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文档简介

硅雪崩光电二极管(SiAPD)是一种特殊类型的光B.McCarthy报道了锗和硅PN结在击穿附近的光电流倍增现象。1955电二极管实际上是工作接近(但尚未达到)雪崩击穿状态并且高度均方面，由于嚏随着注入光强的增加，雪崩光电二极管的线性范围在种波动在半导体中更为严重。光电流中的均方噪声电流(iJian)通由于F大于1并且随着的增加而增加嚏，只有当接收系统(包括雪崩光电二极管、负载电阻器和前置放大器等探测器设备)的噪声主要由负载电阻器和放大器的热噪声决定时，才会增加雪崩增益嚏可的噪声主要由光电流的噪声决定时嚏不能再提高系统的性能。在这有PN结类型(同质或异质PN结。其中，有通用PN结、PIN结和特殊结构，如N+PπP+结)、金属半导体肖特基势垒类型和金属氧化物等技术来制备InGaAsInP材料可以实现原子级精度控制并提高器件子照射到InGaAsInP单光子雪崩二极管上时，雪崩二极管中的电子-基于InGaAsInP单光子雪崩二极管的红外单光子探测技术在许本文介绍了基于InGaAsInP单光子雪崩二极管的红外单光子探InGaAsInP单光子雪崩二极管的红外单光子探测技术具有成的光电二极管的P-N结施加反向偏压之后，指数级增加),因此这种类型的二极管被称为“雪崩光电二极管”。P+接收光),工作时施加大的反向偏压以实现雪崩倍增状态；它的光吸收区域与加倍区域(即具有高电场的P和I区域)基本一致。InGaAs/InPAPD是一种长波长(3μn。55μm)波段的光纤通信是一种理想的光电探测器。光的吸收层由InGaAs材料制P-N结放置在InP窗口层内部。考虑到InP材料中的空穴电离系数大于电子电离系数，选择n型InP作为雪崩区。在n-InP和n-InGaAs在两者之间，带隙逐渐变化的InGaAsP(砷磷酸铟镓)的过渡区被夹性能；半导体材料优于Si(广泛用于检测9um以下的光),但Ge和InGaAs通常用于检测1um以上的长波长光(具有高噪声和暗电流)。止光吸收),而在光吸收区使用带间隙较窄的材料；这里，由于使用导致其隧穿电流降低(如果是突变异质结，因为△Ev的存在会导致数，增益带宽乘积为常数。为了获得高的乘积，应该选择大的Vs、低和击穿电压增加。使用击穿电压的温度系数Lu描述APD的温度特(过量噪声)。速光纤通信，商用产品的速度已达到10Gbit/s或更高。管)和一个互阻抗放大器。在同一封装中，同时使用了放大器和光电制带宽或定制产品。还有一个带有尾纤封装的14引脚双列直插式插持模块的响应性恒定。另外两种类型的HUV模块可用于低频高增益应用，覆盖从紫外线到近红外的宽光谱范围。C30659-1550-RO8BH,C30659-550-

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