.

52、反应离子刻蚀的过程简单来说是()o

A、电离一解吸、排放一轰击一扩散、反应

B、轰击一电离一扩散、反应一解吸、排放

C、电离一扩散、反应一轰击一解吸、排放

D、电离一轰击一扩散、反应一解吸、排放

答案：D

反应离子刻蚀时，气体分子在反应室内电离出离子、电子和游离活性基

（电离），电粒子受电场加速，以较大能量垂直地射到硅片表面，进行物理轰

击，破坏原子键以增强化学反应和各向异性（轰击），同时活性基扩散并吸附

到硅片表面，与其薄膜发生反应，进行化学刻蚀（扩散、反应），反应生成气

体离开硅片表面，通过真空泵排出（解吸、排放）。

53、芯片检测工艺过程中一般有拼零操作，下面对拼零描述正确的是（）。

A、一个内盒中最多有三个印章号

B、零头电路不需要进行检查

C、拼零时遵循“先入先出”的原则

D、每次拼零时可以对多个产品进行操作

答案：C

54、共模抑制比定义为放大器（）之比。

A、差模电压的放大倍数与对共模电压放大倍数

B、对共模电压放大倍数与差模电压的放大倍数

C、差模电压的放大倍数与对共模电压缩小倍数

D、差模电压的缩小倍数与对共模电压放大倍数

答案：A

55、在AltiumDesigner软件设计完电路图后，设计制作样品电路需要用

到的文件是（）。

A、BOM

B、PCB

C、ICT

D、Gerber

答案：A

56、引线键合机内完成键合的框架送至出料口的引线框架盒内，引线框架

盒每接收完一个引线框架会（）。

A、保持不动

B、自动上移一定位置

C、自动下移一定位置

D、自动后移一定位置

答案：C

57、真空包装时，需要在包装盒外套上（）。

A、包装袋

B、防静电铝箔袋

C、不透明塑料袋

D、海绵

答案：B

在将晶圆放入包装盒后，一般会在包装盒外套上防静电铝箔袋。

58、载带的预留长度一般是()。

A、10-30cm

B、30-50cm

C、50-70cm

D^70-90cm

答案：c

略

59、()是使硅片上的局部区域达到平坦化。

A、平滑处理

B、部分平坦化

C、局部平坦化

D、全局平坦化

答案：C

局部平坦化是将硅片表面局部进行平坦化处理，使其达到较高的平整度。

60、利用平移式分选机进行芯片分选时，吸嘴从()上吸取芯片，然后对

芯片进行分选。

A、收料盘

B、待测料盘

C、入料梭

D、出料梭

答案：D

61、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是。色彩。

A、反射

B、干涉

C、衍射

D、二氧化硅本身的

答案：B

62、根据下列三张同一单元图可判断，该单元为：()o

A、图片题

B、图片题

C、图片题

D、图片题

答案：A

63、正常工作时风淋室内无人时，外部的。指示灯亮起。

A、红色

B、黄色

C、绿色

D、蓝色

答案：C

风淋室内无人时，外部的绿色指示灯亮起，进入风淋室后关门，风淋室自

动落锁，外部指示灯变为红色，风淋开始。

64、晶圆检测工艺中，在进行上片之前需要进行（）操作。

A、导片

B、加温、扎针调试

C、扎针测试

D、打点

答案：A

晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘

烤f外检f真空入库。

65、平移式分选机设备分选完成后，进入（）环节。

A、上料

B、测试

C、外观检查

D、真空入库

答案：C

平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一分选一

外观检查一真空包装。

66、单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中不是物理性能检验的参

数的是（）。

A、外观

B、晶向

C、直径

D、电阻率

答案：D

67、下列描述错误的是（）。

A、转塔式分选机分选工序依靠主转盘执行

B、转塔式分选机旋转台每转动一格，都会将产品送到各个工位

C、转塔式分选机包括上料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等

D、一般转塔式分选机都需要配合编带机使用

答案：D

68、激光打字在打标前需要调整。的位置。

A、场镜和光具座

B、场镜和收料架

C、显示器和收料架

D、光具座和显示器

答案：A

略

69、在进行编带真空包装时，需要在（）上进行。

A、转塔式分选机

B、真空包装机

C、测试机

D、高温烘箱

答案：B

在进行编带真空包装时，需要在真空包装机上进行。

70、晶圆检测工艺对环境要求（）芯片检测的环境要求，这是由工艺的加

工对象特性所决定的。

A、低于

B、等于

C、高于

D、时高时低时等于

答案：C

由于晶圆检测工艺中芯片是裸露状态，而芯片检测工艺中芯片是非裸露状

态，所以晶圆检测对环境质量要求会高于芯片检测。

71、平移式分选机设备测试环节的流程是：（）。

A、吸取、搬运芯片一入料梭转移芯片一压测一记录测试结果一搬运、吹

放芯片

B、入料梭转移芯片一吸取、搬运芯片一压测一记录测试结果一搬运、吹

放芯片

C、入料梭转移芯片一搬运、吹放芯片一压测一记录测试结果f吸取、搬

运芯片

D、搬运、吹放芯片一入料梭转移芯片一吸取、搬运芯片一压测一记录测

试结果

答案：B

平移式分选机设备测试环节的流程是：入料梭转移芯片一吸取、搬运芯片

一压测一记录测试结果一搬运、吹放芯片。

72、料盘完成外观检查后，需要进入()环节。

A、分选

B、上料

C、测试

D、真空包装

答案：D

平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一分选一

外观检查-真空包装。

73、打开安装好的keil软件，点击工具栏“魔术棒”按钮，点击()选项,

选择目标芯片。

A、Target

B、C/C++

C、Debug

D、Device

答案：D

74、晶圆检测工艺中，导片结束后，需要进行()操作。

A、加温、扎针调试

B、上片

C、外检

D、扎针测试

答案：B

晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘

烤一外检一真空入库。

75、使用重力式分选机设备进行芯片检测时，第一环节需进行()操作。

A、上料

B、分选

C、编带

D、外检

答案：A

重力式分选机设备芯片检测工艺流程：上料f测试f分选f编带（SOP）f

外观检查f真空包装。

76、晶圆进行扎针测试时，其操作步骤正确的是（）o

A、输入晶圆信息一测试一清零一检查扎针情况（有异常）一异常情况处

理一继续测试一记录测试结果

B、输入晶圆信息一测试一检查扎针情况（有异常）一异常情况处理一清

零->继续测试一记录测试结果

C、输入晶圆信息一检查扎针情况（无异常）一测试一清零一继续测试一

记录测试结果

D、输入晶圆信息一清零一测试一检查扎针情况（无异常）一继续测试一

记录测试结果

答案：D

77、LK32Tl02单片机工作频率最高支持（）。

A、18MHz

B、36MHz

C、72MHz

D、144MHz

答案：C

78、下列关于重力式分选设备描述错误的是（）。

A、重力式分选机手动上料的步骤分为两步，装料和上料夹具夹持

B、手动装料需要操作人员取下待测料管一端的塞钉，并将料管整齐地摆

放在操作台

C、装料时不需要注意芯片方向和管脚朝向

D、自动装料减少了人工补料的次数，节省了取塞钉与摆放料管的时间，

降低了人工成本

答案：C

79、在控制LED灯的任务中，PB->0UTEN=OxOOff的意思是（）。

A、PB0~PB7设置为输入方式

B、PB0~PB7设置为输出方式

C、PB0~PB7设置为高电平

D、PB0~PB7设置为低电平

答案：B

80、重力式分选机进行芯片检测时，上料的第一步是（）。

A、设置参数

B、吸取芯片

C、装料

D、上料夹具夹持

答案：C

装料是上料的第一步。装料是将待测料管放入上料槽内。装料完成后由上

料夹具夹持上料。

81、在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的

工艺是()O

A、薄膜制备

B、光刻

C、刻蚀

D、金属化

答案：B

在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺

是光刻。

82、晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般

为。分钟。

A、1

B、5

C、10

D、20

答案：B

83、若采用全自动探针台对晶圆进行扎针测试，需把承载的晶圆花篮放到

探针台相应位置等待检测，假如位置放置不正确，会造成()后果。

A、探针台死机

B、晶圆撞击探针测试卡

C、晶圆探针错位、破片

D、位置指示灯异常

答案：C

84、下列描述错误的是()。

A、平移式分选机是在水平面上完成芯片的转移、测试与分选的设备

B、重力式分选机为斜背式双工位或多工位自动测试分选机

C、转塔式分选机分选工序依靠主转盘执行

D、以上描述都不对

答案：D

85、使用平移式分选设备进行芯片检测时，完成上料后需要进行的环节是

（）。

A、测试

分选

C、真空包装

D、外观检查

答案：A

86、下列选项中，。是封装工艺中不涉及的工序。

A、第一道光检

B、第二道光检

C、第三道光检

D、第四道光检

答案：A

封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查，是否有出

现废品（崩边等情况）。引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查

芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。切筋成型之后需要进行第四道光

检，针对后段工艺的产品进行检查、剔除。

87、在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、

电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）。

A、外延

B、热氧化

C、PVD

D、CVD

答案：A

外延是在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类

型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层。

88、下面选项中不属于镀锡工序中酸洗的目的是（）。

A、中和碱性膜

B、消毒

C、增加表面活性

D、增强镀层与框架结合度

答案：B

酸洗的目的一般是为了中和碱性膜，并将引线金属表面的氧化膜清除，增

加基层表面活性，使镀锡时镀层能与引线金属牢固结合。

89、扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信息，确保三

者的信息一致。

A、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单

B、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单

C、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单

D、MAP图、软件版本、晶圆测试随件单

答案：A

扎针测试时，完成测试机操作界面的晶圆信息输入后，需要核对MAP图、

测试机操作界面、晶圆测试随件单上的信息，确保三者的信息一致。

90、料盘外观全部检查完后，对合格的料盘需要进行临时捆扎，临时捆扎

时将（）盒料盘（不含空料盘）捆扎在一起。

A、9

B、10

C、11

D、12

答案：B

料盘外观全部检查完后，对合格的料盘需要进行临时捆扎，临时捆扎时将

10盒料盘（不含空料盘）捆扎在一起。

91、在使用万用表之前先应（）-

A、选择合适的挡位

B、机械调零

C、选择合适的量程

D、表笔短接

答案：B

92、干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）o

A、形成所需的二氧化硅膜厚度

B、获得致密的二氧化硅表面

C、提高二氧化硅和光刻胶的黏附性

D、改善二氧化硅和硅交界面的性能

答案：B

干-湿-干氧化中，第一次干氧是为了获得致密的Si02表面，从而提高对杂

质的阻挡能力。干氧氧化和湿氧氧化各有自己的特点，在实际生产中往往将这

两种方式结合起来，采用干-湿-干的氧化方式，既保证二氧化硅的厚度及一定

的生产效率，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。第一次干氧

是为了获得致密的二氧化硅表面，从而提高对杂质的阻挡能力。湿氧主要用来

形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生产效率；第二次干氧，是为了改善二氧

化硅和硅交界面的性能，同时使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻胶的

粘附性。

93、使用测编一体的转塔式分选设备进行芯片测试时，如果遇到需要编带

的芯片，在测试完成后的操作是()0

A、上料

B、测试

C、编带

D、外观检查

答案：C

94、去飞边的目的是()o

A、去除激光打字后标识打印有瑕疵的部分

B、去除注塑工序塑封周围、引线之间的多余溢料

C、去除电镀后引脚镀层外围多余的镀料

D、去除引脚周围长出的晶须

答案：B

95、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用SC-2清洗液进行清洗时，可

以去除的物质是()o

A、光刻胶

B、颗粒

C、金属

D、自然氧化物

答案：C

96、元器件的标志方向应按照图纸规定的要求，若装配图上没有指明方向,

则应使标记向外易于辨认，并按照()的顺序读出。

A、从左到右、从下到上

B、从左到右、从上到下

C、从右到左、从下到上

D、从右到左、从上到下

答案：A

97、“5s”中第4个s是()。

A、整顿

B、清扫

C、清洁

D、安全

答案：c

“5S”中第1个S是整理，第2个S是整顿，第3个S是清扫，第4个S

是清洁，第5个S是修养。

98、湿法刻蚀中，()的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。

A、硅

B、铝

C、二氧化硅

D、碑化钱

答案：C

二氧化硅腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。

99、以下函数的功能是。。

A、防抖

B