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文档简介

半导体的反射谱和透射谱和发光谱

半导体的反射谱和透射谱和发光谱1.

能带

①底导带由

,顶价带由

产生.②产生的激子:

为单态激子,

为

三重态激子,与光场耦合微弱,属于偶极禁戒跃迁,在反射谱上没有显示.于是

即H对角化.

描述激子极化激元的类激子特征,

描述激子极化激元的类光子特征.UPB●类激子支到类光子支之间过渡区域；③LPB中瓶颈部分：经验公式

②激子极化激元范围（包括类激子支）

●激子动能与

可比.

●激子极化激元中激子与光子耦合最强区域.空间色散结果①多模传播

②附加边界条件（ABC）●一般边界条件只有两个：法向，切向,因此无法确定

这三个量.●

ABC：佩卡条件：

即激子不能从样品中

逸出,因而样品表面处的激子极化强度为零.进一步修正：在一定厚度的表面层中不存在激子,即存在无激子层.

●最小厚度为激子玻尔半径.由于外加电场可致激子电离,因此外加电场可使无激子层厚度增加.●入射光多次反射,然后以多模形式在半导体中传播.●合理解释了实验结果.③

激子在

激子在

光场强耦合,即可以

产生激子极化激元.方向上分别与④B价带的线性项(源于

使得单态激子

与三重态激子

合,该混合态与光子耦合,产生附加激子极化激元.﹡时间反演对称性：t→-t,系统的运动规律不变，即运动规律不变和时间流逝的方向的先验取法无关，这种对称性就是运动反演对称性。混①反射率

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