半导体特色工艺生产线建设项目总体设计

参加设计人员2第一章总说明 第二章工艺 5第三章总图 9第四章建筑 第五章结构 第六章暖通 第七章气动 第八章给排水 第九章电气 第十章通信、信息IT 第十一章空间管理 附录C职业安全卫生 附录E安全设施设计专篇 263附录F图纸目录 专业负责人专业人员总设计师项目总负责人工艺给排水第一章总说明—国家和地方颁发的有关工程建设的法律、规范、标准和规定。—当地规划部门对该项目提出的规划要求—建设单位提供的设计基础资料与建设单位签订的设计合同一设计采用的规范见各相关章节1.2设计指导思想和内容—严格按照生产工艺对生产环境和动力供应的技术要求进行工程设计。建筑物功能划分、建筑物间的连接、人流及物流路线及相应的配套设施应满足工艺生产的技术要求。同时注意节约能源，降低一次性投资—建筑及配套设施设计方案应具有一定的灵活性，能满足产品技术升级、工艺及设备变更及延长厂房有效使用寿命的要求。—对厂区用地作全面规划，做到功能分区明确、布局合理，在满足工程功能、安全可靠、建筑造型及环境现代化的条件下，力求节省建设投—贯彻执行国家现行标准、规范和规定，在工程设计中采取有效措施，保证工程项目顺利建成和安全、可靠的运行。—工程设计方案要为加速工程建设进度创造条件，同时充分体现技术上的先进性和经济上的合理性。在满足工程技术要求的前题下尽可能的华大半导体有限公司(以下简称“华大半导体”)是中国电子信息产业集团有限公司(CEC)整合旗下集成电路企业而组建的专业子集团。为解决我国工控及汽车电子芯片受制于人的局面，保证国家的产业安全和信息安全，满足国内外日益增长的对模拟电路和功率器件的市场需求，华大半导体制定了面向工控和汽车电子市场的“611工程”,发挥现有设计以及终端的优势，基于上海先进的汽车级品质管理和运营体系，打造面向模拟和功率器件的IDM发展模式，支撑中国智能制造2025国家战略。公司已成立上海积塔半导体有限公司，全力建设特色工艺生产线项目。1.4项目建设目标第一阶段，建设一条8英寸0.11μm6万片/月的生产线(其中包括上海先进现有的2.8万片/月8英寸产能);建设一条12英寸65nm0.3万片/月先进模拟电路先导生产线；建设一条6英寸0.5万片/月宽禁带SiC宽禁带半导体功率器件先导生产线(利用上海先进现有6英寸生产线部分设备)。第二阶段，在一阶段建设的基础上，扩充12英寸65nm先进模拟电路生产能力至5万片/月；优化8英寸生产线的产品结构，增加IGBT/FRD、TVS等功率器件的产能；扩充SiC、GaN功率器件的产能。1.5项目建设地点本项目厂址位于上海市临港新城装备产业园区，该产业园区位于上海市临港地区。上海临港地区规划面积315平方公里，是上海重点发展的六大功能区域之一，由装备产业区(65平方公里)、物流园区(16平方公里)、主产业区(108平方公里)、综合区(41平方公里)、临港奉贤园区2(17平方公里)、南汇新城(68平方公里)六大功能板块组成。本项目L型地块东临妙香路，西至云水路，北部为江山路，南到芦五公路。1.6项目建设内容项目总用地约337亩，整体一次性规划，分步建设。项目主要建设内容包括：满足两条生产线相关的生产厂房、动力厂房、危险品库、化学品库、事故水中转池、连廊、门卫、地下停车库、油罐区及室外工程等建设内容。土建工程包括基础工程(桩基)、主体工程、装饰装修工程、室外管线工程、人防设计、抗震设计及相关报建工作。冷冻水供应系统、热水供应系统、工艺冷却水系统、生产/生活/消防供不间断电源系统、照明系统、设施管理控制系统、电话通信系统、广播及应急广播系统、火灾报警及联动控制系统、防雷、接地系统。重要的建筑服务系统和工艺服务系统按照N+1甚至N+2的备用原则，以满足工艺设备生产线的重要动力系统和工艺相关系统的可靠性。环保设施包括：工业废水处理系统、工业废水回用系统、生活污水处理系统、废液收集系统、废气处理系统等。生产班次及人员按照年工作时间365天，24小时运行，工作班次采用四班二运转工作制度。3业主提供的相关批复业主提供的相关批复业主提供的有关设计资料2.2项目主要情况上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目，位于临港新城装备产业园区，项目将建设一条8英寸0.11μm6万片的生产线(其中包括上海先进现有的2.8万片8英寸产能);建设一条12英寸65nm3000片先进模拟电路先导生产线；建设一条6英寸0.5万片宽禁带SiC、GaN宽禁带半导体功率器件先导生产线(利用上海先进现有6英寸生产线部分设备)。后续在一期建设的基础上，扩充12英寸65nm先进模拟电路生产能力至5万片；优化8英寸生产线的产品结构，增加IGBT/FRD、TVS等功率器件的产能；扩充SiC、GaN功率器件的产能。本项目新建生产线，主要工艺技术将根据不同生产线对工艺技术的要求，及上海先进目前工艺技术的现状，在后续新建或升级过程中采用不同的技术来源。蔽栅沟槽MOSFET/超级MOSFET/沟槽MOSFET工艺技术为主，技术来3.3V~700V系列BCD工艺平台；平面/沟槽TVS系列产品的工艺平台；沟槽MOSFET和超结MOSFET工艺平台。●上海先进正在开发和建厂期间利用外部资源计划开发的工艺技术：正在开发屏蔽栅MOSFET工艺平台；正在开发8寸沟槽场终止IGBT工艺平台；建厂期间上海先进利用外部合作伙伴设备开发0.11上海先进没有12英寸的工艺技术，后续将引入技术团队，寻求战略合作伙伴授权转让，与MPS/矽力杰等大客户合作开发65nm先进模拟电路(Logic,Mix-signal,RF,BCDLite)与MCU/SOC工艺技术。2.4生产技术电源管理芯片的发展主要分为两个方向：一是数字化和智能化集成(PMU),电源管理芯片中集成更多的控制和逻辑电路，简化PC板结构，提升电源使用的智能化和系统效率，目前主流工艺节点在0.18μm左右，二是高压功率器件的集成(PMIC),电源管理器件将更多的DMOS和Diode集成进芯片中，降低系统分立器件的使用，提高系统可靠性，降低系统成本，目前主流工艺节点在0.5μm-0.35μm,因为高压功率器件的面积无法缩小，大电流的可靠性对线宽缩小有所限制，所以该工艺节点的演进将会相对缓慢，在0.35μm-0.25μm的节点上仍会停留较长的一段时间。功率半导体的发展总是遵循降低导通损耗和开关损耗，得到更高的功率密度和工作频率产品作为核心思想。随着MOSFET在消费和工业领域的大规模应用，低压MOSFET在主流线宽上已经步入0.18μm时代，英飞凌12寸晶圆生产的MOSFET已经实现量产。虽然，目前12寸MOSFET还受限于材料、工艺的成熟度，只能用于消费领域，但是未来发展12寸趋势已经明朗。高压MOSFET因为芯片面积比较大，而且可靠性要求高，目前主流线宽仍然停留在6寸晶圆上，但是向8寸晶圆转移的趋势非常明显，尤其是SJMOSFET,由于超级结的应用，极大地提升了高压MOSFET的功率密度，使其能在8寸晶圆上获得较好的经济效益，所以8寸是主流。SJMOSFET技术主要有两种：其中之一是为由英飞凌开发的多外延技术，通过掺杂(doping)外延在外延层上形成岛状的掺杂区域，使该区域扩散形成一个轻掺杂(N-doped)平面；另一种技术主要由飞兆半导体和东芝等公司使用。IGBT作为高压大功率器件，对产品的可靠性有着非常苛刻的要求。因此在3300V以上的超高压IGBT,目前仍然以6寸平面型器件为主流。但是在3300V以下的应用领域，因为对系统效率和成本的追求，IGBT已经步入8寸主流。随着新能源汽车发展对IGBT的推动，IGBT在不断提升功率密度和工作频率的同时，与新型封装技术配合，以获得更好的可靠性。600V~1200VIGBT芯片越来越薄，氢离子注入和铜线等特殊工艺是未来发展所必须的。随着硅器件的能力不断被挖掘，已经逐渐接近其物理极限，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借着其优异的特性，将被广泛应用于光电子器件、电力电子器件等领域，将在各个现代工业领域发挥重要革新作用，应用前景和市场潜力巨大。2.5主要生产工艺集成电路芯片生产工艺复杂，使用多种化学试剂和特殊气体。但总体来说，生产工艺流程是使用硅抛光/外延大圆片，在其清洗干净的表面上，通过氧化或CVD的方法形成阻挡或隔离层薄膜，由光刻技术形成掺杂孔或接触孔，然后采用离子注入或扩散的方法掺杂形成器件PN结，最后由溅射镀膜的方法形成互联引线。1、高性能模拟/功率集成电路BCD工艺技术选择及发展为了满足电源管理芯片未来的发展需要，积塔半导体发展模拟和BCD工艺也将延续两条不同的路线。为满足PMU芯片的需求，积塔将发展0.18μm~0.11μmBCD工艺，并在12寸先导线中，国内首家开发90nm~65nmBCD工艺。对高压PMIC芯片的需求，积塔将充分发挥上海满足客户的发展需求。技术基础和发展方向上海先进具有20年模拟/功率半导体产品的制造基础，是国内BCD工艺种上海先进具有完整成熟的8英寸0.35μmBCD工艺技术平台，并拥有国内外大公司先进BCD工艺开发经验的技术团队，具备把现有BCD工艺平台5PLPL1工艺技术与产品需求。0.11μm40VBCD关键器件截面图：N-EpiPsubMVNW2、功率器件上海先进的MOSFET种类比较齐全，工艺产品包括已经量产的TrenchMOSFET/超结MOS,和正在开发的屏蔽栅沟槽MOSFET。PowerMOSFET具有应用范围广，生命周期长的特点，可有效调节8英寸生产线的产能。屏蔽栅沟槽MOSFET(SGT)ILDP柱多层N外延N衬底背金超级MOSFET(SuperJunction)MOSFET主要工艺模块及特征6650V沟槽场终止IGBTPolyimide介质压开嚼压开N截生环N-650V沟槽场终止IGBTPolyimide介质压开嚼压开N截生环N-衬底6500V平面场终止IGBT屏高础内府OSRXT海糖新封炉世LP7208元和为册UtmosHaccanne董式权精气到和性地转氧化生在和去外接垫性取化生长和志招Por槽继重生Faly整L填表F在九Ply热施CoirthiutP-柱生入性微控德主入配密盖作是1y1先燕和性站场处应结境防或有时和主入苹阳和法结如儿当和生)槽垂型2X/Paly2天担速昌建头y光州花：入主瑞和浅址和Pely未准感县费火品4老式苹读松主结光到相主入能通函孔DLF+P2平S型原区九用位入无都和主人其孔汽新和料续盛包式后酒通孔Tsok/t/YK双瓜卷进孔110+e+151090元选和0后卷生属云数击主据(AlCu)沉程主值充花加出理通英报主压无剂和打纳优T5i后源主施金混(AE)页税陆化地化题元机蛙沈系和列连南算平封的规准性或层先剂机性的基出得优化PE作04/5H工税血金优斯重工艺B面属5化是与您座背工艺监重减算应压毒片机计只件量南青先花证登面工艺主生(2)IGBT的技术“上海先进”是国内最早生产IGBT的公司，于2004年5月成功完成1200VIGBT的第一片合格芯片生产，截止2016年底，累计出货晶圆超过100万片。上海先进IGBT产品电压覆盖了450V~6500V,技术涵盖平面和沟槽 (PT/NPT/SPT/FS)IGBT。与中国中车、全球能源互联网研究院、深圳比亚迪、斯达等客户合作开发的产品应用于轨道交通、风力发电、智能电网、新能源汽车、光伏、工业控制等领域。IGBT/FRD关键器件截面图：介质N-衬底艹治栅极N截止环栅极R智智铝N-衬底PofyimldeN能止环镇高性能场终止居于寿命控制FRD(3)TVS(瞬态电压抑制保护二极管)“上海先进”具有国内一流、国际领先的TVS器件制造工艺。合作客户SEMITIC和WILLSEMI分别是全球和国内第一大TVS器件供应商。上海先进在TVS器件制造方面积累了极其丰富的经验，拥有从高压到低压、从平面型到深沟漕型等门类齐全的TVS器件制造工艺、并且具有相当强的工艺研发能力。7浅沟槽N2外延N1外延P衬底背金瞬态电压抑制保护二极管(TVS)上海先进没有12英寸的工艺技术，后续将引入技术团队，寻求战略合作伙伴授权转让，与MPS/矽力杰等大客户合作开发65nm先进模拟电路(Logic,Mix-signal,RF,BCDLite)与MCU/SOC工艺技术。8英寸线工艺设备主要采用国产化设备和二手设备，12英寸线设备采用90nm、55nm设备，采用进口、租赁和二手设备相结合的方式以最低的成本解决。生产设备选型以满足技术要求、节省建设投资和保证生产线稳定可靠运行为原则。2.7厂房设计原则本项目建设一条8英寸0.11μm6万片的生产线(其中包括上海先进现有的2.8万片8英寸产能);建设一条12英寸65nm3000片先进模拟电路先导生产线；建设一条6英寸0.5万片宽禁带SiC、GaN宽禁带半导体功率器件先导生产线(利用上海先进现有6英寸生产线部分设备)。在8英寸生产线的基础上，扩充12英寸65nm先进模拟电路生产能力至5万片；优化8英寸生产线的产品结构，增加IGBT/FRD、TVS等功率器件的产能；扩充SiC、GaN功率器件的产能。8业主提供的测绘地形图及红线图业主提供的相关市政资料GBGB50016-2014GBGB50187-2012GB50067-2014GB50067-2014GB50156-2014GB50646-2011GB50177-2005GB50030-2013《汽车库、修车库、停车场设计防火规范》《城市用地竖向规划规范》《汽车库、修车库、停车场设计防火规范》《汽车加油加气站设计与施工规范》《特种气体系统工程技术规范》《氢气站设计规范》《氧气站设计规范》《上海市城市规划管理技术规定》上海地区相关的自然条件和气象资料业主提供的有关设计资料工程地形图采用上海市独立坐标系、1956年黄海高程系统>地理位置本项目厂址位于上海浦东新区临港重装备产业区I02-02地块，东临妙香路以西约290米、西至云水路、北至江山路、南至人民塘。详细L型地块详见总平面布置图。本项目用地面积为230432m²,容积率1.2-2.0,绿化率10%-15%,建筑限适宜作为建设用地。目前用地周边市政道路建设已完成，并投入使用，满足本项目的工程建设及生产运行要求。上海地处长江三角洲前沿，东濒东海，南临杭州湾，西接江苏、浙江两省，北界长江入海口，位于我国南北海岸线的中部，交通便利，腹地广阔，地理位置优越，是一个良好的江海港口。本项目位于上海市临港新城装备产业园区。临港地区位于上海东南角，地处长江口和杭州湾的交汇处，临港地区距上海市中心75公里，北临浦东国际航空港，南接洋山国际枢纽港，拥有13公里长的海岸线，具备得天独厚的码头资源，是上海沿海大通道的重要节点城市和我国(上海)自由贸易试验区建设的直接腹地。通过G1501、S2等高速公路交通干道连接长三角交通网；区内铁路接入国家铁路网，海港、空港、铁路、公路、内河形成"五龙汇聚"的独特区位交通优势；轨道交通16号线直达临港主城区滴水湖，将临港接入上海市城市轨道交通网络。该产业园区位于上海市临港地区。该区域基础设施建设完善，供水、供电及市政废水处理设施具有一定的余量，能够为本项目的建设提供充足的保障。>自然条件上海市是长江三角洲冲积平原的一部分，平均高度为海拔4米左右。上海气候温和湿润，春秋较短，冬夏较长。上海全年雨量充沛，总雨量年平均气温15.7℃极端最高气温40.2℃极端最低气温-12.1℃相对湿度80%年平均降水量1217.6mm最大风速20.8m/s年主导风向ESE夏季主导风向ES日照时数2091.3h基本地震烈度7度3.3规划原则及总平面布置本工程的总平面布置的指导思想是依据总体规划，分期建设的原则，以达到布局合理、交通顺畅、方便发展、绿化和美化相结合。厂区总图规划应满足园区的规划要求以及消防、环保和安监等部门的要求。本项目建筑主要有有芯片生产厂房一、芯片生产厂房二、动力厂房1、动力厂房2、危险品库1、危险品库2、废水处理站1、废水处理站2、化学品库1、化学品库2、固废站、硅烷站1、空压站1、空压站2、氢气棚、变电站、生产调度及研发厂房1、生产调度及研发厂房2等组成。根据各类用地性质分区的原则，本期工程总平面构成可分为四大区域：厂前区、生产区、动力区及生产配套区。厂前区是整个工厂的重要部分之一，是生产调度、研发管理和对外功能联系的窗口，具有展示厂容厂貌和树立企业形象的重要功能，因此对其位置和布局进行了重点规划。厂前区为生产调度及研发厂房及附属绿化。生产调度及研发厂房布置在地块的南侧，面向随塘河，利用入口广场、停车场地、建筑外立面的形象以及成簇布置的观赏树木，构成了优美的厂前区空间景观。2、生产区生产区是整个项目的核心，位于地块的中部。生产区为芯片生产厂房一、芯片生产厂房二。根据使用功能和人流组织分析结果，将生产调度及研发厂房和芯片生产厂房通过连廊连成一体，按照工艺的要求设计出入口，满足生产需要。动力厂房1、动力厂房2位于场地中心，既满足生产需求，同时达到管线短捷，节省能耗的目的。4、生产配套及生活配套区生产配套区分散在生产区的四周，包括220kV变电站、废水处理站1、废水处理站2、危险品库1、危险品库2、化学品库1、化学品库2、硅烷站1等建筑。化学品库及危险品库靠近主要物流出入口，缩短运输距离。变电站柴位于厂区西北角，与市政变电站距离短，进线便捷。厂内交通采用人货分流的原则进行布置，为便于管理，全厂共规划设置3个出入口。>厂区人流出入口人员出入口位于场地西侧道路(云水路),为员工汽车和自行车通道，以及访问者和员工巴士。生产人员通过生产调度及研发厂房更衣后通过连廊进入芯片生产厂房洁净生产区。>厂区物流出入口物流入口位于场地北侧道路(江山路),货运入口为重型车辆(卡车、大巴等)的主要通道，危险品库运输出入口位于场地西北侧道路(云水路),物料和产品传入和传出的物流出入口。访客与办公流线：通过云水路南入口进入生产调度及研发厂房。操作员流线：生产人员通过生产调度及研发厂房更衣后通过连廊进入芯片生产厂房洁净生产区。货物流线：货运通过位于地块北侧道路(江山路)进出厂区。本次新建工程的道路宽4-12米。雨水利用道路纵、横坡由路边雨水口排入雨水管道。道路主要采用沥青路面，局部卸货区，连接建筑与道路的入口等区域采用混凝土路面。厂区内所有架空管道和连廊的最低标高不小于4.5m,保证消防车辆畅通>停车场停车场位于生产调度及研发厂房地下一层。贵宾入口设置在生产调度及研发厂房主入口，配有下客区，绕道进入。>泊车服务装卸货码头区域位于芯片生产厂房与动力厂房之间的区域及芯片生产厂房的长边，为芯片生产厂房提供方便服务。化学物品装卸区由防意外化学品泄漏的槽包围。场地北侧提供150个自行车停放位。自行车停放区由轻型金属屋面覆盖，由一个独立的建筑钢结构支撑，外观使用与相邻建筑物相同的颜色。本期工程场地平均标高约高出市政道路30cm,结合地形，以尽量减少土方，降低工程造价、满足道路排水坡度要求、满足工艺需求，并考虑景观要求为原则，对基地的自然地形及建筑物进行综合考量。整个场地设计为平坡式。市政道路与场地内的地形标高趋于平缓，与市政道路平顺衔接。建筑室内地坪标高根据各个建筑室内外高差的不同，分别确定室内地坪标高。室外道路采用平坡式设置竖向标高，满足物流运输的平缓和稳定性。局部装卸区设计为平坡设计，横坡为1.5%。双车道为双坡，单车道为单坡。雨水采用暗管系统有组织的排水，利用道路纵、横坡由路边雨水口排入雨水管道。本期工程绿化以草坪和低、矮灌木为主，观赏树木点缀为辅，普遍绿化和重点绿化相结合。厂前区绿化注重规模和整体效果，生产及动力区绿化则注重其实用性和亲切感。总体绿化与一期工程协调，点、线、面相结合，体现微电子企业洁净生产的特性。厂区围墙为1.7m钢网围墙，围墙色彩与整个厂区建筑绿化景观相协调，钢网围墙高约1.7m,柱间距约2.5米，造型和色彩与建筑相协调。并沿围墙栽种适当高度的常绿灌木，出入口采用不锈钢伸缩门。3.8总图技术经济指标建筑物组成表：编号序号中文名称楼层占地面积建筑面积计容面积规划建筑消防建筑火灾危险性耐火等级备注1芯片生产厂房一丙类一级层高超8米部分面积为18363.06m²2芯片生产厂房二丙类一级层高超8米部分面积为24577.98m²3动力厂房1丙类一级地下建筑面积：482m²4动力厂房2丙类一级地下建筑面积：486m²5危险品库11甲类一级6危险品库2甲类一级7W1废水处理站12戊类二级8W2废水处理站22戊类二级9化学品库13丙类二级化学品库23丙类二级固废站丙类二级硅烷站1甲类一级围墙占地面积为958.72m²空压站1丙类二级层高超8米部分面积为669.9m²空压站2丙类二级层高超8米部分面积为300.56m²氢气棚甲类一级变电站丙类二级地下建筑面积：2476.24m²,层高超8米部分面积为1387.58m²,地下室高于室外地面1m以上范围为1624.34,计容面积折算：门卫1民用二级M1生产调度及研发厂房1丙类地上一级地下一级地下建筑面积：9193.60m²,半地下室计容面积折算：5313.12m²按照折算：3.35/5.5=0.61;3880.48m²按照折算：2.25/4.4=0.51M2生产调度及研发厂房2丙类地上一级地下一级地下建筑面积：6283.20m²,半地下室计容面积折算：3104.64m²按照折算：3.35/5.5=0.61;3178.56m²按照折算：2.25/4.4=0.512丙类二级连廊2318.00318.00丙类二级总计其中地下建筑面积：18921.04m²构筑物组成表：编号序号中文名称楼层占地面积建筑面积计容面积规划建筑高度(m)消防建筑高度(m)火灾危险性耐火等级备注1U1岗亭116.000.000.002U2岗亭216.000.000.003事故水中转池0.000.000.004雨水收集池10.000.000.005事故油池0.000.000.006雨水收集池20.000.000.007Y1柴油罐区1357.000.000.008N1天然气调压箱--9管桥1--管桥2--管桥3管桥4管桥5管桥6管桥7管桥8管桥9R10管桥10R11管桥11R12管桥12R13管桥13总计主要技术经济指标表序号列项名称单位数值备注1建设总用地面积2总建筑占地面积含构筑物3总建筑面积4地上建筑面积5地下建筑面积其中半地下室按照面积计算规范计入地下面积，面积为15476.8平方米6容积率建筑面积7计入容积率建筑面积厂房部分层高超8米，计算容积率时该层建筑面积加倍计算8行政办公及生活服务设施建筑占地面积9行政办公及生活服务设施建筑建筑面积行政办公及生活服务设施建筑占地面积比%建筑密度%构筑物、大宗气站设备不计入建筑密度，另规划要求≤50%容积率-计算容积率*-道路广场面积绿化面积集中绿化面积绿地率%集中绿地率%非机动车停车位辆其中地下停车位200小汽车停车位辆其中地下停车位361货车停车位辆大客车停车位辆5围墙长度m大门个数个2*注：厂房部分层高超8米，计算容积率时该层建筑面积加倍计算第四章建筑GB50016-2014GB50073-2013GB50472-2008GB50809-2012GB50222-95(2001年修订《汽车库、修车库、停车场设计防火规范》GB50067-2014《工业企业设计卫生设计标准》《建筑地面设计规范》《民用建筑设计通则》《工业建筑防腐蚀设计规范》《屋面工程技术规范》《工业企业噪声控制设计规范》《民用建筑热工设计规范》《建筑采光设计标准》上海市《公共建筑节能设计标准》上海市《建筑防排烟技术规程》建筑场地的红线图、地形图；GBZ1-2010GB50037-2013GB50352—2005GB50046-2008GB50345-2012GB/T50087-2013GB50176-93GB/T50033-2013DGJ_08-107-2015DGJ08-88-2006上海市有关规划、环保、卫生、节能、消防、抗震国家和当地的现行有关设计规范和标准；建设地相关的水文、地质资料和地下通道、管线资料；本设计以有效利用园区内土地资源、节约投资、适应建设场地地形、地貌特征，并满足建筑特性以及顾客要求等为建筑设计思想的指导依据。建筑突出简洁、清新、淡雅、大气的特点；通过材质的变化与穿插，使得建筑分区明确，大气磅礴；建筑设计遵循“以人为本，功能决定空间”的设计理念，力求建筑立面简洁新颖。通过立面造型变化、涂料颜色与分缝之间的对比变化，使建筑性格鲜明、生动，充满了勃勃生机和强烈的时代感，给人营造出一种挺拔、简洁、明亮、自然大方，错落有致、和谐统一的心理感受。充分体现了一个新兴的现代化的高科技骨干企业的雄厚经济实力和开拓创新精神。本期建设工程拟建建筑物有：F1芯片生产厂房一；F2芯片生产厂房二；C1动力厂房1;C2动2;P1危险品库1;P2危险品库2;W1废水处理站1;W2废水处理站2;H1化学品库1;H2化学品库2;S1固废站；K1硅烷站1;B1空压站1;B2空压站2;J1氢气棚；V1变电站；G1门卫1;M1&M2生产调度及研发厂房1&生产调度及研发厂房2;L1连廊1;L2连廊2;拟建构筑物有T1事故水中转池、T2雨水搜集池、T3事故油池、Y1柴油罐区、N1天然气调压箱以及管桥R1~R7等。本项目仅进行厂房及配套设施的土建建设，不涉及其中生产线、化学品、设备的入驻及具体的生产内容。其中将来拟入驻的生产线、化学品、设备及具体的生产内容将另行进行设计、申报。4.3平面布局及流线分析a.人流、物流厂区内各建筑流线合理，清晰通畅。建筑的人流、物流流线相互独立，互不干扰。行政管理、来访人员及生产人员西侧入口进入厂区；生产区原材料、化学品和成品由江山路物流入口进入。生产车间工作人员及来访人员从M1&M2号建筑南向主要入口进入；生产技术人员通过M1&M2号建筑进入，并通过连廊进入F1号建筑、F2号建筑。生产原材料、成品等经由F1号建筑(芯片生产厂房一)东北角的装卸平台进出。动力厂房(C1号建筑、C2号建筑)及化学品库(H1号建筑、H2号建筑)以及其他小单体也各有其独立的人员、设备、化学品输送入口。生产调度及研发厂房1(M1号建筑)的一层设置餐厅，满足整个厂区的日常生活所需。>F1号建筑(生产厂房1)超大规模集成电路对生产环境要求极为严格，要求厂房具有洁净、恒温恒湿、防微振、防水、防火、防爆、防腐蚀、防静电等功能。F1号建筑是本项目的核心建筑，是本次工程的重点。本期为一条月产能6万片的8英寸、5千片的6英寸以及3千片的12英寸集成电路芯片生产线。根据工艺的需求，规划洁净区面积约为4万平方米。洁净区配套动力支持区占地面积约6000m²。本建筑占地面积：23960.2m²,建筑面积：77906.66m²。它由生产区和支持区两部分组成，支持区从东侧与生产区相接。建筑平根据内部的工艺设备及动力辅助设备的高度，生产区的层高为6.8m+6.4m+10.0m,支持区的层高为6.8m+6.4m+6.8m+7.8m。按照生产工艺的要求，一层布置了电气室、机械室、化学品输送系统用房、特种及大宗气体输送系统用房和相关的控制用房。西北侧布置实验室、西南侧为成品及原料中间仓库。在支持区一层的南侧布置了化学品搬运入口，西侧布置了设备搬运以及成品搬运出入口。生产区的西南侧布置原材料搬运出入口。支持区二层主要是6英寸洁净生产区，与之相邻的是洁净下夹层。支持区三层主要为工艺支持区，布置有动力部仓库，电气间等。与之相邻的是生产区生产层。支持区四层主要布置了排气机房等，与之相邻的是生产区的上技术层，该层既是生产区的钢屋架层，也是生产区的静压箱。在生产区的南北两侧各布置三个封闭楼梯间。此外在生产区中间布置有三个洁净工作楼梯，供洁净区工作人员使用。洁净生产区工作人员在M1生产调度及研发厂房1内更衣，通过连廊进入F1生产区。生产区设两部洁净电梯，其中一部供进出货使用、一部供洁净室内物资调度，材料及工具搬运使用、支持区设两部货梯，供设备及货物搬运使11F1-生产厂房1二层平面图>F2号建筑(生产厂房2)超大规模集成电路对生产环境要求极为严格，要求厂房具有洁净、恒温恒湿、防微振、防水、防火、防爆、防腐蚀、防静电等功能。F1号建筑是本项目的核心建筑，是本次工程的重点。本期为一条月产能5万片的12英寸集成电路芯片生产线，根据工艺的需求，规划洁净区面积约为60000m²。洁净区配套动力支持区占地面积约它由生产区和支持区两部分组成，支持区从东侧与生产区相接。建筑平根据内部的工艺设备及动力辅助设备的高度，生产区的层高为6.8m+6.4m+10.0m,支持区的层高为6.8m+6.4m+6.8m+7.8m。按照生产工艺的要求，一层布置了电气室、机械室、化学品输送系统用房、特种及大宗气体输送系统用房和相关的控制用房。西北侧布置实验室、西南侧为成品及原料中间仓库。在支持区一层的南侧布置了化学品搬运入口，西侧布置了设备搬运以及成品搬运出入口。生产区的西南侧布置原材料搬运出入口。支持区二层主要是6英寸洁净生产区，与之相邻的是洁净下夹层。支持区三层主要为工艺支持区，布置有动力部仓库，电气间等。与之相邻的是生产区生产层。支持区四层主要布置了排气机房等，与之相邻的是生产区的上技术层，该层既是生产区的钢屋架层，也是生产区的静压箱。在生产区的南北两侧各布置两个封闭楼梯间、生产区中间布置两个防烟楼梯，以供人员紧急疏散时使用。此外在生产区中间布置有一个洁净工作楼梯，供洁净区工作人员使用。洁净生产区工作人员在M2生产调度及研发厂房2内更衣，通过连廊进入F2生产区。生产区设两部洁净电梯，其中一部供进出货使用、一部供洁净室内物资调度，材料及工具搬运使用、支持区设两部货梯，供设备及货物搬运使>C1号建筑(动力厂房1)本建筑主要用于供生产使用的纯废水，及冷冻站房。站房面积14803.60本建筑为地下一层、地上四层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为77m×45m。地下一层为生产、生活、消防水池、泵房等。四层为变电站、测试间、空调机房、钢瓶间。垂直交通通过四个封闭楼梯间、1部货梯、1部客梯以及检修钢梯进行组>C2号建筑(动力厂房2)本建筑主要用于供生产使用的纯废水，及冷冻站房。站房面积17961.90本建筑为地下一层、地上四层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为95m×45m。地下一层为生产、生活、消防水池、泵房等。四层为变电站、测试间、空调机房、钢瓶间。垂直交通通过四个封闭楼梯间、1部货梯以及检修钢梯进行组织。>P1号建筑(危险品库1)本建筑为单层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为30.4m×22.9m。消防设计简述：本建筑储存物品为甲类1,2,5、6项等物品，所以建筑火灾危险性类别为甲类，耐火等级为一级。火灾危险类别：甲类建筑高度：6.3m(檐口完成面标高)、7.8m(女儿墙顶高)>P2号建筑(危险品库2)本建筑为单层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为30.4m×22.9m。消防设计简述：本建筑储存物品为甲类1,2,5、6项等物品，所以建筑火灾危险性类别为甲类，耐火等级为一级。火灾危险类别：甲类建筑高度：6.3m(檐口完成面标高)、7.8m(女儿墙顶高)>W1号建筑(废水处理站1&生产水池1)本建筑为两层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为60.0m×40.4m。消防设计简述：本建筑生产类别为戊类，耐火等级为二级。本建筑详细设计：火灾危险类别：戊类>W2号建筑(废水处理站2&生产水池2)本建筑为两层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为60.0m×40.4m。消防设计简述：本建筑生产类别为戊类，耐火等级为二级。火灾危险类别：戊类建筑占地面积：2876.88m²>H1号建筑(化学品库1)本建筑为三层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为59.3mx25.7m。消防设计简述：本建筑储存物品为丙类1项物品，所以建筑火灾危险性类别为丙类，耐火等级为一级。火灾危险类别：丙类建筑高度：18.3m(檐口完成面标高)、19.9m(女儿墙顶高)>H2号建筑(化学品库2)本建筑为单层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为45.4m×29.2m。消防设计简述：本建筑储存物品为丙类1项物品，所以建筑火灾危险性类别为丙类，耐火等级为一级。火灾危险类别：丙类建筑高度：18.3m(檐口完成面标高)、19.9m(女儿墙顶高)>S1号建筑(固废站)本建筑为单层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为30.4m×22.9m。消防设计简述：本建筑储存物品为丙类物品，所以建筑火灾危险性类别为丙类，耐火等级为二级。火灾危险类别：丙类建筑高度：6.3m(檐口完成面标高)、7.8m(女儿墙顶高)>K1号建筑(硅烷站1)本建筑为单层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为30.4m×9.0m。消防设计简述：本建筑储存物品为甲类3项，耐火等级为一级。设自动灭火系统。火灾危险类别：甲类建筑高度：6.80m(檐口完成面标高)、7.35m(女儿墙顶高)>B1、B2、J1号建筑(空压站1、空压站2、氢气棚)空压站1、空压站2均为单层钢筋砼框架结构，氢气棚为轻钢结构。空压站1、空压站2火灾危险性类别均为丙类，耐火等级为二级。氢气棚火灾危险性类别为甲类，耐火等级为一级。本建筑详细设计：空压站1、空压站2:火灾危险类别：丙类建筑高度：12.30m(檐口完成面标高)、13.50m(女儿墙顶高)建筑占地面积分别为：1700.26m²869.52m²火灾危险类别：甲类建筑高度：4.85m(檐口完成面标高)、5.85m(女儿墙顶高)建筑占地面积分别为：590.00m²>V1号建筑(变电站)本建筑为地上三层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为72.4m×32.4m。消防设计简述：本建筑为丙类工业建筑，耐火等级为一级，设自动灭火火灾危险类别：丙类建筑高度：13.50m(檐口标高)、15.50m(女儿墙顶高)>G1号建筑(门卫1)本建筑为单层钢筋砼框架结构。平面尺寸约为6.40m×2.70m。建筑生产类别为民用，耐火等级为二级。本建筑详细设计：火灾危险类别：民用建筑高度：3.45m(檐口完成面标高)、4.05m(女儿墙顶高)结构形式：钢筋砼框架、钢筋砼现浇楼屋面板>M1号建筑(生产调度及研发厂房一)本建筑为半地下一层地上五层框架结构。地下一层为机动车库、进、排风机房、强电间、弱电间、后勤用房等。一层有生产调度用房、变电所、强弱电间、消防控制室、空调机房等。二层有辅助生产用房、加工间、备餐间、强弱电间、空调机房等。四层有辅助生产用房、生产调度用房、强弱电间、空调机房等。五层有辅助生产用房、强弱电间、空调机房等。>M2号建筑(生产调度及研发厂房二)本建筑为半地下一层地上五层框架结构。一层有生产调度用房、变电所、强弱电间、空调机房等。二层有辅助生产用房、强弱电间、空调机房等。三层有辅助生产用房、强弱电间、空调机房等。四层有辅助生产用房、强弱电间、空调机房等。五层有辅助生产用房、强弱电间、空调机房等。>L1号建筑(连廊1)连廊为多层轻钢结构。建筑生产类别为丙类，耐火等级为二级。火灾危险类别：丙类建筑高度：17.97m(檐口完成面标高)、18.97m(女儿墙顶高)>L2号建筑(连廊2)连廊为多层轻钢结构。建筑生产类别为丙类，耐火等级为二级。火灾危险类别：丙类建筑高度：17.97m(檐口完成面标高)、18.97m(女儿墙顶高)>F1号建筑(生产厂房1)层数：生产区三层，支持区四层、局部地下一层支持区：6.8m+6.4m+6.8+7.3m建筑高度：23.85m(檐口完成面标高)、29.95m(女儿墙顶高)结构形式：生产区为钢筋砼柱、钢筋砼华夫板、钢屋架，钢板浇混凝土屋面。支持区为钢筋砼框架、钢筋砼现浇楼屋面板>F2号建筑(生产厂房2)支持区：6.6m+6.4m+6.8+7.3m建筑高度：23.85m(檐口完成面标高)、29.95m(女儿墙顶高)结构形式：生产区为钢筋砼柱、钢筋砼华夫板、钢屋架，钢承板浇混凝土屋面。支持区为钢筋砼框架、钢筋砼现浇楼屋面板>C1号建筑(动力厂房1)火灾危险类别：丙类建筑高度：28.90m(檐口完成面标高)、29.95m(女儿墙顶高)>C2号建筑(动力厂房2)火灾危险类别：丙类建筑占地面积：4335.70m²>P1号建筑(危险品库1)火灾危险类别：甲类建筑高度：6.3m(檐口完成面标高)、7.8m(女儿墙顶高)>P2号建筑(危险品库2)火灾危险类别：甲类建筑高度：6.3m(檐口完成面标高)、7.8m(女儿墙顶高)>W1号建筑(仓库1)火灾危险类别：戊类>W2号建筑(仓库2)火灾危险类别：戊类>H1号建筑(化学品库1)火灾危险类别：丙类建筑高度：18.3m(檐口完成面标高)、19.9m(女儿墙顶高)>H2号建筑(化学品库2)火灾危险类别：丙类建筑高度：18.3m(檐口完成面标高)、19.9m(女儿墙顶高)>S1号建筑(固废站)火灾危险类别：丙类建筑高度：6.3m(檐口完成面标高)、7.8m(女儿墙顶高)结构形式：钢筋砼框架、钢筋砼现浇楼屋面板>K1号建筑(硅烷站1)火灾危险类别：甲类建筑高度：6.80m(檐口完成面标高)、7.35m(女儿墙顶高)>B1、B2、J1号建筑(空压站1、空压站2、氢气棚)空压站1、空压站2:火灾危险类别：丙类建筑高度：12.30m(檐口完成面标高)、13.50m(女儿墙顶高)建筑占地面积分别为：1700.26m²869火灾危险类别：甲类建筑高度：4.85m(檐口完成面标高)、5.85m(女儿墙顶高)建筑占地面积分别为：590.00m²>V1号建筑(变电站)火灾危险类别：丙类建筑高度：13.50m(檐口完成面标高)、15.50m(女儿墙顶高)>G1号建筑(门卫1)火灾危险类别：民用建筑高度：3.45m(檐口完成面标高)、4.05m(女儿墙顶高)>M1号建筑(生产调度及研发厂房一)火灾危险类别：丙类层高：一层层高为5.5m,二层层高为4.6m,三~五层层高4.5m建筑高度：27.25m(檐口完成面标高)、29.05m(女儿墙顶高)建筑占地面积：9505.04m²>M2建筑(生产调度及研发厂房二)火灾危险类别：丙类层高：一层层高为5.5m,二层层高为4.6m,三~五层层高4.5m建筑高度：27.25m(檐口完成面标高)、29.05m(女儿墙顶高)4.5竖向交通分析重6吨；另提供2台洁净电梯，两台位于主厂房生产区的东南侧，用于洁净生产区设备搬入以及成品运输。一台位于主厂房生产区的西南侧，用于洁净生产区设备维修兼原料运输。重6吨；另提供1台洁净电梯，两台位于主厂房生产区的东南侧，用于洁净生产区设备搬入以及成品运输。一台位于主厂房生产区的西南侧，用于洁净生产区设备维修兼原料运输。a.砌块墙主要用于外墙，楼梯间，洗手间和生产区域的内隔墙。砌体材料设计要求及构造须满足SJR13-2004《非承重砌块墙设计规范》。分采用M5混合砂浆。不到顶的墙体应砌筑到吊顶以上150mm,其他到顶的墙体应与结构梁板底顶紧，不到顶墙及长度大于3米的窗台顶部做C20钢筋混凝土压顶.详有关规范。体构造柱的做法见结构详图，需设构造柱的位置如下：长度超过4.5米的砌块墙体，宽度大于2米的洞口两侧，长度超过2.5米的独立墙体端部及门洞宽度大于1.5米的安全门和防火门两侧。砌体墙和钢筋混凝土墙，柱的连接应严格按照结构图纸的要求和产品构造要求施工。图中隔墙定位未注明者均为位于轴线上或轴线一侧。凡钢筋混凝土柱边门垛尺寸小于100时，应采用钢筋混凝土与柱整体浇电梯井墙体，宜待根据结构楼板洞或建筑控制的竖井位置尺寸砌筑，部分须沿墙安装支架的竖井，应考虑支架荷载及墙体承载力，加设钢筋混凝土圈梁。b.抗爆墙用于有爆炸危险性的化学品房间内隔墙。采用钢筋混凝土墙体和楼板刚接。具体厚度视结构专业计算所定。c.泄爆墙用于有爆炸危险性的化学品房间外墙。轻质泄爆墙，墙体单位质量小于60kg/m²。d.洁净室隔墙详洁净室专业图纸内容构地面标高，随捣随抹光，按照国家规范做到平整度为±2mm/2m。洗手间降板80mm,多水房间设地漏或地沟，其周围1米范围内楼地面均做不小于1%的坡度坡向地漏或地沟.位置详见给排水专业和结构专业的图纸。局部生产区域的地面也做到结构地面，随捣随抹光，上涂环氧涂层或PVC胶地板。不同面层材料的楼地面若有高差处，界限与低侧墙面平。相同的钢筋混凝土封闭楼面厚度同楼板厚。a.隔墙所有的内外墙系统，其开口、留洞、防火等级和结构稳定性均依照相关规范、规定执行。所有除净化间外的大部分房间隔墙拟采用蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，暴露于洁净空气中的墙面均作环氧树脂漆。净化区采用金属壁板墙。>C1&C2建筑绝大多数内隔墙都为蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，表面为乳胶漆墙面。>P1&P2建筑绝大多数内隔墙都为蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，表面为环氧墙面。>W1&W2建筑绝大多数内隔墙都为蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，表面为环氧墙面。绝大多数内隔墙都为蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，表面为环氧墙面。>G1建筑内隔墙都为蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，表面为乳胶漆墙面。(表面做法参见室内装修表)>M1号建筑(生产调度及研发厂房一)内隔墙部分为蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，半地下表面采用防霉涂料墙面，地上部分表面采用乳胶漆墙面，空调机房采用金属穿孔吸声板墙面。部分隔墙为100系列轻钢龙骨双面12厚双层石膏板墙。对降噪、隔音和防火有特殊石膏板的方法进行处理。(表面做法参见室内装修表)>M2建筑(生产调度及研发厂房二内隔墙部分为蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，半地下表面采用防霉涂料墙面，地上部分表面采用乳胶漆墙面，空调机房采用金属穿孔吸声板墙面。部分隔墙为100系列轻钢龙骨双面12厚双层石膏板墙。对降噪、隔音和防火有特殊要求的隔墙，将采用内填岩棉，使用不同系列轻钢龙骨和不同厚度、层数石膏板的方法进行处理。(表面做法参见室内装修表)b.吊顶>F1&F2建筑除洁净室采用T型龙骨FFU配套洁净顶棚系统外，少数区域有吊顶(如卫生间、员工走道等),而绝大多数区域均为外露的清水混凝土结构底板。>C1&C2建筑绝大多数区域均为外露的钢筋混凝土结构底板。>P1&P2建筑绝大多数区域均为外露的钢筋混凝土结构底板。>W1&W2建筑绝大多数区域均为外露的钢筋混凝土结构底板。>H1&H2建筑绝大多数区域均为外露的钢筋混凝土结构底板。>G1建筑内隔墙都为蒸压加气混凝土砖砌块，墙体厚度根据防火等级和稳定性确定。砌体墙均做双面抹灰，表面为乳胶漆墙面。(表面做法参见室内装修表)>M1号建筑(生产调度及研发厂房一)半地下顶棚采用防霉涂料顶棚，地上部分绝大多数区域采用T型铝合金龙骨矿棉板吊顶，采用60系列主龙骨补强，主龙骨间距600×1200。卫生间和类似的潮湿区域，采用铝合金扣板吊顶，空调机房采用穿孔金属板吸声吊顶。>M2号建筑(生产调度及研发厂房二)半地下顶棚采用防霉涂料顶棚，地上部分绝大多数区域采用T型铝合金龙骨矿棉板吊顶，采用60系列主龙骨补强，主龙骨间距600×1200。卫生间和类似的潮湿区域，采用铝合金扣板吊顶，空调机房采用穿孔金属板吸声吊顶。>辅助建筑绝大多数区域均为外露的清水混凝土结构底板。c.楼面、地面>F1&F2建筑主厂房内各房间楼、地面表面均为环氧树脂涂料。钢筋砼华夫板表面涂刷环氧树脂漆，并与架空地板支座系统要求相协调。具有腐蚀性化学品倾倒可能的区域，根据化学品性质采用不同种类环氧树脂类涂层。有防止静电危害要求的房间，根据不同工艺设备和产品的技术要求采建筑内各房间楼、地面表面均为耐磨环氧自流平。废水区为抗酸碱耐磨环氧砂浆楼地面。辅助用房大部分均为混凝土硬化剂地面。>P1&P2建筑建筑内各房间楼、地面表面均为防腐环氧树脂涂料。>W1&W2建筑建筑内各房间楼、地面表面均为防腐环氧树脂涂料。>H1&H2建筑建筑内各房间楼、地面表面均为环氧树脂涂料。>K1建筑建筑内各房间楼、地面表面均为抗腐蚀烯脂导静电防爆环氧自流平楼地面。>G1建筑建筑内各房间楼、地面表面均为环氧树脂涂料>M1号建筑(生产调度及研发厂房一)半地下采用混凝土硬化剂地面，生产区域采用波化砖楼面，空调机房等设备用房采用环氧树脂地面，IT机房采用防静电架空地板。>M2号建筑(生产调度及研发厂房二)半地下采用混凝土硬化剂地面，生产区域采用波化砖楼面，空调机房等设备用房采用环氧树脂地面d.踢脚、墙裙所有建筑物踢脚、墙裙均需与所在房间楼、地面、墙面做法协调统一。参见“室内装修表”e.其他室内外装修做法，除本说明注明外，均见单体的室内装修表和有关设凡有吊顶房间墙，柱粉刷或装饰仅做到吊顶以上150mm处止。各类管线及灯具等必须严格控制标高，保证今后使用要求和有利于二次装修的进行。有关防火等级和关闭要求，均按照现行规范、规定执行。门高根据使用要求确定。有特殊要求的门使用感应联动装置。原则上所有门均使用自动闭门器。全厂门锁系统将依据业主的要求执行。门的气密性将根据空调、净化等要求予以确定。所有钢门及门框均采用1.4mm厚镀锌钢板制成，表面喷漆。在房间的内墙面为环氧树脂涂料的地方，门的表面处理也采用环氧树脂涂料。有特殊防腐要求的房间，可考虑将普通镀锌钢板换为不锈钢板，表面处理不变。在常用通道和通往生产、技术区域的门上，应装观察窗，并采用安全玻璃。五金件应为不锈钢制。五金件应与室内装修相协调。落地窗及其它有特殊要求的门，根据不同要求而设计。所有外露金属构、配件依据相关技术要求确定表面处理方式及颜色。静压箱内钢结构屋面板涂刷环氧树脂涂料。钢结构承重构件表面防火涂料应为不起尘产品。门窗和幕墙的立面形式、数量、尺寸、色彩、开启方式、型材、玻璃本工程所注门窗和幕墙的尺寸均为洞口尺寸，立面为外视立面，制作时应扣除洞口周边预留安装的缝隙。门窗洞口高度均从所在位置建筑面层起算.管道井门洞底距楼，地面均密性等的要求。除注明外，外门窗一般居墙中，平开木门，防火门的立樘与开启方向一侧墙面平，铝合金门立樘位于墙厚中，卫生间的门扇宜高于楼地面20mm,管道井检修门与外墙面取平。所有推拉窗均设防窗扇脱落的限位装置，平开门设置磁碰或其他开启防火门，防火卷帘等需由工程所在地主管部门注册认可的厂家制作和安装，并由厂家提供相应的合格证，所有预埋件由厂家出。铝合金门窗使用的建筑型材壁厚不小于以下数值：其他结构型材壁厚度1.0mm窗结构型材壁厚度1.4m.门结构型材壁厚度2.0mm铁件露明部分除锈后用红丹(防锈漆)打底二度，刷白色磁漆二度非露明部分需进行除锈，凡木砖或木材与砌体接触部位均需涂满防腐油。收及保养均应遵照<建筑防水工程技术规程>DBJ15-19-2006中的有关规定进行.屋面防水为2级。>屋面防水应按<屋面工程技术规范>GB50345-2004相关的规定设防和施工.有关节点见建筑详图设计。核实无误后方可施工防水层.屋面的阴阳角，雨水口及穿管的管根周面均涂刷与密封材料相匹配的基层处理剂，密封材料的底部应设置背衬，材料应与密封材料不粘连，屋面防水构造按照专业公司设计图纸施工.屋面防水层做完后要做蓄水实验，合格后才能做后一层的施工。>外墙防水砌体结构用一道聚合物水泥砂浆防水层，砌筑砂浆应饱满，砌体的搭接部位上部与墙面交角处做成半径20mm圆角。外墙上所有的脚手架孔洞，阳台栏杆金属支架与墙面交接处，在施工完后均应填补密实，并在面层相应部分用聚合物水泥砂浆做好嵌填处理和面层装饰。金属夹芯板外墙系统-要求金属夹芯板系统自带防水功能.外门窗的防水门窗洞口与铝合金门窗框之间的空隙用聚合物水泥砂浆封填。外窗台的坡面3%坡向室外。多水房间防水层上翻300mm,各种管线穿越楼层时必须埋防水套管，穿管处应用防漏密封膏封堵。水池防水：生活水池所用的防水材料须经卫生防疫部门检验合格，对人体无害方可使用。本工程屋面防雷结合女儿墙顶设置，玻璃幕墙，各种屋面构架顶部设避雷.具体做法详电气专业图纸。根据中国气象局令第11号文规定，本工程防雷装置应经过设计审核和4.11建筑消防设计>F1建筑(芯片生产厂房一)&F2建筑(芯片生产厂房二)F1、F2生产厂房根据其生产类别均为丙类多层厂房。层数地上三层，局部地上四层。两栋建筑防火分区均分成七个防火分区。全厂设自动灭火系统。一层为动力设备支持区及中间仓库，设五个防火分区。实验区动力设备、学品输送系统用房、特种气体输送用房和相关的控制用房、划分二层和三层为净化下技术夹层及净化生产区，通过华夫板上下连通，合均考虑设置自动灭火系统，并在关键设备设有火灾报警和灭火装置以及汇丰气流中设有灵敏度严于0.01%obs/m的高灵敏度早期火灾报警探测系统，为一个防火分区。面积为23409m²。四层空调机房为一个防火分区，5141m²。一层的每个防火分区均设有不少于二个安全出口，厂房内任意一点至安全出口的距离按不大于60m考虑。局部设避难走道，避难走道至最近的安全出口不大于60m。厂房内任意防火分区至避难走道处都设置前室。二、三层的洁净生产区共设置了9个封闭楼梯来疏散，其疏散距离根据《电子工业洁净厂房设计规范》GB50472-2008的要求，丙类生产的电子工业洁净厂房的洁净室(区),在关键生产设备设有火灾报警好灭火装置以及回风气流中设有灵敏度严于0.01%obs/m的高灵敏度早期火灾报警系统探测系统后，其每个防火分区的最大允许建筑面积可按生产工艺要求确定。任意一点至安全出口的距离按不大于90m考虑。四层支持区设置了两个封闭楼梯作为安全出口，其疏散距离按厂房内任意一点至安全出口的距离按不大于60m考虑。一层内废有机溶剂，其火灾危险性为甲类，其面积为285m²;CLF3、可燃气体间、氢气纯化间，其火灾危险性为甲类，其面积为370m²;有机溶剂，其火灾危险性为甲类，其面积为375m²,双氧水，其火灾危险性为甲类，其面积为81.6m²:三个危险类别为甲类的防火分区总面积为1110m²,不超过厂房本层建筑面积的5%。故本建筑仍然按火灾危险性丙类考虑。所有火灾危险性为甲类的易燃易爆房间，内墙均采用钢筋混凝土防爆墙与厂房内的其他区域隔开，外墙采用成品系统泄爆墙，局部屋面采用轻钢屋面泄爆。>C1建筑(动力厂房1)&C2建筑(动力厂房2)动力厂房根据其生产类别均为丙类高层厂房。地下一层，地上四层。每一层为一个防火分区，均小于6000平方米，并且内部最远点到达安全出口的距离小于40米。>P1建筑(危险品库1)&P2建筑(危险品库2)危险品库根据其生产类别均为甲类(第1、2、5、6项),属于单层仓库。建筑高度：6.3m(檐口完成面标高)一层为一个防火分区，防火分区面积为696.16m²,小于750m²,满足规范设计要求。>W1建筑(废水处理站1)&W2建筑(废水处理站2)废水处理站根据其生产类别均为戊类多层厂房。层数为地上两层。每一层为一个防火分区，根据规范要求，戊类厂房>H1建筑(化学品库1)&H2建筑(化学品库2)化学品库根据其生产类别均为丙类1项多层厂房。层数为地上三层。建筑占地面积：1524.01m²,建筑面积：4675.05m²;每一层为一个防火分区，根据规范要求，防火分区面积以及疏散距离均满足规范要求。>M1号建筑(生产调度及研发厂房一)生产调度及研发厂房一根据其生产类别为丙类高层生产厂房。层数地上五层。27.25m(屋面完成面标高),半地下设为三个防火分区，每个防火分区面积不大于4000m²,汽车库室内任一点至最近人员安全出口的疏散距离≤60m,地上部分每层设两个防火分区，每个防火分区面积不大于4000m²,生产车间内任一点至最近的安全出口的直线距离不大于40m,全楼设置自动喷水灭火系统。>M2号建筑(生产调度及研发厂房二)生产调度及研发厂房一根据其生产类别为丙类高层生产厂房。层数地上五层。27.25m(屋面完成面标高),半地下设为三个防火分区，汽车库每个防火分区面积不大于4000m²,汽车库室内任一点至最近人员安全出口的疏散距离≤60m,地下非机动车库防火分区面积不大于1000m²’,地上部分每层设一个防火分区，每个防火分区面积不大于4000m²,生产车间内任一点至最近的安全出口的直线距离不大于40m,全楼设置自动喷水灭>设计依据《上海市公共建筑节能设计标准》《建筑外窗气密性能分级及其检测方法》DGJ08-107-2015GB/T7106-2008DGT08-107-2015GB/T50378-2014DGJ08-2143-2014DGJ08-107-2012《上海市公共建筑绿色设计施工图文件审查要点》>总体节能设计a)项目选址符合城乡规划，保护区、文物古迹保护的建设控制要b)场地无洪涝、滑坡、泥石流、污染物、易燃易爆危险源、电磁辐射、含氡土壤等危害；c)场地内合理设置绿化用地，合理设置绿色雨水基础设施，采用下凹式绿地，透水铺装等；>建筑节能设计F1、F2、C1、C2、M1、M2外墙采用浅灰色三明治板，其它单体均采用保温砂浆。其余各子项除硅烷站外、均采用挤塑板保温屋面或玻璃棉保温屋面。建筑外窗均采用断热铝合金框中空玻璃窗。建筑外窗的气密性等级，不低于现行国家标准《建筑外门窗气密、水密、抗风压性能分级及检测方法》GB/T7106-2008中贵的6级。构体系选用：单体装配率不小于60%F1F1生产厂房1为LEED设计标准，主要设计内容如下：a)a)在F1生产厂房附近设计自行车棚，可供500辆自行车停放。b)在建筑一层设置淋浴隔间，为自行车使用者提供淋浴更衣的服务。务。e)在建筑西侧设计了十个机动车停车位，其中1个作为低排放停车位、1个作为合伙停车位。车位、1个作为合伙停车位。a)采用了高反射率材料屋面，建筑屋面面层采用丙烯酸系反射涂料，反射率料，反射率SRI大于78。)在厂区内设置了固废站(建筑面积927)在厂区内设置了固废站(建筑面积927m²),用以收集分类无害垃圾，同时在建筑的每层设置卫生间为垃圾收集点。第五章结构5.1设计依据5.1.1地勘报告浙江省工程勘察院2018.4月提供的《上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目岩土工程勘察报告(详勘)》,工程编号：ZGK08-K20180255.1.2中国现行的规范、规程、标准《建筑结构可靠度设计统一标准》《建筑工程抗震设防分类标准》《建筑结构荷载规范》《建筑抗震设计规范》《工业建筑防腐蚀设计规范》《钢结构设计规范》《混凝土结构设计规范》《建筑地基基础设计规范》《建筑地基处理技术规范》《建筑桩基技术规范》《地下工程防水技术规范》GB50068-2001GB50223-2008GB50009-2012GB50011-2010(2016年版)GB50046-2008GB50017-2003GB50010-2010(2015年版)GB50007-2011JGJ79-2012JGJ94-2008GB50108-2008《工程建设强制性条文》(国家标准及上海市标准)《建筑抗震设计规程》上海市标准DGJ08-9-2013《地基基础设计规范》上海市规范DGJ08-11-2010及其它上海相关地方法规、规范、图集等。5.1.3业主及其他专业提供资料工艺、建筑及各专业提供的设计技术条件；其他业主提供的报告等。5.1.4建筑结构设计使用年限为50年基本风压0.55KN/m²基本雪压0.20KN/m²抗震设防烈度7度5.2场地工程地质条件根据岩土工程勘察资料，本场地内地基土为软弱土类型，场地类别为IV类场地。抗震设防烈度为7度，设计基本地震加速度值为0.10g,设计地震分组为第二组，处于对建筑抗震一般地段。本场地地下潜水及地基土对混凝土具微腐蚀性；在长期浸水条件下，地下潜水对钢筋混凝土中的钢筋具微腐蚀性；在干湿交替条件下，地下潜水对钢筋混凝土中的钢筋具弱腐蚀性；地下潜水对钢结构具弱腐蚀性。承压水一般对混凝土有微腐蚀性，对混凝土中的钢筋有微腐蚀性。场地属亚热带季风气候区，场地所在区域地貌类型为长江三角洲入海口东南前缘潮坪地貌类型，地势较平坦，设计地震分组为第二组。建设场地类别为IV类。主要地层分布稳定、均匀，不存在地基土液化、地基震陷、断裂、滑坡、崩塌、泥石流、地裂缝、岩溶等影响场地稳定性的不良地质作用及地质体，场地稳定性较好，适宜建筑。地基土自上而下可分为7层：①1层素填土，结构松散，成份不均，工程力学性质差，不能作为各类拟建物①2层浜底淤泥，呈流塑状，土质不均，高压缩性，不能作为各类拟建物的基础持力层②1层灰黄色粉质粘土夹粘质粉土，可塑状，中压缩性，工程力学性质一般，仅可作为上部荷载较轻、地基变形控制要求不高的附属建筑物的天然地基基础持力层；土质不均，局部②层土缺失；②3-1层灰色粘质粉土，松散状，中压缩性，工程力学性质一般；该土层场地局部缺失，土质不均；②3-2层灰色砂质粉土，稍密状，中压缩性，工程力学性质尚好，土质不均，场地内遍布；④1层灰色淤泥质粘土，流塑状，高压缩性，工程力学性质较差，该土层具较强的触变性及流变性；该土层场地遍布，土质不均；④2层灰色砂质粉土，中密~密实状，中压缩性，土质不均，场地内局部缺失；场地局部缺失；⑥层暗绿~草黄色粉质粘土，可塑状，中压缩性，工程力学性质尚可；土质较均匀，该土层场地遍布；⑦1层草黄色砂质粉土，中密状，中压缩性，工程力学性质好，可作为本场地拟建建筑的桩端持力层；土质不均，该土层场地遍布；⑦2-1层灰黄色粉砂，密实状，中压缩性，工程力学性质较好，可作为本场地拟建建筑的桩端持力层；该土层土质较均匀，场地遍布；⑦2-2层灰色粉砂，密实状状，中压缩性，工程力学性质较好，土质均匀。该土层场地部分勘探孔揭露。5.3建筑分类等级根据《建筑结构可靠度设计统一标准》(GB50068-2001),本工程结构的安全等及《地基基础设计规范》上海市规范(DGJ08-11-2010),地基基础设计等级：F1生产厂房1、F2生产厂房2、C1动力厂房1、C2动力厂房2为乙级，其余为丙级；地基基础安全等级：二级。根据《建筑工程抗震设防分类标准》(GB50223-2008):F1生产厂房1、F2生产厂房2、K1硅烷站、P1危险品库1、P2危险品库2、H1化学品库1、H2化学品库2、J1氢气棚为乙类建筑；其余所有子项均为丙类建筑。根据《建筑抗震设计规范》GB50011-2010。a.F1生产厂房1、F2生产厂房2的抗震等级：框架抗震等级为三级、剪力墙抗震等级为二级；b.C1动力厂房1、C2动力厂房2混凝土框架抗震等级为二级；c.P1危险品库1、P2危险品库2:混凝土框架抗震等级为二级；d.W1废水处理站1、W2废水处理站2:混凝土框架抗震等级为三级；e.H1化学品库1、H2化学品库2:混凝土框架抗震等级为二级；f.S1固废站：混凝土框架抗震等级为三级；g.K1硅烷站：混凝土框架抗震等级为二级；h.B1空压站1、B2空压站2:混凝土框架抗震等级为三级；i.J1氢气棚：混凝土框架抗震等级为二级；j.V1变电站：混凝土框架抗震等级为三级；k.G1门卫1:混凝土框架抗震等级为三级；1.M1生产调度及研发厂房1、M2生产调度及研发厂房2:混凝土框架抗震等级为二级；m.L1连廊1、L2连廊2:钢结构框架抗震等级为三级；n.混凝土结构的楼梯间处框架梁、柱(包括楼梯梁、柱)的抗震等级在该建筑的抗震等级