电阻电容电感二极管

电阻电容电感二极管电阻电阻定义电阻是电阻器的简称Resisto，通常用“R”表示，是全部电子系统中使用最频繁电子元件电阻的主要物理特性是将电能转换为热能电流经过它就会产生内能是耗能元件。在电路中的符号常用“ ”表示。电阻分类电阻的种类很多，一般可以按以下几种方法来划分：按阻值可否调整分为固定电阻器、可变电器两大类。阻值固定的电阻称为固定电阻；阻值连续可变的电阻称为可变电阻(包括微调电阻和电位器)。按制造材料分为合金型、薄膜型和合成型三大类。合金型电阻器是用块状的电阻合金拉制成电阻合金线或碾压成电阻合金箔所制成的电阻器阻、被漆线绕电阻、瓷壳线绕电阻〔水泥电阻。线绕电阻因其额定功率较大，又称功率型器的电阻体是导电颗粒和有机〔或无机〕黏合剂的混合物，可以制成薄膜和实心两种形式，如合成碳膜、合成实心和金属玻璃釉电阻器等。按引出线的不同分为轴向引线电阻器和无引线电阻器。按安装方式分为插件电阻和贴片电阻。按用途不同分为通用电阻器、周密电阻器、高频电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器等。下面对其中一些电阻器进展分类介绍。1-1名称名称碳电器型构造膜 用碳氢化合物在高温真空下热分解，阻使其在陶瓷骨架上沉积一层碳膜形成碳RT 膜电阻。通过掌握厚度和刻槽来掌握阻值，外表一般涂有缘色保护漆线绕电阻器RJ型特性，受电压和频率影响小，脉冲负载稳定、价廉应用广泛阻值范围：1Ω~10MΩ2W、5W、10W用真空蒸发法或渗透法在陶瓷骨架耐热性能噪声指标温度系数和电压上涂覆一层金属膜〔一般为镍铬合金〕，系数都比碳膜电阻好体积〔同样额定功外表涂有红色保护漆 率下约为碳膜电阻器的一半，精度可达±0.5%~±0.05%，可用于高额缺点：高额特性差阻值范围：1Ω~620MΩ额定功率：0.125W0.25W0.5W1W、2W线绕电阻度系数小，稳定性好，精度可达±0.01%，器RX漆或玻璃釉耐热性好，工作温度可达315℃，功率大型缺点：高频特性差阻值范围：0.1Ω~5MΩ额定功率：0.125~500W金属用金属盐溶液〔四氧化锡和三氯化比金属膜电阻器有较好的抗氧化性和氧化锑，在炎热的陶瓷骨架外表水解沉积而50kW膜电得阻器阻局部RY型阻值范围：1Ω~200kWΩ额定功率：0.125~10W，25~50kW合成将炭黑、石墨、填料和有机黏合剂混因电阻体是实心构造，故机械强度高，实心合成粉料，经热压成实心电阻器具有较强的过负荷力量〔包括脉冲负荷，电阻牢靠性较高，体积小，廉价器RS型感较大，对电压和温度稳定性差阻值范围：407Ω~22MΩ额定功率：0.25~2W合成将炭黑、石墨、填料和有机黏合剂配阻值范围宽，价廉。但抗湿性差，噪声碳膜大，频率特性不好，电压稳定性低。主要用电器阻RH而成来制造高压高阻电阻器。阻值范围：10~106MΩ型额定功率：0.25~5W最高工作电压：35kV玻璃由贵金属银钯、铑、钉等的金属氧化耐高温，阻值范围宽，温度系数小，耐釉电物〔氧化钯、氧化钉等〕和玻璃釉合剂混湿性好，此种电阻器又称厚膜电阻器。阻器合成浆料，涂覆在陶瓷基体上，经高温烧阻值范围：5.1Ω~200MΩRI型合金箔电阻器RJ711

结而成在玻璃或陶瓷片上黏结一层电阻合金箔，用光刻腐蚀出迂回图形作为电阻体，外加保护层而构成

额定功率：0.05~2W最高工作电压：15kV5~500W达±0.001%1ms，可用于高速脉冲电路阻值范围：5Ω~20kΩ额定功率：0.125~1W电阻标识方法1、直标法可直接识读，不需解释。2、文字符号法：是用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合起来表示阻值和允许偏差的标志方法。表示单位并兼作小数点的文字符号：RΩ，KK,MMΩ。B±0.1%，C±0.25%，D±0.5%，F±1%，G±2%，J±5%，K±10%，M±20%，N±30%。例如：2R2K2.2Ω允许偏差是±5K%。3、色标法色环法是现在最常用的标志方法，应当娴熟把握。目前国标上普遍使用色环标识电阻，1-2所示。颜色123倍乘 误差黑0001—棕11110±1F红2221K±2G橙33310K——黄444100K——绿5551M±0.5D蓝666—±0.25C紫777—±0.10B灰888—±0.05A白999———金————±5J银————±10K1-2色标法〔1〕2条数据环、1条倍率环和一条误差环构成。(2)1条数据环，阻值精度较高，误差在±239×10-20.39Ω，允许偏差是±5%152×10-115.2Ω，允许偏差是±2%4、三位数码标志法10100Ω时直接用两位数标志。读出单位都Ω，≥1000ΩKΩ，≥1000KΩMΩ。举例：101101Ω10101100Ω103103Ω10乘以10310KΩ105105Ω1MΩ5656Ω等等。电阻的型号及命名依据国标GB247—8，电阻的型号由主称1-1所示： 区分代号〔大写字母〕区分代号〔大写字母〕序号〔数字〕分类〔一般用数字，个别用字母〕材料〔字母〕主称〔大写字母〕1-1表1-3 电阻器的命名符号及意义第一局部：主称

其次局部：材料

第三局部：特征分类意义

第四局部符号意义符号意义符号电阻器电位器T碳膜1一般一般H合成膜2一般一般S有机实心3超高频N无机实心4高阻标略有差异，J金属膜5高温但根本上不Y氧化膜影响互换的C沉积膜7周密周密产品赐予同R电阻器I玻璃釉膜8高压W电位器P硼碳膜9特别特别〔RP〕U硅碳膜G高功率的差异明显X线绕T可调影响互换时，M压敏W微调则在序号后G光敏D多圈面用大写字B温度补偿用母作为区分C温度测量用代号予以区R热敏P旁热式别W稳压式Z正温度系数例如，周密金属膜电阻器的型号为RJ71。设计中电阻器的书写格式为：RT1-0.25W-470Ω±10%式中，RT1——一般碳膜电阻；0.25W——功率；470Ω——阻值；±10%——阻值的误差。1.1.2。称其次局部：材料第三局部：包装及引线第四局部：类型称其次局部：材料第三局部：包装及引线第四局部：类型13相反，与轴垂直R电阻器1621平行23垂直符号 意义 符号意义数字意义符号意义D碳膜05Y一般型〔适RDRS、RK〕C碳质GF一般型〔适RC〕S金属氧化物08相反，与轴平行J一般型〔适RW〕W线绕S绝缘型K金属化H高频型BN周密线绕金属膜PN耐脉冲型耐温型14平行NL低噪声型24 直26第五局部：功率〔W〕第六局部：标称阻值

状引出方向一样，与轴垂直

第七局部：阻值允许偏差〔%〕符号2B意义0.125〔1〕阻值＜10ΩR表示，第一位数表示阻值的个位数，R表示小数2E0.25点，R右面的数表示阻值的小数值2H0.5〔2〕阻值≥10Ω1个三位数表3A1示阻值，其中第一、二位是有效数字，第三1-63D210次幂电阻器的参数及表示方法噪声等。首先标称电阻值是指标注于电阻体上的电阻值。为了大批便于工厂批量生产电阻，国标GB2471-811-5所列数值，或表列数10n。其中，n0整数。E24允许偏差E12允许偏差表1-5 电阻器的标称阻值系列E6 E24 E12允许偏差 允许偏差 允许偏差E6允许偏差±5%±10%±20%±5%±10%±20%1.01.01.03.33.33.31.13.61.21.23.93.91.34.31.51.51.54.74.74.71.65.11.81.85.65.62.06.22.22.22.26.86.86.82.47.52.72.78.28.23.09.1等于其标称值，允许有肯定的偏差。称该偏差为允许偏差。RRm100%Rm式中，R——实际阻值；Rm——标称阻值。固定电阻器的允许偏差及文字符号见表1-6。表1-6 固定电阻器的允许偏差及文字符号允许偏差允许偏差±0.001%±0.002%±0.005%±0.01%±0.02%±0.05%±20%文字符号YXELPWM允许偏差±0.1%±0.25%±0.5%±1%±2%±5%±10%±30%文字符号BCDFGJKN料和尺寸对电阻的功率消耗要有肯定的限制，保证其安全工作的功率值是电阻器饿标称功1-7。名称1-7电阻器的功率系列额定功率〔W〕实心电阻器0.250.5125线绕电阻器0.5、12、610、1525、3550、75100、150薄膜电阻器0.025、0.125、0.5、12、510、2550、1000.050.251-8几何尺寸〔mm〕几何尺寸〔mm〕金属膜电阻氧化膜电阻碳膜电阻沉积膜电阻额定功率〔W〕 长0.625直径长直径长8直径2.5长直径0.12572.272.2122.582.60.2582.682.6154.510.84.20.510.84.210.84.2254.56.61136.613286218.58.618.58.6468最终，一起介绍最大工作电压、温度系数、噪声。电阻器在不发生电击穿、放电等有害现象时，其两端所允许加的最大电压，称为最大工作电压U

。由标称功率和标称阻值，当m电阻两端所加电压Up

Um

，电阻将被击穿，是电阻m值的变化，温度系数是指温度每变化1℃引起电阻值的变化量与标准温度下〔一般指25℃〕1/ppm/℃。电阻器的噪声是产生于电阻中的一种不规章所引起的电流噪声。电阻在回路中的作用电阻在回路中的作用有四种：分流、分压、限流、降压。分流：当电阻处与并列状态时起到的分流作用。分压：当电阻处与串连状态时起到的分压作用。为限流。到降压作用。电阻损坏状况：表现为明显的断路电容电容定义电容是电容器的简称，是最常见的电子元器件之一，其字母符号为C。顾名思义，电容器就是“储存电荷的容器”及电介质常数：CSd极板上的电压与电容的乘积。即：Q=CUQ：一个极板上的电荷，单位为库仑C。U：两极板间的电位差，单位为伏特VC：电容量，单位法拉。S：极板面积，单位为平方米m。d：两极板间距，单位为米。ε米〔F/。1F=106μF=109nF=1012pF由上式看出，当电容器电容量肯定时，两极板所加电压越高，储存的电荷越多。电容器的主要作用储存电荷隔直流耦合沟通信号。并联于电源两端用作滤波。并联于电阻两端旁路沟通信号。串联于电路中，隔断直流通路，耦合沟通信号。与其它元件协作，组成谐振回路，产生锯齿波、定时等。电容器符号++一般电容器可变电容器 极性电容器一般电容器 同轴双联电容器同轴双联电容器微调电容器图2-1电容器符号电容器的分类及型号分类：电容器种类繁多，有按介质分的，也有按容量是否可变分的。按介质材料分类有机介质：复合介质、纸介质、塑料介质〔涤纶、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯、薄膜复合。无机介质：云母电容器、玻璃釉电容器〔圆片状、管状、矩形、片状电容器、穿心电容器、陶瓷〔独石〕电容器。气体介质：空气电容、真空电容、充气电容。电解质：一般铝电解、钽电解、铌电解。按容量是否可调分类固定电容器可变电容器〔空气介质、塑膜介质〕微调电容器〔陶瓷介质、空气介质、塑膜介质〕2-1所示2-1电容器的类别、特点及用途类别名称特点及用途纸介电容器纸介及密封纸介电容器(筒形或管形)电路小型及密封型金属化纸介电容器(立式或卧式)后当电压恢复正常时仍能工作油浸密封金属化纸介电容器(立式矩形)容量大，耐压高，漏电量小，用于要求高的场合云母电容器云母电容器(包括密封型)体积小，稳定性好，耐压高，漏电及损耗均小，但容量不大，宜用于高频电路瓷介电容器 低压及小型瓷介电容器 体积小绝缘电阻高损耗小，稳定性高容量小可用于高频电路；温度系数有正有负，可用于温度补偿玻璃釉电容器薄膜电容器电解电容器型号命名及标注方法：

微调瓷介电容器圆片铁电瓷介电容器玻璃釉电容器(包括小型)器等电解电容器(包括密封型、小型及纸壳电解电容器等)

电路作微调不稳定，可作旁路用体积小，能在200～250℃高温下工作，抗潮性好围内性能稳定，介质损耗小，但温度系数大用于电源滤涉及音频旁路用数字表示产品的序号用数字或字母表示外形构造特征

一般圆形无极性用字母表示介质材料主称，用C表电容

A.钽电解B.聚苯乙烯C.高频陶瓷D.铝电解E.其它材料电解等2-2电容命名方法第一局部字母含义：主称C其次局部字母含义：A：钽电解。BBB/B：聚苯乙烯等非极性薄膜〔常在B后再加一字母区分具体材料C：高频陶瓷。D：铝电解〔一般电解。E：其它材料电解。GH：纸膜复合。I：玻璃釉。J：金属化纸介。〔、S等：聚酯类有机薄膜〔常在L后再加一字母区分具体材料N：铌电解。O：玻璃膜。Q：漆膜。S：聚碳酸酯。T：低频陶瓷。V、X：云母纸。Y：云母。Z：纸介。第三局部数字〔字母〕含义：数字或字母瓷介电容云母电容有机电容电解电容1圆形非密封非密封箔式2管形非密封非密封箔式3叠形密封密封烧结粉，非固体4独石密封密封烧结粉，固体5穿心穿心6支柱形等7无极性8高压高压高压9G高功率特别特别T叠片式W微调电容2-2例如：CC23从左到右依次是电容、高频陶瓷、管形、产品序号。电容器的标称电容量法、数字标志法和色标法等。直标法：直接用数字和单位符号在电容器外表标出额定电压、标称电容量及允许误差。例100V、200p±10%，其中单位符号”F”被省略了。文字符号法：用数字和文字符号的组合来表示标称电容量，其文字符号用以表示电容量的单位，有p(pF)、n(nF)、μ(μF)、m(mF)、F(F)等五种，文字符号前的数字表示电容量的整数33p233.2pF，1n0表示1nF，3μ323.32μF等。数字标志法：体积很小的电容器可以用数字标志其标称电容量，一般用三位数字标志，前单位一律为pF。例如标志数字为”472”，则表示标称电容量为4700pF，但第三位数字为”9”10-1。色标法：用不同颜色的色带或色点在电容器外表标出标称电容量、允许误差，色标法表示的电容量单位为”pF”。同电阻的色标法。电容器的主要参数1．耐压耐压是指电容器在电路中长期有效地工作而不被击穿所能承受的最大直流电压构、介质、容量一样的器件，耐压越高，体积越大。在沟通电压中，电容器的耐压值应大于6．3V，IOV，16V，25V，50V等。要小于沟通有效值的1．42倍。使用电解电容的时候，还要留意正负极不要接反。2．容量与误差实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围就是误差3III级±。10％，IlJ级±20％。在有些状况下，还有0级，误差为±2％。周密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们承受不同的误差等级。温度系数温度系数是在肯定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。绝缘电阻兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。5．损耗在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值t来表示。在抱负状况下，沟通信号流过电容器时电流将超前90“，但实际上由于任何电容器都存在肯定的损耗，此时的电容器可等效于一个抱负电容器C和一个损耗电阻R串联而成。由于损耗电阻R的存在，使得沟通信号流过电容器时的电流相位将小于90°。这种由于损耗电阻R的存在而使电流相位比抱负电容器电流相位滞后的角度就被称为损耗角。上面的R在有的书中也称电容器的等效串联电阻，该等效电阻的数值越小，电容的质量越好。损耗电阻R的凹凸，与电容器的容量、电压、频率及温度都有关系，当额定电压固定时，容量愈大损耗电阻R愈低。有人习惯将多个小电容并接成一个大电容以降低内部等效阻抗，依据理论这是可行的，但假设考虑电容接脚焊点的阻抗，不见得肯定会有收获。介质损耗和金属损耗两类。金属损耗包括电容器的金属极板和引线端之间的接触电阻所引起的损耗t电容器工作在高频电路中时，金属损耗所占的比例约为整个损耗的80％。介质损耗包括介质的漏电流所引起的电导损耗耗(即介质与极板之间在电离作用下引起的能量损耗)。频率特性在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小，损耗也随频率的上升而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。全部这些，使得电容器的使用频率受到限制。电容器频率特性是指电容器工作在沟通电路(尤其在高频电路中)时，其电容量等参数将的电损耗也将增加。局部常用电容的最高工作频率见表10。电路可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波电路可以选用电解电容，旁路电路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。装的时候，要使电容的类别、容量、耐压等标示符号放置在简洁看到的位置，以便核实。电容器的简洁测试方法通常可以用一般万用表大致地推断电容器质量的优劣是选用R×1k或R×100挡，黑测试棒接电容器正极，红测试棒接电容器负极，假设表针摇摆大，且渐渐返回到接近∞?，则说明该电容器正常，且电容量较大；假设表针摇摆大，且渐渐返回时不到∞?处，说明电容器漏电电流大，且指针示数即为被测电容的漏电阻阻值，铝电解电容器的漏电阻应超过200k?才可使用；假设指针摇摆很大，接近0?，且不返回，说明电容已击穿，不能使用；假设表针不摇摆，说明该电容已断路失效。当测量精度要求较高时，可以用沟通电桥和谐振法等测量。电感电感的定义的磁通量与生产此磁通的电流之比。即L其中，Ψ：自感磁通量，单位为Wb〔V·s〕；I：流过导体的电流，单位为A；L：自感系数，单位为H〔Ω·s〕。当电感中通过直流电流时，其四周只呈现固定的磁力线，不随时间而变化；势，此感应电势相当于一个“电源”。当形成闭合回路时，此感应电势就要产生的变化的。由于原来磁力线变化来源于外加交变电源的变化，故从客观效果看，“自感应会发生火花，这就是自感现象产生很高的感应电势所造成的。的电动势，称为“自感电动势”。它是电感线圈惯性的量度而与外加电流无关。1从而在邻近线圈中产生感应电动势，这种现象叫互感应现象。互感应的大小常用互感系数来表示。在两个有磁交链的线圈中，互感磁通量与产生此磁通量的电流的比值，即为互感系数，简称互感，用M表示：M 12212

2121其中，ψ12：线圈L12ψ21L2

通电流时，在L通电流时，在L

中穿过的磁通量，单位：韦伯〔Wb〕；中穿过的磁通量；1I、I：分别为流过L、L1

的电流；1 2 1 2M：互感系数，单位为H〔亨利〕。用的变压器，我们将分别予以介绍。电感器符号 电感器 带铁〔磁〕芯电感器 非铁磁芯电感器可调电感器 带抽头电感器 磁芯微调电感器铁芯变压器 绕组间有屏蔽的变压器 带屏蔽变压器图3-1电感常见符号 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按绕线构造分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。按工作频率分类：高频线圈、低频线圈。按构造特点分类：磁芯线圈、可变电感线圈、色码电感线圈、无磁芯线圈等。型号与命名误差误差标称电感量电流组别区分代号型式特性〔LLZ表示阻流圈〕3-2命名方法特性：一般用G表高频，低频一般不标。—1轴向引线〔卧式；—同向引线〔立式区分代号：用字母表示，一般不标。〔50m150m〔300mD〔700m〔1600m。标称电感量：符合E系列，直接用文字标注或数码标出〔μH。误差：用字母表示。如：LG1—B—47μH±10%150mA，47μH，误差±10%。电感器主要参数1、电感量L与精度：NDLμ来打算。当线圈的长度LD时，或线圈是环状时，电感量为：L=μN2VH、mH、μH它们的换算关系：1H=1000mH1mH=1000μH它的要求视用途而定。对振荡线圈一般要求为正负0.2-0.5%,对耦合线圈和扼流圈一般要求为10-15%.2、感抗XL：电感线圈对沟通电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位Ω。它与电感量L和沟通电频率F的关系：XL=2∏FL2∏F=ω 工作角频(工作频率)3、品质因数Q：品质因数是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗与其等效的电阻的比Q=XL/R，XL=2∏FL，Q=ωL/R，品质因数愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻、骨架的介质损耗、屏蔽罩或铁芯引起的损耗、高频趋肤效应的影响等因素有关。趋肤效应：铜线，以减小高频电阻;用多股的绝缘线代替具有同样总截面的单股线，以减小趋肤效应；线圈匝数，从而减小直流电阻。4、分布电容：容。分布电容的存在使线圈Q值减小，稳定性变差，因而分布电容越小越好。为了保证线的分布电容，可减小线圈骨架的直径，用细导线绕制线圈，或承受间绕法，蜂房式绕法。5、线圈的稳定性电感量相对于温度的稳定性，用电感温度系数L表示，对于经过温度循环变化后，电感量热绕法〔绕制时将导线加热，冷却后导线收缩，以保证导线紧紧贴在骨架上〕温度增加时，大。同时，还引入介质损耗，影响Q值。6、磁场辐射的影响：“工”型或“王”型磁芯上，甚至绕在很薄的“工”磁系数高，磁场辐射小的特点。7、直流叠加特性固定电感器的直流叠加特性固定电感器的直流叠加特性行线性线圈的直流叠加特性〔µ 〕3-3直流叠加特性曲线环行磁芯环行磁芯线圈的构造与常用磁芯线圈通常由骨架、绕组、磁芯、屏蔽罩等组成。除线圈绕组外其余局部依据使用场合各不一样，图3-4是几种常见电感线圈的构造。收音机中振荡线圈、中频变压器即承受图3-4〔a〕3-5是几种常用的线圈磁芯。屏蔽罩 磁帽磁芯支架绕组支座焊脚〔b〕带磁环的线圈〔〔b〕带磁环的线圈骨架绕组磁芯骨架绕组磁芯绕组骨架绕组〔c〔c〕不带磁芯的线圈〔d〕带磁芯的线圈〔e〕空心线圈图3-4 电感器构造螺纹磁芯罐形磁芯E形磁芯圆形磁棒图3-5 几种常用磁芯螺纹磁芯罐形磁芯E形磁芯圆形磁棒变压器成的。在电路中起电压变换和阻抗变换的作用。一、分类与型号命名分类：按用途分：电源变压器、隔离变压器、调压器、输入/输出变压器〔音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。按导磁材料分：硅钢片变压器、低频磁芯变压器、高频磁芯变压器。按铁芯外形分：E型变压器、C型变压器型、R变压器、O型变压器。型号命名中频变压器由于生产厂家不同，标志方法也不一样，下边以国产常见型号为例：用数字表示位置用数字表示外形尺寸用数字表示位置用数字表示外形尺寸分类材料主称3-6变压器命名中频变压器一般由三局部组成。第一局部：T表示中频变压器，L线圈或震荡线圈。其次局部：铁芯材料，T表磁性磁芯。第三局部：分类：F调幅中波，S短波。第四局部：用数字表外形尺寸，1—7×7×12mm，2—10×10×14mm，3—12×12×16mm，4—20×25×36mm。第五局部：用数字表示用于第几级中放。如：TTF—2—3 为调幅收音机用的磁芯中频变压器，外形尺寸为10×10×14mm，用于第三级。其它变压器一般有三局部组成：第一局部为主称、用途，用一或二个字母组成。VAW。第三局部是序号。主称局部：是按用途区分的，DB表电源变压器，CB音频输出变压器，RB音频输入变压器，GB高压变压器，等。如：DB—60—2 为60伏安电源变压器。二、变压器主要特征参数变压比〔或变阻比〕变压比是变压器初级电压〔阻抗〕与次级电压〔阻抗〕的比值，通常直接标出。如：220V/10V3：13：1，其变换关系为：U N

Z UZ1(U1)2额定功率

2 2 2 2额定功率是变压器在指定频率和电压下能长期连续工作，而不超过规定温升的输出功率，一般用伏安、瓦或千瓦表示。效率20W70%—80%，100W95%以上。空载电流变压器次级空载时，流过初级线圈的电流，叫空载电流，一般不超过额定电流的10%，5%。空载电流越大，损失越大，效率越低。绝缘电阻和抗电强度〔一般为1分钟数。一般要求电源变压器的绝缘电阻不小于500MΩ2023V。三、变压器的用途变压器在电路中电压变换、电流变换、传递功率、阻抗匹配、或阻抗变换等用途，下面只简洁介绍电压变换及阻抗匹配。1、电压变换通常我们把接电源的线圈称作初级线圈或原边线圈队作次级线圈或副边线圈左图初、次级线圈均为一个，N1为初级线圈匝数，N2为次级线圈匝数，RL为负载；U1为初级线圈沟通电压，U2为次级线圈产生的感应电压，那么,由此可见，次级电压与初级线圈匝数成反比关系。即N1＞N2时，U2＜U1，这是一个降压变压器；当N1＜N2时，U2＞U1，这是一个升压变压器。假设变压器有多个次级线圈，则每个次级线圈与初级线圈的匝数比均可能不同，所以一个变压器可以同时存在升压和降压的可能。2、阻抗匹配在电子线路的信号源和负载阻抗不匹配时配，变压器的阻抗变换功能便在此发挥作用。如左图所示，变压器的次级线圈负载为RL，次级线圈的等效负载阻抗即从变压器、B端看进去的等效阻抗为RR＇与变压比、负载的关系为：RL＇=n2×RL。五、电感在电路中的应用电感在电路最常见的功能就是与电容一起，组成LC滤波电路。我们已经知道，电容具有“阻直流，通沟通”的本领，而电感则有“通直流，阻沟通”的功能。假设把伴有很多干扰信号的直流电通过LC滤波电路〔如图〕，那么，沟通干扰信号将被电容变成热能消耗掉；变最简洁被电感阻抗，这就可以抑制较高频率的干扰信号。3-7LC滤波电路LC滤波电路在线路板电源局部的电感一般是由线径格外粗的漆包线围绕在涂有各种颜色的圆形磁LC滤波电路。另外，线路板还大量承受“蛇行线＋贴片钽电容”来组成LC电路，由于蛇行线在电路板上来回折行，也可以看作一个小电感。二极管(Ge-32)、硅(Si-14)、硒(Se-34)及金属的氧化物。硅或锗等半导体材料NP型半导体两大类：一类是在硅或锗的晶体中掺入少量五价元素，如磷(P-15)成为“少数载流子N型〔电子型〕半导体。另一类是在硅或锗的晶体中掺入少量的三价元素，如硼(B-5)，半导体中空穴数远大于电子数，即空穴成为“多数载流子半导体以空穴导电为主，所以称为P型〔空穴型〕半导体。在一块完整的晶片上，用不同的掺杂工艺使晶体的一边形成PN型半导体，那么在两者的交界处就会形成PN结。PN结是构成二极管、三极管、场效应管等半导体器件的根底。当PN结两端加正向电压〔即PN侧接电源的负极，此时PN结呈现的电阻很低，正向电流大PN结处于导通状态；当PN结两端加反向电压〔即P侧接电源的负极，N侧接电源的正极，此时PN结呈现很高的电阻，反向电流微弱PN结处于截止状态，这就是PN结的单向导电性。二极管是由一个PN结，加上引线、接触电极和管壳而构成。下面我们就各种二极管进展简洁的介绍。二极管定义电阻极大或无穷大。因此常用作整流、隔离、稳压、极性保护、编码掌握、调频调制和静噪C4-1所示。4-1常见二极管电路符号二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的集中电场和自建电场的相互抑消作用使载流子的集中电流增加引起了正向电流无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到肯定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强流，称为二极管的击穿现象。二极管的分类一、依据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不行分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，依据PN构造造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二廉价。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流〔不大于50m。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。3、合金型二极管在NPNPN4、集中型二极管在高温的PNP型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅集中型。5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与集中型一样，但是，只保存PN结及其必要的局部，把不必要说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。6、平面型二极管在半导体单晶片〔主要地是N型硅单晶片〕P型杂质，利用硅片外表氧化膜N型硅单晶片上仅选择性地集中一局部而形成的PN整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体外表被制作得平坦，故而得名。并且，PN结合的外表，因被氧化膜掩盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。7、合金集中型二极管杂质，就能与合金一起过集中，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。8、外延型二极管用外延面长的过程制造PN地掌握杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。9、肖特基二极管根本原理是：在金属〔例如铅〕和半导体N型硅片〕PN40V左右。其特长是：开关速度格外快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。二、依据用途分类1、检波二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小100m〕作为界限100mA400MHz，正向压2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性全都性好的两只二极管组合件。2、整流二极管〔100mA〕作为100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从253000伏分A～X22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz2CLG型。3、限幅二极管大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制锋利振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。体。4、调制二极管使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。5、混频二极管500～10,000Hz极管。6、放大二极管二极管。7、开关二极管有在小电流下〔10mA程度〕使用的规律运算和在数百毫安下使用的磁芯鼓励用开关二关时间特短，因而是抱负的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接〔SBD〕硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。8、变容二极管用于自动频率掌握〔AFC〕和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它很多叫法。通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率掌握、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是承受硅的集中型二极管，但是也压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调作。9、频率倍增二极管〔即急变二阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。假设对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt〔转移时间〕短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。10、稳压二极管〔又称齐纳电压从3V左右到15010200mW100WRZ2CW型；将两个互补二极管反向串接以削减温度系数则为2DW型。11、PIN型二极管〔PINDiode〕PN区之间夹一层本征半导体〔或低浓度杂质的半导体〕构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而转变。在零偏置或直流反向偏置时直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关〔即微波开关、移相、调制、限幅等电路中。12、雪崩二极管(AvalancheDiode)它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。13、江崎二极管〔TunnelDiode〕它是以隧道效应电流为主要电流重量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的〔即高浓度杂质的。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效宽度必需很窄0.01微米以下；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IPV，其中，下标“PV放大器及高频振荡器中〔其工作频率可达毫米波段，也可以被应用于高速开关电路中。14、快速关断〔阶跃恢复〕(StepRecovaryDiode)它也是一种具有PN结的二极管。其构造上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结四周具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经受一个“存贮时间”后才能降至最小〔反向饱和电流值。阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，〔阶跃恢复〕二极管用于脉冲和高次谐波电路中。15、阻尼二极管行扫描电路作阻尼和升压整流用。16、瞬变电压抑制二极管TVP管，对电路进展快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率〔500W－5000W〕和电压〔8.2V～200V〕分类。17、双基极二极管〔单结晶体管〕具有频率易调、温度稳定性好等优点。18、发光二极管用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。三、依据特性分类点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。1、一般点接触型二极管既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。2、高反向耐压点接触型二极管是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和集中型。3、高反向电阻点接触型二极管正向电压特性和一般用二极管一样。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。4、高传导点接触型二极管接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，