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文档简介

2-1二極體的識別二極體的結構與符號二極體的偏壓目錄2-2二極體之V-I特性曲線二極體的V-I特性曲線二極體的規格與電氣特性二極體的編號二極體量測二極體的種類目錄2-3二極體整流電路電源電路系統半波整流電路中心抽頭式全波整流電路橋式全波整流電路目錄2-4濾波電路漣波因數電容濾波電路RC濾波電路π型濾波電路目錄2-5倍壓電路半波兩倍壓電路全波兩倍壓電路目錄二極體的結構與符號節目錄(a)結構圖(b)電路符號(c)實體圖二極體的偏壓未加偏壓在接面附近只有正負離子的存在，並無自由電子與電洞，這個由正負離子所形成的區域稱為空乏區（DepletionRegion）。在空乏區內由正負離子所形成的電位差稱為障壁電壓（BarrierPotential）或膝點電壓(KneeVoltage)。在室溫下，矽的障壁電壓約為0.6V～0.7V，鍺的障壁電壓約為0.2V～0.3V。節目錄二極體的偏壓順向偏壓

當P型半導體接電源的正極，N型半導體接電源的負極，即形成順向偏壓，如圖2-3(a)所示。若順向偏壓大於障壁電壓，二極體流過大量順向電流，此時二極體導通猶如短路一般，如圖2-3(b)所示。節目錄(a)電路圖(b)等效圖圖2-3二極體施加順向偏壓二極體的偏壓逆向偏壓當P型半導體接電源的負極，N型半導體接電源的正極，即形成逆向偏壓，如圖2-4(a)所示。當二極體施加逆向偏壓時，二極體截止猶如斷路一般，如圖2-4(b)所示。節目錄圖2-4二極體施加逆向偏壓(a)電路圖(b)等效圖二極體的V-I特性曲線圖2-5二極體的V-I特性曲線節目錄二極體的規格與電氣特性最大順向電壓VF(max)最大順向電流IF(max)最大逆向峰值電壓PIV最大逆向飽和電流IR(max)最高工作溫度最大消耗功率PD(max)節目錄二極體的編號國別(區域)編號類型美國1NXXXX日本1SXXXX歐洲OAXXXX節目錄二極體量測節目錄圖2-6二極體量測圖二極體的種類整流二極體

圖2-7整流二極體節目錄

發光二極體(LED)

圖2-8發光二極體稽納二極體

圖2-9稽納二極體

電源電路系統圖2-11電源電路系統方塊圖節目錄半波整流電路圖2-13半波整流電路

節目錄中心抽頭式全波整流電路圖2-16中心抽頭式全波整流電路

節目錄橋式全波整流電路圖2-19橋式全波整流電路節目錄漣波因數漣波因數愈小表示整流或濾波的效果愈佳，輸出的直流電壓也就愈穩定。漣波因數定義為節目錄圖2-22漣波電壓的波形電容濾波電路圖2-23電容濾波器

節目錄電容濾波電路圖2-24半波整流濾波電路節目錄RC濾波電路圖2-26RC濾波電路節目錄π型濾波電路圖2

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