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题目：PN[研究PN学习用PN[DH-PN-2PN结正向特性综合实验仪、DH-SJ[PN结正向电流IFVFq为电子电荷；k为玻尔兹曼常数；T为热力学温度；Is为反向饱和电流，它是一种和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数C是与结面积、掺杂浓度等有关的常数；r是常数，其数值取决于少数载流子迁移率对温度的关系（r=3.4）；Vg(0)0KPN结材料的导带底和价带顶的电势差。Vl，VnlT1TVF1VF时，正向电压理论值与无视非线性部分值得当温度变化范畴较小时，该偏差可无视（IF也可改善线度），IF=常数，则正向压降只随温度升高线性下降，这就是PN结测温的根据。[插好Pt100温度传感器和PN结温度传感器，两者连接均为直插式。PN结引出线分别插入PN结正向特性综合实验仪上的+V、-V和+I、-I。TR，统计下起始温度TR玻尔兹曼常数kPNI～VkPN结正向特性综合实验仪上的电流量IF输出示值，观察统计对应的正向电压VF值读数。PNV～TV～TIF（IF=50µA100μA的值，以减小本身热效应）TSTR（TR）DH-SJ型温度传感器实验装置上的“加热电流”开关置“开”位置，根据目的0.3～0.6A之间）。这时加热炉内温度开始升高，统计对应的VF和T。可按VF每变化10mV5mV读取一组V、TIF应保持不变。升温速率要慢，且设定的温度不适宜过高（硅管必须控制在120℃以内，锗管必须控制在45℃以内）。根据数据，绘制ΔV～T根据作出的ΔV～TSPNPN结材料的禁带宽度Eg（0）=qVg（0），T=-273.2K0KEg（0）值与公认值（硅Eg（0）=1.21eV，锗Eg（0）=0.78eV）比较，求其相对误差。I~U曲线测量数PN结材料： 实验温度Ts

17.6UF/VIF/UF/VIF/UF/VIF/UF/VIF/kPNIF与压降UFIF

exp(qUFIF2.28108exp(37.015UF),(R2q37.015k1.49031023J/Kk1.38071023JK的相对误差为ηU~TIF50.0PN控温电流UF(T)/UUF(T)UF(TS)/T/T/锗0----硅0-----------UF1.746T89.89,(R2FF

2.504T625.11,(R2Ug(0)UF(0C)ST(VEg(0)qUg(0)(eVPN结UF(0C)/Ug(0)/V计算值Eg(0)公认值Eg(0)锗硅 Vkr(TT) T理

PN末温度T/U//UF锗硅PN结材料中由.Vn1引发的线性误差均远不大于U耗尽层复合电流 exp(2kTI2exp(mkTmI1、I2T升高而减小，因此温度越高引发的二极管电流误差越小，由于锗管实验中温U-Ik1

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