电子技术基础Ⅰ（模拟部分）智慧树知到期末考试答案2024年

电子技术基础Ⅰ（模拟部分）智慧树知到期末考试答案2024年电子技术基础Ⅰ（模拟部分）在相同的电源电压、输入信号和负载情况下，OCL和OTL两种功放电路的效率相同（）

A:正确B:错误答案:正确二极管除了用于整流外，还可以用来钳位（）

A:错B:对答案:对FET电流源的输出电流与基准电流之间的关系取决于两个FET的宽长比（）

A:正确B:错误答案:正确稳定放大电路的Q点，采用在发射极串入电阻的方法，它是利用反馈原理实现的（）

A:正确B:错误答案:正确集成运放中的镜像电流源为各级放大电路静态工作点设置而存在的（）

A:错误B:正确答案:正确稳压二极管的PN结势垒区厚度比整流二极管的PN结势垒区厚度小得多（）

A:正确B:错误答案:正确全波整流电路中的4个二极管，其电特性参数必须相同（）

A:错误B:正确答案:正确负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（）

A:错B:对答案:对流过二极管的电流Q点电流为1mA，则其等效电阻值为13Ω（）

A:正确B:错误答案:错误发射区、基区和集电区，基区是最薄的（）

A:对B:错答案:对三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是反向偏置（）

A:错误B:正确答案:错PN结形成后，其内电场的扩散和漂移达到平衡状态（）

A:错误B:正确答案:正确三极管处于截止状态时，发射结和集电结都是反向偏置（）

A:对B:错答案:对负反馈既可以抑制反馈环内的噪声，也可以抑制反馈环外的噪声（）

A:正确B:错误答案:错误多级放大电路的频带宽度比任何一级放大电路的频带宽度宽（）

A:对B:错答案:错只要在放大电路中引入负反馈，就一定能使其性能得到改善。（）

A:错B:对答案:对正弦波信号经过半波整流后的平均值为正弦波信号的0.45倍（）

A:对B:错答案:对二极管的理想模型、恒压降模型和折线模型都是针对大信号输入而言的（）

A:错B:对答案:对30场效应管的小信号模型分析，条件是信号基本在特性曲线上的线性范围内工作（）

A:正确B:错误答案:正确发射区掺杂的浓度比集电区掺杂的浓度高（）

A:错B:对答案:对P沟道增强型MOSFET的开启电压小于零（）

A:错误B:正确答案:正确BiCMOS放大电路中，既有MOSFET又有BJT（）

A:正确B:错误答案:正确在稳压管稳压电路中稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流。（）

A:错误B:正确答案:错误光电二极管和发光二极管都是在正向电压下工作的（）

A:错误B:正确答案:错误在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是电压反馈。

A:输出量增大B:净输入量增大C:净输入量减小D:输入电阻增大答案:输出量增大在下面有关PN结的论述中，不正确的是（）

A:不外加电压时，PN结内是电中性的B:PN结内的电场阻止P区和N区的多数载流子越结扩散C:PN结内的载流子数量较P区和N区都少D:P区和N区掺入杂质越多，PN结越薄答案:不外加电压时，PN结内是电中性的在分压式稳定静态工作点放大电路中，静态工作点VCEQ=()

A:VCC﹣ICQ（RC﹢Re）B:IBQRCC:VCC﹣IEQReD:VCC﹣ICQRC答案:VCC﹣ICQ（RC﹢Re）在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。

A:净输入量减小B:输出量增大C:输入电阻增大D:净输入量增大答案:减小与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）。

A:无失真B:不用输出端电容C:不用输出变压器D:效率高答案:效率高直流稳压电源中滤波电路的目的是（）

A:将纹波由大变小B:将高频变为低频C:将交、直流混合量中的交流成分滤掉D:将交流变为直流答案:将交、直流混合量中的交流成分滤掉对镜像电流源描述正确的是（）

A:镜像电流源的输出电流是恒定的电流源B:组成镜像电流源的两个场效应管的栅极相连接C:镜像电流源的输出与基准电流基本相等D:组成镜像电流源的两个晶体三极管的基极相连接答案:组成镜像电流源的两个晶体三极管的基极相连接###组成镜像电流源的两个场效应管的栅极相连接###镜像电流源的输出与基准电流基本相等对晶体三极管放大电路的工程常识描述正确的是（）

A:放大电路的输出信号电流一般是几毫安B:放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压C:放大电路的输出功率一般是瓦特级D:放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流答案:放大电路的输出功率一般是瓦特级对PN结击穿描述正确的是（）

A:利用雪崩击穿原理，PN结可以做成稳压二极管B:雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿C:当外加反向击穿电压撤除后，齐纳击穿的PN结可以恢复原状D:2AP9表示的是普通二极管答案:雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿;利用雪崩击穿原理，PN结可以做成稳压二极管;当外加反向击穿电压撤除后，齐纳击穿的PN结可以恢复原状;2AP9表示的是普通二极管关于Ｐ型半导体下列说法错误的是（）

A:没有电子B:带正电C:呈电中性D:只有空穴答案:没有电子;只有空穴;带正电电压串联负反馈对放大器的影响是（）

A:增加输入电阻B:减小输入电阻C:增加输出电阻D:减小输出电阻答案:增加输入电阻;减小输出电阻三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是正向偏置（）

A:错B:对答案:AI参考:正确。三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是正向偏置。此时，三极管相当于一个电阻，其阻值很小，相当于短路，因此电流很大。因此，答案为B，即“对”。'关于共模抑制比描述错误的是：

A:噪声属于共模信号B:电路的差模增益为50，共模增益为0.05，则共模抑制比为40dBC:共模抑制比越大，电路抑制共模信号的能力越强D:共模抑制比反映的是差动放大电路抑制共模信号的能力答案:AI参考:关于共模抑制比描述错误的是共模信号属于噪声，电路的差模增益为50，共模增益为0.05，则共模抑制比为40dB，其他选项描述正确。\n\n因此，答案为A：噪声属于共模信号。'下列传递函数表示低通滤波器的是（）

A:B:C:D:答案:AI参考:正确选项是C:。\n\n低通滤波器是一种在信号处理中常用的滤波器，它的传递函数在低频段（低频率）处具有较高的增益，而在高频段（高频率）处具有较低的增益。因此，选项C中的传递函数在低频段处具有较高的增益，符合低通滤波器的特性。选项ABD中的传递函数在高频段处具有较高的增益，不符合低通滤波器的特性。'如图所示，信号源内阻为600Ω，三极管的β为50，当信号源为15mV时，输出约为（）

A:-180mVB:-135mVC:-210mVD:-120mV答案:AI参考:根据电路图，信号源内阻为600Ω，三极管的β为50，所以放大电路中，放大倍数约是1.8(放大倍数等于输出电压与输入电压之比)，由于放大倍数约为1.8，所以输出电压约为15mV的1/1.8倍，即约为-120mV。因此选项D是正确答案。\n\n注意：由于三极管的β值越大，放大倍数越高，输出信号的幅度也会越大。因此，在选择答案时，需要综合考虑输入电压、三极管的β值、信号源内阻以及电路的其他参数来得出一个比较合适的答案。题目给出的答案选项并不完全符合所有的条件，需要谨慎选择。'温度上升后,三极管以下参数受温度影响最大的是（）

A:本征半导体B:掺杂半导体C:P型半导体D:N型半导体答案:AI参考:正确选项为【B:掺杂半导体】。\n\n三极管是一种基于半导体工艺制成的电子器件，其工作原理是基于PN结的电流放大效应。掺杂半导体是指通过掺入不同种类的杂质来改变半导体的电学性质，从而增强三极管的放大效应。因此，掺杂半导体是影响三极管温度特性的主要因素，其工作温度范围和性能稳定性会受到温度变化的影响。而本征半导体、P型半导体和N型半导体是构成三极管的必要元素，但它们对温度的敏感程度不如掺杂半导体。因此，答案为B：掺杂半导体。'对稳压电源描述正确的是（）

A:开关稳压电源效率高，输出电压纹波小B:串联稳压型电源输出是小功率的，而开关稳压电源输出是大功率的C:串联稳压型电源是降压型的D:开关稳压电源既可以是降压型的，也可以是升压型的答案:AI参考:正确选项是：A:开关稳压电源效率