MOOC 电子技术基础-模拟电子技术-南京工程学院 中国大学慕课答案

MOOC电子技术基础—模拟电子技术-南京工程学院中国大学慕课答案1.1.1随堂测验1、问题：本征半导体中，若掺入的是价元素，则形成N型半导体。选项：A、3B、4C、5D、6正确答案:【5】2、问题：在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：在绝对零度且无光照射时，本征半导体中没有价电子能够摆脱共价键的束缚。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.1.2随堂测验1、问题：杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、温度B、掺入杂质元素的多少C、掺杂工艺D、晶格缺陷正确答案:【掺入杂质元素的多少】2、问题：在本片半导体中如果掺入的是三价微量元素，则形成N型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：少子是由本征激发所产生的，所以对光照和温度敏感。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.1.3随堂测验1、问题：硅二极管正常工作时，反向电流很小，且其大小随反向电压的增大而ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、增大B、减小C、基本不变D、击穿正确答案:【基本不变】2、问题：PN结是由于漂移运动所形成的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：空间电荷区由不能移动的杂质离子所构成的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.2.1随堂测验1、问题：对于面接触型的二极管，下列说法正确的是ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、可以承受较大电流，适合低频使用。B、可以承受较大电流，适合高频使用。C、可以承受较小电流，适合低频使用。D、可以承受较小电流，适合高频使用。正确答案:【可以承受较大电流，适合低频使用。】2、问题：点接触型二极管适合于低频、小电流情况下使用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：当二极管用于大电流工作时，要求PN结的结面积大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.2.2随堂测验1、问题：当温度升高时，二极管的反向饱和电流将ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、减小B、不变C、增大D、不能判断正确答案:【增大】2、问题：当温度升高时，二极管正反向特性曲线的特点是ꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、正向特性曲线左移，反向特性曲线上移。B、正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。C、正向特性曲线右移，反向特性曲线上移。D、正向特性曲线右移，反向特性曲线下移。正确答案:【正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。】3、问题：锗管反向电流比硅管反向电流小得多。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】1.2.3随堂测验1、问题：二极管的最高反向工作电压，通常规定为ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、击穿电压B、击穿电压的一半C、击穿电压的二倍D、死区电压正确答案:【击穿电压的一半】2、问题：当工作频率过高时，二极管将失去单向导电性。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：二极管如果超过最大整流电流，就一定会烧坏。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】1.3.1随堂测验1、问题：二极管导通后对大信号所呈现的电阻，称为二极管的ꢀꢀ。选项：A、直流电阻B、交流电阻C、导通电阻D、正向电阻正确答案:【导通电阻】2、问题：二极管的模型主要有理想模型、恒压降模型和小信号模型。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：在同时含有直流电源和小信号交变源的电路中，电流或电压的总量约等于静态量与动态量的叠加。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.3.2随堂测验1、问题：当二极管回路电源电压较低时，采用ꢀꢀ模型比较合理。选项：A、恒压降B、理想C、恒流源D、小信号正确答案:【恒压降】2、问题：二极管的直流电阻、导通电阻和交流电阻是三个不同的概念。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：用模拟指针式万用表的电阻挡测量二极管正向电阻时，不同量程挡测得的正向电阻值是相同的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：对于既有直流电源又有小信号源的电路，应先采用恒压降模型估算工作点，再用小信号模型进行动态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.1随堂测验1、问题：只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：利用二极管的正向特性也可以实现稳压。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：正常情况下，稳压二极管工作在反向击穿区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.2随堂测验1、问题：光电二极管工作时需要加偏置电压，工作于ꢀꢀꢀꢀꢀ状态。选项：A、正向；导通B、正向；截止C、反向；导通D、反向；截止正确答案:【反向；截止】2、问题：发光二极管ꢀꢀꢀꢀꢀ导通时发光，工作电流的典型值为ꢀꢀꢀꢀ。选项：A、正偏；20mAB、正偏；10mAC、反偏；20mAD、反偏；10mA正确答案:【正偏；10mA】3、问题：光电二极管的光电流随光照强度的增大而上升。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.3随堂测验1、问题：肖特基二极管的导通电压ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ，大约为ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、较高；0.7VB、较高；0.4VC、较低；0.7VD、较低；0.4V正确答案:【较低；0.4V】2、问题：变容二极管在电路中的主要作用是ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、稳压B、整流C、可变电容器D、发光正确答案:【可变电容器】3、问题：发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管，使用时应加正偏电压，且串接合适的限流电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第1章作业第1章单元测验1、问题：半导体本征激发会成对产生ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、自由电子B、空穴C、自由电子和空穴D、杂质离子正确答案:【自由电子和空穴】2、问题：ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流。选项：A、增加B、减小C、不变D、为0正确答案:【增加】3、问题：ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层。选项：A、增厚B、变薄C、厚度不变D、厚度为0正确答案:【变薄】4、问题：在室温27度时，硅二极管的死区电压大约为V。选项：A、0.3B、0.2C、0.5D、0.7正确答案:【0.5】5、问题：在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为V。选项：A、0.1B、0.2C、0.3D、0.5正确答案:【0.1】6、问题：二极管反向饱和电流随着温度的升高而。选项：A、增加B、减小C、不变D、趋于0正确答案:【增加】7、问题：发光二极管正常工作时需要施加偏置电压。选项：A、正向B、反向C、正向或反向D、0正确答案:【正向】8、问题：杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。选项：A、温度B、掺杂浓度C、光照D、外加电压正确答案:【掺杂浓度】9、问题：半导体器件对ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ敏感，这会导致器件性能的不稳定。选项：A、温度B、光照C、温度和光照D、掺杂浓度正确答案:【温度和光照】10、问题：半导体二极管的重要特性之一是。选项：A、单向导电性B、滤波特性C、放大作用D、温度稳定性正确答案:【单向导电性】11、问题：硅管的反向电流比锗管的反向电流ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ，因此硅管的单向导电性和温度稳定性ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、大得多；较差B、小得多；较好C、大得多；较好D、小得多；较差正确答案:【小得多；较好】12、问题：如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管。选项：A、电流为0B、电击穿C、电流过大使管子烧坏D、正常导通正确答案:【电流过大使管子烧坏】13、问题：锗二极管的开启电压为。选项：A、0.5V左右B、0.4V左右C、0.2V左右D、0.1V左右正确答案:【0.2V左右】14、问题：当未加外部电压时，PN结中的电流。选项：A、为0B、从P区流向N区C、从N区流向P区D、为最小正确答案:【为0】15、问题：PN结形成后，空间电荷区由组成。选项：A、电子B、空穴C、杂质离子D、价电子正确答案:【杂质离子】16、问题：变容二极管在电路中的主要作用是。选项：A、发光B、可变电容器C、整流D、稳压正确答案:【可变电容器】17、问题：流过二极管的正向电流增大时，其直流电阻将。选项：A、增加B、减小C、为0D、不变正确答案:【减小】18、问题：在下列二极管中，需要正偏工作的是。选项：A、发光二极管B、光电二极管C、稳压二极管D、变容二极管正确答案:【发光二极管】19、问题：二极管整流电路的作用，是将正弦电压变成。选项：A、余弦电压B、单向脉动电压C、双向脉动电压D、直流电压正确答案:【单向脉动电压】20、问题：半导体二极管正向偏置，处在正常工作状态，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】22、问题：在P型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题：杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】24、问题：杂质离子不能移动，因此不是载流子。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】25、问题：N型半导体因为其多子是自由电子，所以它带负电。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】26、问题：二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到，并应接有合适的降压电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】27、问题：肖特基二极管导通电压比普通二极管低。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】28、问题：发光二极管反向击穿电压一般大于5V，为安全起见，一般工作在5V以下。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】29、问题：光电二极管反向电流随光照强度增加而上升。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】30、问题：稳压二极管工作在反向击穿区，但属于电击穿。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】31、问题：工程中分析包含有二极管的电路，多采用恒压降模型进行静态分析，再用小信号模型进行动态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】32、问题：对包含多个二极管的电路进行分析时，要注意优先导通的管子会对其它管的工作状态产生影响。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】33、问题：理想二极管等效为一个理想压控开关，正偏时开关合上，反偏时开关断开。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】34、问题：二极管的伏安特性受温度影响较大，当温度升高时，正向特性曲线向右移，反向特性曲线向上移。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】35、问题：热击穿是可逆的，电击穿是不可逆的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】36、问题：PN结两侧的电位差称为内建电位差，也叫接触电位差。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】37、问题：对小信号而言，二极管的伏安关系呈线性，因此可以用一个电阻来等效。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】38、问题：只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】39、问题：本征激发会成对产生自由电子和空穴。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】40、问题：纯净的半导体称为本征半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】41、问题：N型半导体的多数载流子是电子。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】42、问题：P型半导体中的多数载流子是空穴。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】43、问题：当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】44、填空题：纯净且无杂质的半导体称为。正确答案:【本征半导体】45、填空题：P型半导体中的多数载流子是。正确答案:【空穴】46、填空题：N型半导体的多数载流子是。正确答案:【电子##%_YZPRLFH_%##自由电子】47、填空题：当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个。正确答案:【PN结##%_YZPRLFH_%##空间电荷区##%_YZPRLFH_%##耗尽层##%_YZPRLFH_%##阻挡层##%_YZPRLFH_%##势垒区】48、填空题：半导体二极管的最重要的特点是具有。正确答案:【单向导电性】49、填空题：变容二极管是一个非线性电容，电容量随反向电压增加而。正确答案:【减小##%_YZPRLFH_%##变小】50、填空题：用万用表电阻挡测试二极管时，若正向电阻远ꢀꢀꢀ于反向电阻，说明二极管性能较好。正确答案:【小##%_YZPRLFH_%##低】51、填空题：用万用表电阻挡测试二极管，其正、反向电阻均为零，说明二极管内部已ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。正确答案:【短路##%_YZPRLFH_%##短接##%_YZPRLFH_%##热击穿】52、填空题：稳压二极管是利用二极管的ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ特性实现稳压。正确答案:【反向击穿##%_YZPRLFH_%##稳压】53、填空题：光电二极管工作时需加ꢀꢀꢀ偏置电压。正确答案:【反向】54、填空题：稳压管使用时应串接ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ，以保证反向电流不超过最大允许电流，避免热击穿。正确答案:【限流电阻##%_YZPRLFH_%##降压电阻##%_YZPRLFH_%##电阻】2.1.1随堂测验1、问题：晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度ꢀꢀꢀꢀ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度ꢀꢀꢀꢀ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。选项：A、高；低B、高；高C、低；低D、低；高正确答案:【高；低】2、问题：在晶体管的图形符号中，NPN管发射电流方向是ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ的，PNP管的发射电流方向是ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ的。选项：A、流入；流出B、流入；流入C、流出；流出D、流出；流入正确答案:【流出；流入】3、问题：晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.1.2随堂测验1、问题：晶体管具有电流大作用的外部条件是，发射结ꢀꢀꢀꢀꢀ，集电结ꢀ。选项：A、正偏；反偏B、正偏；正偏C、反偏；反偏D、反偏；正偏正确答案:【正偏；反偏】2、问题：晶体管截止的条件是，发射结ꢀꢀꢀꢀꢀ，集电结ꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、正偏；正偏B、正偏；反偏C、0偏或反偏；正偏D、零偏或反偏；反偏正确答案:【零偏或反偏；反偏】3、问题：晶体管工作于饱和状态时，集、射之间相当于开路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2.1.3随堂测验1、问题：对于硅三极管，死区电压约为ꢀꢀꢀ，对于锗三极管，死区电压约为ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、0.1V；0.5VB、0.5V；0.1VC、0.7V；0.5VD、0.5V；0.2V正确答案:【0.5V；0.1V】2、问题：硅三极管的导通电压通常取为ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、0.7VB、0.5VC、0.2VD、0.1V正确答案:【0.7V】3、问题：温度升高时，晶体管的导通电压ꢀꢀꢀꢀ，电流放大系数ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、增大；减小B、增大；增大C、减小；减小D、减小；增大正确答案:【减小；增大】2.1.4随堂测验1、问题：穿透电流随温度的上升而ꢀꢀꢀꢀꢀ，这时晶体管的温度稳定性ꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、增加；变好B、增加；变差C、减小；变差D、减小；变好正确答案:【增加；变差】2、问题：集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗，则晶体管的性能将变坏，甚至过热烧坏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：当晶体管工作于放大状态时，直流放大系数与交流放大系数基本相等。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.2.1随堂测验1、问题：晶体管直流电路的分析方法主要有ꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、工程近似分析法B、图解分析法C、仿真分析法D、工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法正确答案:【工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法】2、问题：在工程近似法中，对于硅二极管，其导通电压可用0.2V表示。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：晶体管输出端外电路的伏安特性方程，也称为晶体管的输出电路的直流负载方程。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：晶体管的静态工作点Q非常重要，只有当Q点处于放大区时，管子才具有放大能力。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.2.2随堂测验1、问题：晶体管发射结正偏导通时，工作状态有和两种可能。选项：A、放大；截止B、放大；饱和C、截止；饱和D、放大；击穿正确答案:【放大；饱和】2、问题：NPN型硅晶体管工作于饱和状态时，集射之间的电压近似等于。选项：A、0.5VB、0.7VC、0.2VD、0.3V正确答案:【0.3V】3、问题：晶体管做为开关电路使用时，是工作在放大状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2.2.3随堂测验1、问题：当输入为时，可利用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。选项：A、正弦小信号B、低频大信号C、低频小信号D、高频小信号正确答案:【低频小信号】2、问题：图解分析法的缺点是分析问题的过程比较复杂，对小信号而言，作图的精度低。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：在工程分析中，通常先用工程近似法进行静态分析，再用小信号模型分析法进行动态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.3.1随堂测验1、问题：当栅源电压为0时，管不可能工作在恒流区。选项：A、JFETB、EMOSC、DMOSD、NMOS正确答案:【EMOS】2、问题：场效应管从结构上可分为两大类，即和。选项：A、MOS场效应管；结型场效应管B、MOS场效应管；耗尽型场效应管C、增强型MOS场效应管；耗尽型场效应管D、耗尽型MOS场效应管；结型场效应管正确答案:【MOS场效应管；结型场效应管】3、问题：EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2.3.2随堂测验1、问题：对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为场效应管和场效应管。选项：A、MOS；结型B、增强型；结型C、增加型；耗尽型D、耗尽型；结型正确答案:【增加型；耗尽型】2、问题：饱和漏极电流是增强型管的参数。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：从对沟道的影响来讲，开启电压和夹断电压属于同一种参数。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.3.3随堂测验1、问题：低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：跨导是一个与工作点无关的物理量。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：场效应管的耗散功率大小受到管子最高工作温度的限制。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.3.4随堂测验1、问题：JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结，目的是使得输入电阻。选项：A、正偏；很大B、正偏；很小C、反偏；很大D、反偏；很小正确答案:【反偏；很大】2、问题：静态工作点的分析可以采用小信号模型。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：场效应管电路的分析方法与晶体管电路的分析方法相类似，也是先静态分析，后动态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第2章作业第2章单元测验1、问题：某NPN管电路中，测得BE之间的电压为0V，BC之间电压为-2V，则可知该晶体管工作于状态。选项：A、放大B、饱和C、截止D、不能确定正确答案:【截止】2、问题：在下列场效应管中，无原始导电沟道的为。选项：A、N沟道JFETB、耗尽型PMOS管C、耗尽型NMOS管D、增强型PMOS管正确答案:【增强型PMOS管】3、问题：输入时，可用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。选项：A、低频大信号B、低频小信号C、高频大信号D、高频小信号正确答案:【低频小信号】4、问题：具有不同的低频小信号模型。选项：A、NPN管和PNP管B、增加型FET和耗尽型FETC、晶体管与场效应管D、N沟道场效应管和P沟道场效应管正确答案:【晶体管与场效应管】5、问题：当GS之间的电压为0时，管不可能工作在恒流区。选项：A、EMOS管B、NMOS管C、JFETD、DMOS管正确答案:【EMOS管】6、问题：工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从lmA变为2mA，那么它的β约为。选项：A、83B、91C、100D、50正确答案:【100】7、问题：晶体管处于放大状态时，下列的正确说法是。选项：A、发射结反偏，集电结也反偏。B、发射结反偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结也正偏。D、发射结正偏，集电结反偏。正确答案:【发射结正偏，集电结反偏。】8、问题：晶体管处于饱和状态时，要求ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、发射结反偏，集电结反偏。B、发射结反偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结反偏。D、发射结正偏，集电结正偏。正确答案:【发射结正偏，集电结正偏。】9、问题：晶体管截止时，两个PN结的偏置关系是ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、发射结反偏或零偏，集电结反偏。B、发射结反偏或零偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结反偏。D、发射结正偏，集电结正偏。正确答案:【发射结反偏或零偏，集电结反偏。】10、问题：对小功率NPN硅管处于放大区时，ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、ＵＣＥ≥ＵＢＥ。B、ＵＣＥ≤ＵＢＥ。C、ＵＣＥ＝ＵＢＥD、ＵＣＥ≈0.3V正确答案:【ＵＣＥ≥ＵＢＥ。】11、问题：对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ后，才会形成导电沟道。选项：A、开启电压绝对值B、夹断电压绝对值C、导通电压绝对值D、死区电压正确答案:【开启电压绝对值】12、问题：利用晶体管的开关特性可构成开关电路，这时管子工作在ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ。选项：A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、饱和或截止状态正确答案:【饱和或截止状态】13、问题：下列说法不正确的是ꢀꢀꢀ。选项：A、双极型三极管通常简称为晶体管B、双极型三极管通常简称为三极管C、双极型三极管通常简称为BJTD、双极型三极管通常简称为FET正确答案:【双极型三极管通常简称为FET】14、问题：根据结构的不同，场效应管的类型通常分为种。选项：A、3B、4C、5D、6正确答案:【6】15、问题：晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通，集电结反偏。。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】16、问题：晶体管处于截止区的条件是发射结反偏或零偏，集电结反偏。。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：晶体管输出特性通常分为三个区域，它们是可变电阻区，饱和区和截止区。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题：当温度升高时，晶体管的电流放大系数将变小。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：当温度升高时，晶体管的反向饱和电流将减小。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：场效应管是利用栅源电压改变导电沟道的宽窄来实现对漏极电流控制的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：场效应管属于电流型控制型器件。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】22、问题：晶体管主要作用是不失真地放大电压信号，为保证这一点，选择一个合适的静态工作点非常重要。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题：可以采用小信号模型进行静态工作点的分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】24、问题：场效应管的重要特性之一是具有很高的输入阻抗。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】25、问题：EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】26、问题：JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】27、问题：场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】28、问题：场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】29、问题：FET工作时只有一种载流子参与导电，这就是电子。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】30、问题：FET全夹断时，没有导电沟道，但仍有电流通过。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】31、问题：当温度升高时，晶体管导通电压增加。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】32、问题：场效应管的放大区也就是饱和区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】33、问题：晶体管要求有合适的静态工作点，目的是使管子在信号变化范围内近似线性工作。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】34、问题：在分析晶体管放大电路时，通常先估算静态工作点和rbe，然后用小信号等效电路法进行交流分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】35、问题：晶体管画交流通路的关键之一是将电容断路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】36、问题：晶体管画直流通路的关键是：(1)将大电容视为短路；(2)直流电压源视为短路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】37、问题：开启电压是是耗尽型场效应管夹断导电沟道所需的栅源电压。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】38、问题：开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】39、问题：低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微变量之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】40、问题：集电极功耗若超过集电极最大允许功耗，管子性能将变坏，甚至过热烧坏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】41、问题：集电极电流若超过最大允许电流，电流放大系数将明显下降，但不一定损坏管子，但若电流过大，则会烧坏管子。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】42、问题：晶体管的小信号模型也称为H参数简化小信号模型、小信号等效电路或微变等效电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3.1随堂测验1、问题：某放大电路，负载开路时输出电压为3V，接入2kΩ负载时输出电压为2V，则输出电阻为（ꢀꢀ）kΩ。选项：A、0.5B、1C、2D、4正确答案:【1】2、问题：某放大电路，信号源内阻为150Ω，信号源电压为20ｍＶ，输入电压为16ｍＶ，则输入电阻为（ꢀꢀ）Ω。选项：A、600B、0.6C、150D、120正确答案:【600】3、问题：变压器可以将电压变大，它也是一种放大电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：频率失真是由线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，属于线性失真。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、填空题：已知放大电路的｜Au｜＝100，则电压增益为ꢀꢀꢀdB。正确答案:【40】3.2（1）随堂测验1、问题：电容耦合分压式电流负反馈共射极放大电路中，欲减小UCEQ，可以（ꢀꢀ）。选项：A、减小RCB、减小RLC、减小RB1D、减小β正确答案:【减小RB1】2、问题：分压式电流负反馈共射极放大电路中，要提高工作点的稳定性，可以（）。选项：A、增大RCB、增大REC、减小RED、增大β正确答案:【增大RE】3、填空题：放大电路的静态工作点根据ꢀꢀꢀ通路进行估算。正确答案:【直流】3.2（2）随堂测验1、问题：电容耦合分压式电流负反馈共射极放大电路中，欲提高电压放大倍数，可以（ꢀꢀ）。选项：A、减小RＣB、减小RＬC、增大RＥD、增大RＢ２正确答案:【增大RＢ２】2、问题：共射极放大电路的性能特点是（）。选项：A、反相放大B、电压放大倍数接近1C、输入电阻很大D、有很强的负载驱动能力正确答案:【反相放大】3、问题：分压式电流负反馈共射极放大电路中，输出电阻Rｏ＝RＣ∥RＬ。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3.2（3）随堂测验1、问题：为使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（ꢀꢀ）放大电路。选项：A、共射极B、共集电极C、共基极D、以上都可以正确答案:【共集电极】2、问题：共集电极放大电路的性能特点有（）。选项：A、同相放大，电压放大倍数高B、电压放大倍数接近于1C、输入电阻很大D、带负载能力强正确答案:【电压放大倍数接近于1#输入电阻很大#带负载能力强】3、问题：共基极放大电路的性能特点有（）。选项：A、同相放大B、高频特性好C、输入电阻很小D、源电压放大倍数不高正确答案:【同相放大#高频特性好#输入电阻很小#源电压放大倍数不高】4、问题：共集电极放大电路又称为射极跟随器选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3.2（4）随堂测验1、问题：共源极场效应管放大电路的性能特点有（ꢀꢀ）。选项：A、反相放大B、输入电阻很大C、输出电阻很小D、放大倍数不很高正确答案:【反相放大#输入电阻很大#放大倍数不很高】2、问题：场效应管放大电路的偏置电路都可以采用自给偏压电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：共漏极场效应管放大电路的电压放大倍数小于1。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3.3（1）随堂测验1、问题：选用差分放大电路的主要原因是（ꢀꢀ）。选项：A、减小零漂B、提高输入电阻C、稳定放大倍数D、减小失真正确答案:【减小零漂】2、问题：差分放大电路中RE电阻的作用是（）。选项：A、稳定工作点B、提高差模输入电阻C、稳定差模放大倍数D、抑制零漂正确答案:【稳定工作点#抑制零漂】3、填空题：差分放大电路对ꢀꢀꢀ信号具有放大作用，对ꢀꢀꢀ信号具有很强的抑制作用。差分放大电路的零漂很ꢀꢀ。（答案之间用逗号隔开）正确答案:【差模，共模，小】4、填空题：某差分放大电路的两个输入端电压分别为ui1＝40mV，ui2＝10mV，则该电路的差模输入电压uid为ꢀꢀmV，共模输入电压uic为ꢀꢀꢀmV。（答案之间用逗号隔开）正确答案:【30，25】3.3（2）随堂测验1、问题：对电流源而言，下列说法不正确的为（ꢀꢀ）。选项：A、可以用作偏置电路B、可以用作有源负载C、交流电阻很大D、直流电阻很大正确答案:【直流电阻很大】2、问题：把长尾式差分放大电路中的发射极公共电阻RE改为电流源可以（ꢀꢀ）。选项：A、增大差模输入电阻B、提高共模增益C、提高差模增益D、提高共模抑制比正确答案:【提高共模抑制比】3、问题：差分放大电路中，可以用电流源代替RE电阻是因为电流源的内阻很大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3.3（3）随堂测验1、问题：差分放大电路由双端输出改为单端输出，则差模电压放大倍数（ꢀꢀ）。选项：A、不变B、提高一倍C、提高两倍D、减小为原来的一半正确答案:【减小为原来的一半】2、问题：空载时，差分放大电路单端输入的电压放大倍数变为双端输入时的一半。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：差分放大电路双端输出时，主要靠发射极公共电阻的负反馈作用来抑制温漂。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3.4（1）随堂测验1、问题：把放大电路分为甲类、乙类、甲乙类是根据晶体管在一个信号周期内的（）来区分的。选项：A、导通时间B、是否进入饱和区C、是否处于放大状态D、饱和程度正确答案:【导通时间】2、问题：功率放大电路、共射极放大电路、射极输出器的共同点是：（ꢀꢀ）选项：A、能放大电压信号B、具有很强的带负载能力C、效率高D、是能量转换器正确答案:【是能量转换器】3、问题：功率放大器主要要求输出功率大，所以输出功率越大越好。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3.4（2）随堂测验1、问题：OCL电路的最大管耗发生在（）。选项：A、静态B、Uom=0.5VccC、输出最大不失真功率时D、Uom约等于0.64Vcc正确答案:【Uom约等于0.64Vcc】2、问题：功率放大电路的效率是指最大不失真输出功率与直流电源所提供的平均功率之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：乙类互补对称功放在输出不失真情况下，输入信号越大，则输出功率越大，效率越高。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：OCL电路中最大不失真输出功率Pom≈V2CC/2RL，说明Pom与管子参数和输入信号无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、填空题：输出功率为10W的乙类OCL电路，所选用晶体管的额定管耗至少为ꢀꢀW。正确答案:【2】3.4（3）随堂测验1、问题：在OTL功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的最大集电极功耗约为（ꢀꢀ）。选项：A、0.2WB、0.1WC、0.5WD、1W正确答案:【0.2W】2、问题：下图中能构成NPN型复合管电路的为（ꢀꢀ）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：OTL电路输出端必须串接大容量的电容器，它起到将单电源功放电路等效为双电源功放电路的作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3.5（1）随堂测验1、问题：直接耦合放大电路不能放大ꢀ（ꢀꢀ）。选项：A、缓慢变化的交流信号B、交流信号C、直流信号D、频率远大于该电路上限频率的信号正确答案:【频率远大于该电路上限频率的信号】2、问题：直接耦合多级放大电路中零漂危害最大的一级是（）。选项：A、输出级B、放大倍数最大的一级C、输入级D、中间级正确答案:【输入级】3、问题：多级放大电路的输入电阻与第二级电路的输入电阻无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：多级放大电路的输出电阻与末前级电路的输出电阻无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：多级放大电路的总增益等于各级放大电路增益的乘积。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、填空题：多级放大电路中常用的耦合方式有ꢀꢀ耦合、直接耦合、变压器耦合和光电耦合等。正确答案:【电容】3.5（2）随堂测验1、问题：集成运放输入级多采用差分放大电路主要是为了（ꢀꢀ）。选项：A、减小温度漂移B、提高放大倍数C、提高输入电阻D、提高电路效率正确答案:【减小温度漂移】2、问题：集成运放的中间级应提供足够大的放大倍数；输出级应具有较强的带负载能力，并且最大不失真输出电压应尽量大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：集成运放的两个输入端之间满足虚短和虚断。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、填空题：由理想集成运放构成的电路如下图所示，已知ui=2V，则输出电压uo=V。正确答案:【8】3.1~3.3作业3.4~3.5作业3.1~3.3单元测验1、问题：某放大电路，负载开路时输出电压为3V，接入1kΩ负载时输出电压为1.5V，则输出电阻为kΩ。选项：A、0.5B、1C、1.5D、2正确答案:【1】2、问题：某放大电路，信号源内阻为100Ω，信号源电压为20ｍＶ，输入电压为16ｍＶ，则输入电阻为Ω。选项：A、0.4B、100C、400D、500正确答案:【400】3、问题：已知放大电路的?Au?=100，?Ai?=10，则下述错误的为。选项：A、电压增益为40dBB、电流增益为20dBC、功率增益为60dBD、电压放大倍数为100正确答案:【功率增益为60dB】4、问题：反映了放大电路对信号源或前级电路的影响。选项：A、信号源内阻B、输入电阻C、输出电阻D、负载电阻正确答案:【输入电阻】5、问题：放大电路中负载电阻的能量取自于。选项：A、信号源B、有源器件C、直流电源D、晶体管正确答案:【直流电源】6、问题：双极型三极管基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共极电路选项：A、源B、基C、集电D、发射正确答案:【集电】7、问题：三极管三种基本组态放大电路中，输出电阻最小的是共极电路选项：A、发射B、源C、基D、集电正确答案:【集电】8、问题：单级三极管放大电路中，既能放大电压又能放大电流的是共极电路选项：A、集电B、漏C、发射D、基正确答案:【发射】9、问题：单级晶体管放大电路中，输出电压与输入电压反相的有共极电路。选项：A、漏B、发射C、基D、集电正确答案:【发射】10、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【B】11、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【A】12、问题：共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下经耦合电容接上负载电阻时，失真消失，这是由于。选项：A、晶体管交流负载电阻减小B、Q点上移C、Q点下移D、晶体管输出电流减小正确答案:【晶体管交流负载电阻减小】13、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【D】14、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【C】15、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【B】16、问题：示电路是共极放大电路。选项：A、源B、基C、集电D、发射正确答案:【基】17、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【B】18、问题：选用差分放大电路的主要原因是。选项：A、减小零漂B、提高输入电阻C、稳定放大倍数D、减小失真正确答案:【减小零漂】19、问题：把长尾式差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以。选项：A、提高共模抑制比B、提高差模增益C、增大差模输入电阻D、提高共模增益正确答案:【提高共模抑制比】20、问题：对电流源而言，下列说法不正确的为。选项：A、交流电阻很大B、可用作偏置电路C、可用作有源负载D、直流电阻很大正确答案:【直流电阻很大】21、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【D】22、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【D】23、问题：为了不失真地放大信号，要求放大电路的通频带不小于信号的频带。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】24、问题：放大电路的输出电阻可由放大电路的开路输出电压除以短路输出电流求得。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】25、问题：放大电路的输出电阻越小，则负载对输出电压的影响就越小，放大电路带负载能力就越强。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】26、问题：放大电路只要静态工作点合理，就可以放大电压信号。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】27、问题：频率失真是由线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，属于线性失真。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】28、问题：场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】29、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】30、问题：放大电路的静态工作点根据直流通路进行估算。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】31、问题：欲将小信号放大100倍，可选用共射极放大电路，也可选用共基极放大电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】32、问题：欲采用一级电路将小信号放大90倍，可选用共射极放大电路，也可选用共源极放大电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】33、问题：欲放大器的放大倍数为-10，输入电阻为2MHz，可选用共射极放大电路，也可选用共源极放大电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】34、问题：性能较好的差分放大电路，对差模信号具有放大作用，而对共模信号和零漂具有很强的抑制作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】35、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】36、问题：差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值称为共模抑制比.选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】37、问题：将差分放大电路由双端输入改为单端输入，差模电压放大倍数将保持不变。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3.4~3.5单元测验1、问题：乙类放大管在一个信号周期内的导通情况，下述正确的为。选项：A、导通角小于180°而大于90°B、导通时间为一周C、导通时间为半周D、导通时间为大半周正确答案:【导通时间为半周】2、问题：由于晶体管存在死区电压，所以乙类互补对称电路会产生失真。选项：A、线性B、交越C、饱和D、频率正确答案:【交越】3、问题：输出功率为10W的乙类OCL电路，所选用晶体管的额定管耗至少为W。选项：A、20B、10C、5D、2正确答案:【2】4、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【B】5、问题：功率放大电路、共发射极放大电路和射极输出器的共同点是。选项：A、能放大电压信号B、具有很强的带负载能力C、效率高D、是能量转换器正确答案:【是能量转换器】6、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【D】7、问题：功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高。选项：A、输出功率B、放大器效率C、放大倍数D、负载能力正确答案:【放大器效率】8、问题：OTL电路负载电阻RＬ=10Ω，电源电压VCC=10Ｖ，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为Ｗ。选项：A、1.25B、2.5C、5D、10正确答案:【1.25】9、问题：选项：A、此为OTL原理电路B、电容器C有隔直耦合作用C、电容器C有将单电源功放电路等效为双电源功放电路的作用D、电容器C的电容量应足够小正确答案:【电容器C的电容量应足够小】10、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【D】11、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【A】12、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【D】13、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【A】14、问题：模拟集成电路中，同一芯片上相同元器件。选项：A、参数绝对误差均很小B、参数均不受温度影响C、参数一致性好D、参数值都很小正确答案:【参数一致性好】15、问题：集成运放中间级采用有源负载和复合管主要是为了。选项：A、提高输出功率B、提高电压放大倍数C、提高共模抑制比D、减小温漂正确答案:【提高电压放大倍数】16、问题：选项：A、B电路的小B、A电路的小C、两个电路的零漂相等D、不能确定正确答案:【B电路的小】17、问题：选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【C】18、问题：A类、B类和AB类功放电路中，B类的效率最高选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：提高功率放大器效率的常用措施