GB/T 15651.5-2024半导体器件第5-5部分：光电子器件光电耦合器

ICS31080

CCSL.50

中华人民共和国国家标准

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

半导体器件第5-5部分

:

光电子器件光电耦合器

Semiconductordevices—

Part5-5Otoelectronicdevices—Photocoulers

:pp

IEC60747-5-52020IDT

(:,)

2024-03-15发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………2

电特性

4……………………9

光电晶体管输出型光电耦合器

4.1……………………9

光电双向晶闸管输出型光电耦合器或固态光继电器

4.2……………10

具有电击防护功能的光电耦合器

5………………………11

概述

5.1…………………11

类型

5.2…………………11

额定值

5.3………………11

电气安全要求

5.4………………………12

电气环境和或耐久性测试信息补充信息

5.5、/()……………………13

光电耦合器的测试方法

6…………………19

电流传输比H

6.1F(ctr)…………………19

输入输出电容C

6.2-IO…………………20

输入输出隔离电阻R

6.3-(IO)…………20

隔离试验

6.4……………21

光电耦合器的局部放电

6.5……………22

光电耦合器的集电极发射极饱和电压V

6.6-CE(sat)…………………25

光电耦合器的开关时间tt

6.7on,off……………………27

峰值关断状态电流I

6.8DRM……………28

峰值导通电压V

6.9TM…………………30

直流关断电流I

6.10BD…………………32

直流导通电压V

6.11T………………33

维持电流I

6.12H………………………34

关断电压临界上升率Vt

6.13d/d……………………34

输入触发电流

6.14……………………36

光电耦合器的共模瞬态抑制CMTI测试方法

6.15()………………37

光控双向闸流晶体管型耦合器的电额定值的测试方法

7………………39

关断状态重复峰值电压V

7.1DRM……………………39

Ⅰ

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

关断状态直流电压V

7.2BD……………40

附录规范性输入输出安全试验

A()/…………………41

目的

A.1………………41

测试电路

A.2…………………………41

电路描述

A.3…………………………41

注意事项

A.4…………………………41

测试步骤

A.5…………………………41

规定条件

A.6…………………………41

参考文献

……………………42

Ⅱ

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已经发布了以下部分

GB/T156515-5。GB/T15651:

半导体器件分立器件和集成电路第部分光电子器件

———5:(GB/T15651—1995);

半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件基本额定值和特性

———5-2:(GB/T15651.2—

2003);

半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件测试方法

———5-3:(GB/T15651.3—2003);

半导体器件分立器件第部分光电子器件半导体激光器

———5-4:(GB/T15651.4—2017);

半导体器件第部分光电子器件光电耦合器

———5-5:(GB/T15651.5—2024);

半导体器件第部分光电子器件发光二极管

———5-6:(GB/T15651.6—2023);

半导体器件第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管

———5-7:(GB/T15651.7—2024)。

本文件等同采用半导体器件第部分光电子器件光电耦合器

IEC60747-5-5:2020《5-5:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

范围中删除了注的内容与的英文翻译成中文都是光电耦合器

———,“optocoupler”“photocoupler”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口

。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院中国电子科技集团公司第四十四研究所威凯检测

:、、

技术有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所国网江苏省电力有限公司

、、。

本文件主要起草人刘秀娟赵英张佳宁曹勇崔波龚磊徐晓轶刘东月成先文霍福广

:、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

引言

制定系列的第部分为光电耦合器产品的测试评价等提供适当的依据

GB/T156515-5,、。

系列的第部分是半导体光电子器件的系列标准主要规定了光电子器件的总体要

GB/T156515,

求基本额定值和特性测试方法半导体激光器光电耦合器发光二极管光电二极管和光电晶体管等

、、、、、、

器件的技术要求质量保证规定等内容拟由以下几个部分构成

、,。

第部分光电子器件目的在于给出半导体光发射器件半导体光电探测器件半导体光敏

———5:。、、

元器件内部工作机理与光辐射有关的半导体器件和分类型器件的标准

、。

第部分光电子器件基本额定值和特性目的在于给出半导体光电子发射器件半导体

———5-2:。、

光电探测器件半导体光敏器件内部进行光辐射工作的半导体器件及分类为光电子器件的基

、、

本额定值和特性用于光纤系统或子系统的除外

,。

第部分光电子器件测试方法目的在于给出光电子器件的测试方法用于光纤系统或

———5-3:。,

子系统的除外

。

第部分光电子器件半导体激光器目的在于规定半导体激光器的基本额定值特性及

———5-4:。、

测试方法

。

第部分光电子器件光电耦合器目的在于规定光耦合器的术语基本额定值特性安

———5-5:。、、、

全试验及测量方法

。

第部分光电子器件发光二极管目的在于规定发光二极管的术语额定值和特性测

———5-6:。、、

试方法和质量评估方法

。

第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管目的在于规定光电二极管和光电晶体

———5-7:。

管的术语基本额定值和特性以及测量方法

、。

Ⅳ

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

半导体器件第5-5部分

:

光电子器件光电耦合器

1范围

本文件规定了光电耦合器的基本额定值特性安全试验及测试方法

、、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

环境试验概述和指南

GB/T2421—2020(IEC60068-1:2013,IDT)

音视频信息技术和通信技术设备第部分安全要求

GB4943.1—2022、1:(IEC62368-1:

2018,MOD)

注被引用的内容与被引用的内容没有技术上的差异

:GB4943.1—2022IEC62368-1:2018。

低压系统内设备的绝缘配合第部分原理要求和试验

GB/T16935.1—20231:、(IEC60664-1:

2020,IDT)

环境试验第部分试验方法试验低温

IEC60068-2-12:A:(Environmentaltesting—Part2-1:

Tests—TestA:Cold)

环境试验第部分试验方法试验高温

IEC60068-2-22:B:(Environmentaltesting—Part2-2:

Tests—TestB:Dryheat)

环境试验第部分试验方法试验振动正弦

IEC60068-2-62:Fc:()[Environmentaltesting—

Part2-6:Tests—TestFc:Vibration(sinusoidal)]

环境试验第部分试验方法试验温度变化

IEC60068-2-142:N:(Environmentaltesting—

Part2-14:Tests—TestN:Changeoftemperature)

环境试验第部分试验方法试验密封

IEC60068-2-17