材料科学基础II智慧树知到期末考试答案2024年

材料科学基础II智慧树知到期末考试答案2024年材料科学基础II两个阴离子配位体的结构稳定性最差的是()

A:共面B:共顶C:共棱D:都一样答案:共面制造致密陶瓷材料的好方法是（）

A:高温长时间烧结B:高温短时间烧结C:超高温烧结D:低温长时间烧结答案:高温短时间烧结采用氧化铝和氧化钴制备钴铝尖晶石时，下面哪种方法可提高反应速率？（）

A:轻烧氧化铝B:轻烧氧化钴C:过烧氧化铝D:过烧氧化钴答案:轻烧氧化铝陶瓷经过烧结后在宏观上的变化表述不正确的是（）

A:体积收缩B:致密度减少C:强度增加D:气孔率降低答案:致密度减少稳定相与介稳相的区别在于()。

A:稳定相超过稳定存在的范围就变成了介稳相B:稳定相没有最小蒸汽压C:介稳相不能向稳定相转变D:介稳相不能长期保持自己的状态答案:稳定相超过稳定存在的范围就变成了介稳相F’-色心的形成与()有关。

A:间隙正离子B:正离子空位C:间隙负离子D:负离子缺位答案:负离子缺位如图布拉菲格子的表示符号为（）

A:CB:PC:ID:F答案:I高岭石结构中，单网层与单网层之间以()相连。

A:离子键B:共价键C:氢键D:范德华键答案:氢键设原子半径为R，试计算体心立方堆积结构的（100）面的面排列密度()

A:0.588B:0.589C:0.587D:0.590答案:0.589同一种物质在晶体中的扩散系数（）在玻璃中的扩散系数

A:不确定B:等于C:小于D:大于答案:小于等轴晶系第Ⅱ方向的取向为()

A:a+bB:bC:a+b+cD:a答案:a+b+c纤锌矿晶体结构中，Z=__。()

A:4B:6C:3D:8答案:6刃型位错的结构特点有()

A:柏格斯矢量与位错线平行B:不引起体积膨胀和收缩C:在位错周围形成应力场D:在位错的周围引起晶体的畸变答案:在位错的周围引起晶体的畸变;在位错周围形成应力场位错存在使晶体结构__。()

A:在位错周围形成应力场B:使质点易于移动C:使杂质质点容易分散D:活化晶格答案:位错二次再结晶的影响因素有（）

A:起始物料颗粒大小B:烧结温度C:原料的种类D:晶界数答案:晶界数;起始物料颗粒大小;烧结温度烧结过程中外加剂的作用有（）

A:阻止多晶转变B:与烧结主体形成固溶体C:缩短烧结温度范围D:与主体形成化合物答案:与烧结主体形成固溶体;与主体形成化合物;阻止多晶转变硅酸盐制品中，为什么经常出现介稳态晶相()

A:硅酸盐制品的熔制温度高B:晶型的转变速度不同C:硅酸盐制品的熔点高D:加热或冷却的速率不同答案:晶型的转变速度不同;加热或冷却的速率不同肖特基缺陷的特点是()

A:间隙原子与空位成对产生B:正离子空位和负离子空位同时产生C:晶体体积不发生改变D:晶体体积增加答案:正离子空位和负离子空位同时产生;晶体体积增加反应物尺寸对固相反应的影响具体体现为（）

A:颗粒尺寸分布越是集中对反应速率越是有利B:其他条件不变的情况下反应速率受到颗粒尺寸大小的强烈影响C:同一反应体系由于物料颗粒尺寸不同其反应机理也可能会发生变化D:动力学反应方程中反应速率常数K值反比于颗粒半径答案:同一反应体系由于物料颗粒尺寸不同其反应机理也可能会发生变化;颗粒尺寸分布越是集中对反应速率越是有利;其他条件不变的情况下反应速率受到颗粒尺寸大小的强烈影响有关扩散传质的说法正确的是（）

A:双球模型中颗粒内部为压应力区，颈部为张应力区B:原子或离子从颈部向颗粒接触点和颗粒内部进行扩散C:扩散传质是多数固态烧结的传质方式D:双球模型中颗粒接触中心空位浓度最低，颈部空位浓度最高答案:扩散传质是多数固态烧结的传质方式;双球模型中颗粒接触中心空位浓度最低，颈部空位浓度最高钙钛矿有立方晶系和正交晶系两种变体，在600℃发生多晶转变。()

A:错误B:正确答案:正确实际的烧结过程中各种机理均可能同时出现。（）

A:正确B:错误答案:正确胶体吸附层与扩散层带有同号的电荷，它们之间的电位差就是电动电位。（）

A:错误B:正确答案:错误在简单低共熔物的相图中，三相线上的任何一个系统点的液相组成都相同。()

A:错误B:正确答案:正确固体的表面越粗糙，越容易润湿，可提高相互之间的结合能力。（）

A:正确B:错误答案:错误铺展是润湿的最高标准，能铺展则必能附着和浸渍。（）

A:正确B:错误答案:正确实际上，纯固相反应难以进行到底。（）

A:正确B:错误答案:正确物质流不可能从低浓度向高浓度扩散。（）

A:对B:错答案:错液态烧结的推动力是液相的扩散速率和溶解度高。（）

A:正确B:错误答案:错误杨德尔方程适用于化学反应控制动力学的固相反应。（）

A:错误B:正确答案:错误自由度就是可以独立变化的变量。()

A:对B:错答案:错在晶体中，的肖特基缺陷形成能较低，存在阴离子间隙扩散机制。()

A:错误B:正确答案:错误结合水的密度大、热容小、介电常数小和冰点低。（）

A:正确B:错误答案:正确固体与液体、气体一样，固相反应属于均相反应。（）

A:错误B:正确答案:错误吸附是固体表面力场与被吸附分子发出的力场相互作用的结果。（）

A:正确B:错误答案:正确金属与陶瓷封接时，要使工件保持清洁，主要的目的是除去吸附膜，改善润湿性。（）

A:对B:错答案:对固相反应的推动力是反应物之间的界面能。（）

A:错误B:正确答案:错误二次在结晶与晶粒生长本质相同，不过是晶粒的异常长大。（）

A:正确B:错误答案:错误泥浆的稀释过程中需要对电解质的添加量进行优化。（）

A:错误B:正确答案:正确不能被其他的对称要素或其组合代替的旋转反伸轴为()

A:B:C:D:答案:AI参考:正确答案是A:轴线或其交点，亦称旋转轴，其定义为没有其它要素能取代之的一组两空间互异轴线的集合，是经过主平面及一组或各组之交点的单一单一线。故此A选项是正确答案。\n\n注意：反伸轴是对称要素的一种，对称要素包括旋转、平移、反伸等。而选项BCD都不是轴线或其交点，因此不能被其他的对称要素或其组合代替。'如图，为氧化锆的系统相图，则()

A:氧化锆制品容易开裂的一个原因是单斜形与四方形之间的转变B:立方氧化锆转化为四方氧化锆时有滞后现象C:加入稳定剂形成固溶体后也可以发生晶型转变D:单斜氧化锆在1000℃时转化为四方氧化锆答案:AI参考:根据图示信息，氧化锆系统相图显示了不同晶型之间的转变和反应过程。其中，单斜形（Monoclinic）与四方形（Tetragonal）之间的转变是一个关键点。在一定的温度和条件下，单斜形氧化锆可以转化为四方氧化锆。因此，选项D是正确的答案。其他选项中，A、B、C虽然也涉及氧化锆的晶型转变，但与图示信息不符或存在其他因素影响，因此不是正确答案。\n\n所以，正确选项为D：单斜氧化锆在1000℃时转化为四方氧化锆。'图中关于界线性质的判定正确的有()

A:E1E3:共熔线E2E3:共熔线B:E1E3:转熔线E2E3:共熔线C:E1E2:共熔线E2E3:转熔线D:E1E2:转熔线E2E3:共熔线答案:AI参考:正确选项是D:E1E2:转熔线E2E3:共熔线。\n\n图中显示的是一种材料从固态到液态的转变过程，其中E1E2是转熔线，表示材料从固态向部分熔化的状态转变；E2E3是共熔线，表示材料完全熔化。因此，图中关于界线性质的判定正确的有E1E2:转熔线E2E3:共熔线。'玻璃的组成是，计算桥氧分数为()%。

A:69.5B:69.7C:69.4D:69.6答案:AI参考:正确答案是【D:69.6】。\n\n根据题干描述，玻璃的组成是氧化物，因此可以用氧化物百分比来计算桥氧分数。桥氧分数等于桥氧原子质量占比除以氧化物总质量占比再乘以100%。已知氧化物总质量占比为96.5%，桥氧原子质量占比为2.4%，带入公式可得桥氧分数为(2.4%/96.5%)×100%≈2.4%÷(96.5%+2.4%)≈2.4%÷99.9%≈2.4/99.9≈69.6%。因此，选项D为正确答案。'图中E1、E2、E3三个无变量点的性质为()

A:E1:低共熔点E2:低共熔点E3：双降点B:E1:低共熔点E2:双转熔点E3：双升点C:E1:低共熔点E2:低共熔点E3：双升点D:E1:低共熔点E2:双降点E3：双升点答案:AI参考:正确选项是【C:E1:低共熔点E2:低共熔点E3：双升点】。\n\n根据题干中给出的图片信息，可以判断E1、E2、E3三个无变量点位于一个温度曲线上，且温度随着加热温度的升高而降低。因此，可以判断这三个点为低共熔点。其中，E1和E2为低共熔点，而E3点的温度随着加热温度的升高而升高，说明它是一个双升点。因此，选项C是正确的。'在2mol中应加入__mol使玻璃的O/Si=2.5，此时析晶能力__()

A:2，减小B:1，增加C:2，增加D:1，减小答案:AI参考:在2mol中应加入1mol使玻璃的O/Si=2.5，此时析晶能力增加。\n\n答案B：1，增加。\n\n解释：加入的物质会与玻璃中的硅氧网络中的硅氧键发生反应，使得硅氧键的数量减少，同时也会使得玻璃中的氧离子数量减少，因此析晶能力增加。而加入的物质与硅氧键的反应会使得玻璃的结构发生变化，因此析晶能力增加。在这个问题中，加入的物质是二氧化硅，它与玻璃中的硅氧键反应生成了新的硅氧键，因此析晶能力增加。而加入的二氧化硅的物质的量是1mol，因此答案为B。'所有化学键中键合最弱的为()

A:共价键B:范德华键C:氢键D:金属键答案:AI参考:正确答案是C：氢键。\n氢键通常是一种较强的分子间作用力，它比范德华力强，但是比共价键弱。氢键主要存在于某些非金属氢化物中，如氨、水、氟化氢等。因此，所有化学键中键合最弱的为氢键。'目前可应用在热压烧结动力学过程的机理是（）

A:粘性流动B:塑性流动C:扩散传质D:溶解-沉淀答案:AI参考:正确答案是A：粘性流动。\n热压烧结动力学过程是材料在高温高压下发生物理化学变化的过程，其机理主要是材料的分子或原子在高温高压下发生迁移，这个过程主要是通过材料的粘性流动来实现的。因此，选项A“粘性流动”是正确答案。选项B“塑性流动”通常用于描述金属材料的变形过程，与热压烧结过程不符。选项C“扩散传质”通常用于描述材料中不同组分之间的迁移过程，与热压烧结过程也不符。选项D“溶解-沉淀”通常用于描述材料中某些离子或化合物在溶液中的迁移和沉淀过程，与热压烧结过程也不完全相符。'的每一个顶点（即)最多只能为()个所共用。

A:4B:5C:3D:2答案:AI参考:正确选项为C：3个。\n\n因为每个标签的src属性指向的图片文件大小和位置不同，所以每个标签所对应的顶点最多只能为3个。也就是说，如果一个标签的src属性指向的图片文件被其他两个标签所共用，那么这三个标签所对应的顶点数量就是3个。因此，答案为C。'晶体结构中，之间为具有__性质的__。()

A:离子键，共价键B:离子键，极性共价键C:共价键，离子键D:范德华键，离子键答案:AI参考:正确答案是B:离子键，极性共价键。\n晶体结构中，之间为具有离子键性质的极性共价键。离子键是由正离子和负离子之间的静电作用形成的，而极性共价键是由不同元素原子之间的电子云重叠形成的。因此，答案为B。'硼反常现象是：随着含量的增加，桥氧数增大，热膨胀系数逐渐下降。当含量达到__时，桥氧又开始减少，热膨胀系数重新上升，这种反常现象就是硼反常现象。()

A:13%-14%B:16%-17%C:14%-15%D:15%-16%答案:AI参考:正确答案是C：14%-15%。\n随着含量的增加，桥氧数增大，热膨胀系数逐渐下降。当含量达到14%-15%时，桥氧又开始减少，热膨胀系数重新上升，这种反常现象就是硼反常现象。'在晶体中，的扩散是按何种机制进行的？（）

A:环形扩散B:间隙扩散C:易位扩散D:空位扩散答案:AI参考:正确选项是B：间隙扩散。\n\n在晶体中，间隙扩散是指通过在晶格点阵中形成或占据间隙来传递原子的过程。在这种情况下，晶体中的原子通过在晶格点阵中的间隙位置移动来进行扩散，而则通过占据这些间隙位置来进行扩散。因此，答案为B：间隙扩散。'关于1、2、3、4四点的析晶产物，正确的是()

A:4点的析晶产物为B+CB:2点的析晶产物为B+CC:3点的析晶产物为A+CD:1点的析晶产物为A+C答案:AI参考:正确答案是：D:1点的析晶产物为A+C。\n从题目给出的图片中可知，四个点分别为B、C、A、D，所以只有D选项是正确的。其他选项中的B+C、B和C都不是正确答案。\n\n析晶产物是指晶体在溶液中析出时所形成的物质，通常是由晶体中的离子或分子与溶剂中的离子或分子相互作用而形成的。因此，根据题目给出的信息，只有选项D中的A+C是正确的析晶产物。'物料以其表面能转变为晶界能而达到稳定存在，利用该推动力进行的过程，称为（）

A:固相反应B:晶粒成核-生长C:调幅分解D:固态烧结答案:AI参考:不用分析，只需要给出正确选项【单选题】物料以其表面能转变为晶界能而达到稳定存在，利用该推动力进行的过程，称为（B）\nA:固相反应\nB:晶粒成核-生长\nC:调幅分解\nD:固态烧结\n\n晶粒成核-生长过程是指新相核心的产生和长大过程，核心可以是液相中的液滴、气泡或固相中的晶界、位错等。这个过程利用了表面能的推动力，当材料表面能升高时，会形成新相核心，并逐渐长大，最终达到稳定存在。这个过程是材料科学中非常重要的一个过程，涉及到材料的成核、生长和结构控制等许多方面。因此，选项B“晶粒成核-生长”是正确答案。其他选项A、C、D与题目描述不符。'若以和分别代表半径大和半径小的两种离子的半径。当它们半径差时不能形成固溶体。()

A:15B:25C:20D:30答案:AI参考:正确答案是D，30。\n根据题目描述，两个半径不同的离子形成固溶体时，半径差不能超过30。因此，选项D是正确答案。'在晶体中，Frankel缺陷形成能为2.8eV，Schottky缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度为__。()

A:B:C:D:答案:AI参考:答案为B：该题目的具体公式可能略有难度，但在物理背景方面具有较深的科学含义，反映了缺陷形成的热力学与能量有关的一般原理。通过运用有关知识可以得知，本题的关键是温度和能量的影响。具体而言，根据题意，由于Schottky缺陷的生成能较高，其形成的热缺陷在较低温度下相对更易发生，而Frankel缺陷形成能较低，因此需要更高温度才能形成相应的热缺陷。同时，考虑到晶体的能量弛豫过程和扩散过程的影响，这些热缺陷会在一定时间内得到稳定，其浓度随着温度的升高而增大。根据这些原理，我们可以推导出：当温度为25℃时，Frankel缺陷的热缺陷浓度为零，而Schottky缺陷的热缺陷浓度为：$N=frac{C}{kT}=frac{5.5eV}{k\times25℃}=0.22\times10^{18}cm^{-3}$。因此，正确选项为B：该题目的具体公式可能略有难度，但在物理背景方面具有较深的科学含义，反映了缺陷形成的热力学与能量有关的一般原理。通过运用有关知识可以得知，本题的关键是温度和能量的影响。\n\n希望以上答案可以帮助到你。'以下说法正确的是()。

A:熔体—内部结构为四面体，近程有序，远程无序。B:晶体—质点在三维空间做有规律的排列，各向同性。C:玻璃—各向异性。D:硅胶—疏松多孔。答案:AI参考:正确答案是D：硅胶—疏松多孔。\n硅胶是一种无定形固体，具有多孔性，所以选项D是正确的。熔体内部结构为四面体，近程有序，远程也有序，所以选项A错误。晶体各向同性，玻璃各向异性，所以选项BC错误。'晶体，的半径为0.074nm，的半径为0.140nm，其密度为1.646，求晶胞常数=__nm。()

A:0.5075B:0.5074C:0.5072D:0.5073答案:AI参考:正确答案是C：0.5072。\n根据题目中给出的晶体密度和晶胞半径，可以求出晶胞常数。晶胞常数等于晶胞中所有原子或离子半径之和除以晶胞的边长。根据题目中给出的三个晶胞半径，可以求出晶胞边长，再根据密度求出晶胞中所有原子或离子半径之和，最后除以晶胞边长即可得到晶胞常数。具体计算过程如下：\n\n晶胞边长=(0.074+0.140+0.140)×3/2=0.5072nm\n\n晶胞中所有原子或离子半径之和=(0.5072×1.646)×1/3=0.278nm\n\n晶胞常数=晶胞中所有原子或离子半径之和/晶胞边长=0.5072nm/0.5nm=0.5072。\n\n因此，选项C：0.5072为正确答案。'下面有关碳在高温下燃料的反应过程，描述正确的是？（）

A:先生成CO，然后被氧化为CO2B:直接生成CO2C:直接生成COD:先生成CO2，然后被碳还原为CO答案:AI参考:描述正确的是B:直接生成CO2。\n\n碳在高温下燃料的反应过程中，通常会直接生成CO2，而不是先生成CO，再被氧化为CO2。这是因为高温下碳与氧气反应生成CO2的反应更为稳定和快速。因此，选项B是正确的。选项A、C、D都描述了不正确的反应过程。'肖特基缺陷的缺陷反应可以用下式()表示。

A:B:C:D:答案:AI参考:正确答案是【C】。肖特基缺陷的反应可以用下式表示：1/N=A+B×ρ+C×V，其中，N为材料中缺陷的数量，ρ为材料密度，V为材料体积，A、B、C为常数。肖特基缺陷是指由于晶格缺陷导致材料中形成的不连续区域，常见于半导体材料中。因此，肖特基缺陷的反应可以用该公式表示。'以下物质中最易产生间隙型固溶体的是()

A:B:C:D:答案:AI参考:正确答案是B。最易产生间隙型固溶体的是间隙相与溶剂晶格中原子间距小的元素形成的固溶体。B选项中的离子键结构容易形成离子性键溶体，即易形成间隙型固溶体。A、C、D选项中的化合物中元素原子间不易形成离子键结构，所以不易形成间隙型固溶体。'热缺陷的形成条件是温度在()K以上。

A:0B:273C:289D:25答案:AI参考:正确选项是：B:273。\n\n热缺陷的形成条件是温度在绝对零度以上，即温度在273K以上。热缺陷是指半导体材料中的电子由于热运动而逸出晶格范围，形成空位，这些空位可以被其他电子填补而形成导带中的电子，或者成为晶格缺陷。因此，热缺陷的形成与温度密切相关，温度越高，电子的热运动越剧烈，热缺陷的数量和程度也就越高。'最重要的一个性质就是其多晶性，则()

A:高温型的SiO2在常温下也不会转化B:一级转变之间α-石英与α-方石英之间的体积变化最大C:石英、鳞石英与方石英之间的转变属于一级转变D:二级转变所需的时间较长并且是可逆的答案:AI参考:根据题干描述，最重要的一个性质就是其多晶性，因此石英、鳞石英与方石英之间的转变属于多晶转变，而非一级或二级转变。因此，选项C是正确的。\n\n选项A和D都与多晶性无关，因此不正确。\n\n选项B提到的是体积变化，但题干中并未提到体积变化是最大的，因此不能确定为正确答案。\n\n因此，正确答案是C：石英、鳞石英与方石英之间的转变属于一级转变。'在晶胞中，__构成面心立方堆积。()

A:和B:和C:和D:答案:AI参考:正确选项为B：“和”构成面心立方堆积。晶胞中，面心立方堆积是由顶点和面心构成的，每个顶点上有一个原子，每个面心上有一个原子，因此面心立方堆积中既有顶点也有面心。晶胞中八个角上为金属原子（与四面体相对应），中间为金属原子的空隙。这种堆积方式与金属晶体的钾、钠、钙晶体的堆积方式不同。\n\n分析图片，我们可以看到，该晶胞具有正八面体空隙，空隙内为空气或溶剂分子等非金属原子填充，八面体空隙共面心。同时，图片中的原子占据晶胞顶点和面心的位置，构成面心立方堆积结构。因此，答案为B：和。'闪锌矿晶体结构中，Z=__。()

A:3B:4C:6D:8答案:AI参考:正确答案是C：6。\n闪锌矿晶体结构中，每个锌离子周围有6个S离子，所以Z=6。'下列关于石英晶体与石英熔体的说法中，正确的是()。

A:石英熔体中有规律的排列B:石英晶体中呈架状结构C:石英晶体远程有序D:石英熔体远程无序答案:AI参考:正确选项为B和D。\n\n石英晶体中呈架状结构，晶格有序，是典型的格子构造，所以B选项正确。石英熔体远程有序且远程无序，因此D选项正确。而A和C选项表述过于专业，普通考生可能难以理解。\n\n总的来说，B和D选项是正确答案，而A和C选项则是属于超纲内容，不作考虑。'下面关于晶界说法正确的是？（）

A:根据角度不同晶界可分为大、中和小角度晶界B:晶界处的原子能级高，熔点比晶粒低C:晶界上的原子排列疏松，容易受到化学腐蚀D:结构和取向不同的晶体相互接触面称为晶界答案:AI参考:正确选项为：D:结构和取向不同的晶体相互接触面称为晶界。\n\n晶界是结构和取向不同的晶体相互接触的面，因此D选项是正确的。晶界处的原子能级高，熔点比晶粒高，而不是低，因此B选项是错误的。晶界上的原子排列疏松，但不容易受到化学腐蚀，因为晶界处有各种杂质和缺陷，C选项也是错误的。至于A选项，晶界根据不同的分类标准可以有不同的分类方式，因此A选项也是正确的，但并不是本题所要求的答案。'有一种平板玻璃组成为（wt%重量百分比），其密度为2.5g/cm3,以下该玻璃的结构参数值正确的是()

A:Y=3.24B:X=0.76C:Y=3.26D:X=0.75答案:AI参考:正确选项为：B和D。\n\n解释：根据题意，已知平板玻璃的组成为xwt%，密度为2.5g/cm3，需要通过已知数据计算出玻璃的结构参数值。\n\n结构参数包括两部分：结合键长度和面间距。其中结合键长度可以用X表示，面间距可以用Y表示。由于题目没有给出具体的结合键类型和面型类型，所以只能根据密度和组成比例进行大致估算。\n\n由于玻璃的结构为离子键结构或共价键结构，而密度是结合键强度的反映，因此可以推测玻璃的结构可能是离子键结构。如果按照离子键结构进行估算，由于离子键结构中正负离子间的作用力主要是库仑力，结合键长度大致与离子半径相当，而密度又与面间距有关，因此可以初步估算X大致为0.76，Y大致为3.26。由于没有具体的数据支持这个估算，因此只能作为参考。\n\n综上所述，选项B和D是可能的正确选项。'结构中的配位数有__和__两种，所以具有水化物活性和胶凝性能。()

A:8B:3C:4D:6答案:AI参考:正确答案是C，4种配位数。\n\n根据题目描述，结构中包含了两个标签，每个标签中都包含了一个图片链接和一个宽度和高度属性。根据题目中的描述，这两个标签的配位数有8种，其中前一个标签的配位数有3种，后一个标签的配位数有4种。\n\n因此，答案是C，即4种配位数。这个结构的配位数主要包括两个标签内的图片链接以及两个标签之间的链接等，具有一定的水化物活性和胶凝性能。\n\n此外，要注意题目要求的是结构中的配位数而不是选项中提到的数量。所以其他选项都不正确。'当粘土吸附后，其工艺性能变化规律正确的是（）

A:泥浆的触变性降低B:泥浆的流动性增加C:泥浆的电动电位增加D:泥浆的可塑性降低答案:AI参考:正确选项为：B:泥浆的流动性增加；D:泥浆的可塑性降低。\n\n粘土吸附水分子后，会形成水化层，这会使得泥浆的流动性增加，B选项正确。同时，由于水化层的形成，粘土颗粒间的间隙减小，可塑性降低，D选项正确。触变性是泥浆的重要性质