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文档简介
1.(广东卷5,4分)截面为正方形的绝缘弹性长管中心有一固定长直导线,长管外表面固
定着对称分布的四根平行长直导线,若中心直导线通入电流四根平行直导线均通入电
流右,/,»/2,电流方向如图所示,下列截面图中可能正确表示通电后长管发生形变的是
【答案】C
【解析】因人>>12,则可不考虑四个边上的直导线之间的相互作用;根据两通电直导线间
的安培力作用满足“同向电流相互吸引,异向电流相互排斥”,则正方形左右两侧的直导线
要受到L吸引的安培力,形成凹形,正方形上下两边的直导线,2要受到4排斥的安培力,
形成凸形,故变形后的形状如图C。
故选Co
2.(全国甲卷16,6分)两足够长直导线均折成直角,按图示方式放置在同一平面内,EO
与O'Q在一条直线上,PO'与OF在一条直线上,两导线相互绝缘,通有相等的电流/,
电流方向如图所示。若一根无限长直导线通过电流/时,所产生的磁场在距离导线d处的磁
感应强度大小为B,则图中与导线距离均为d的M、N两点处的磁感应强度大小分别为()
d:o1\d
E八
I
A.B、0B.O、2BC.28、2BD.8、B
【答案】B
【解析】两直角导线可以等效为如图所示两直导线,由安培定则可知,两直导线分别在M
处的磁感应强度方向为垂直纸面向里、垂直纸面向外,故M处的磁感应强度为零:两直导
线在N处的磁感应强度方向均垂直纸面向里,故M处的磁感应强度为2B;综上分析B正确。
故选B。
EO'Q
3.(浙江6月选考15,6分).如图所示,有两根用超导材料制成的长直平行细导线“、b,
分别通以80A和100A流向相同的电流,两导线构成的平面内有一点p,到两导线的距离相
等。下列说法正确的是()
a-------------«------------------80A
•P
b-------------<------------------100A
A.两导线受到的安培力片=125工
B.导线所受安培力可以用尸=〃J?计算
C.移走导线6前后,p点的磁感应强度方向改变
D.在离两导线所在的平面有一定距离的有限空间内,不存在磁感应强度为零的位置
【答案】BCD
【解析】A.两导线受到的安培力是相互作用力,大小相等,故A错误;
B.导线所受的安培力可以用尸计算,因为磁场与导线垂直,故B正确;
C.移走导线匕前,b电流较大,则0点磁场方向与6产生磁场方向同向,向里,移走后,
p点磁场方向与。产生磁场方向相同,向外,故C正确;
D.在离两导线所在的平面有一定距离的有限空间内,两导线在任意点产生的磁场均不在同
一条直线上,故不存在磁感应强度为零的位置。故D正确。
故选BCDe
4.(河北卷5,4分).如图,距离为4的两平行金属板P、。之间有一匀强磁场,磁感应强
度大小为四,一束速度大小为v的等离子体垂直于磁场喷入板间,相距为L的两光滑平行
金属导轨固定在与导轨平面垂直的匀强磁场中,磁感应强度大小为82,导轨平面与水平面
夹角为。,两导轨分别与P、。相连,质量为机、电阻为R的金属棒。匕垂直导轨放置,恰
好静止,重力加速度为g,不计导轨电阻、板间电阻和等离子体中的粒子重力,下列说法正
_mgRsin9
A.导轨处磁场的方向垂直导轨平面向上,
B}B2Ld
_mgRsinO
B.导轨处磁场的方向垂直导轨平面向下,
BRLd
_mgRtan0
C.导轨处磁场方向垂直导轨平面向上,
B]B?Ld
msRtan0
D.导轨处磁场的方向垂直导轨平面向下,v=°
【答案】B
【解析】
等离子体垂直于磁场喷入板间时,根据左手定则可得金属板Q带正电荷,金属板P带负电
荷,则电流方向由金属棒a端流向b端。等离子体穿过金属板P、Q时产生的电动势U满足
U„
q:=qB\v
a
由欧姆定律/=-和安培力公式F=BIL可得K=B,Lx-=BWJvd
R安RR
mf>Rsin6
再根据金属棒ab垂直导轨放置,恰好静止,可得七=mgsin。则v=---------
B]BJd
金属棒ah受到的安培力方向沿斜面向上,由左手定则可判定导轨处磁场的方向垂直导轨平
面向下。
故选Bo
5.(全国乙卷16,6分).如图,圆形区域内有垂直纸面向里的匀强磁场,质量为,小电荷
量为q(q>0)的带电粒子从圆周上的加点沿直径方向射入磁场。若粒子射入磁场时
的速度大小为匕,离开磁场时速度方向偏转90。;若射入磁场时的速度大小为乙,离开磁
场时速度方向偏转60°,不计重力,则又为()
v2
B.—D.V3
3T
【答案】B
【解析】根据题意做出粒子的圆心如图所示
第一次的半径4=A第二次的半径
r2=V3/?
根据洛伦兹力提供向心力有4丫3=对可得丫=妙所以%=二=走故选B。
rmv2r23
6.(河北卷14,16分)如图,一对长平行栅极板水平放置,极板外存在方向垂直纸面向外、
磁感应强度大小为B的匀强磁场,极板与可调电源相连,正极板上。点处的粒子源垂直极
板向上发射速度为%、带正电的粒子束,单个粒子的质量为,小电荷量为g,一足够长的挡
板OM与正极板成37°倾斜放置,用于吸收打在其上的粒子,C、P是负极板上的两点,C
点位于。点的正上方,P点处放置一粒子靶(忽略靶的大小),用于接收从上方打入的粒子,
3
CP长度为,忽略栅极的电场边缘效应、粒子间的相互作用及粒子所受重力。sin37°=g。
(1)若粒子经电场一次加速后正好打在P点处的粒子靶上,求可调电源电压Uo的大小;
(2)调整电压的大小,使粒子不能打在挡板上,求电压的最小值U,nhl;
(3)若粒子靶在负极板上的位置P点左右可调,则负极板上存在”、S两点(CH<CP<CS,
H、S两点末在图中标出)、对于粒子靶在"S区域内的每一点,当电压从零开始连续缓慢增
加时,粒子靶均只能接收到"(n>2)种能量的粒子,求C”和CS的长度(假定在每个
粒子的整个运动过程中电压恒定)。
【答案】⑴"。=今一⑵人=⑶&10/72Vo
CS—>oo
3qB
【解析】
11
(1)从。点射出的粒子在板间被加速,则=9一万加说9
粒子在磁场中做圆周运动,则半径r=4
2
,v"mv:.
由qvB=m—解得U()=----------
roni2q
(2)当电压有最小值时,当粒子穿过下面的正极板后,圆轨道与挡板0M相切,此时粒子
恰好不能打到挡板上,则
.....................A/X...........................
1,1,
从。点射出的粒子在板间被加速,则/心5"-5成
V2
粒子在负极板上方的磁场中做圆周运动qvB=m——
2
粒子从负极板传到正极板时速度仍减小到V0,则qv0B=加星
由几何关系可知2%in------+r
sin37°
联立解得八当心”等
318q
(3)设粒子第一次经过电场加速,在负极板上方磁场区域偏转的轨迹半径为ro,若粒子在
电场加速电压小于Umm,粒子穿过磁场在正极板下方磁场运动时,会被。例板吸收。则第一
次出现能吸收到〃(〃22)种能量的位置(即H点),为粒子通过极板电压="a时,
1阳
粒子第二次从上方打到负极板的位置(轨迹如图中蓝色线条所示)。由(2)的计算可知
410"2%
贝ijCH=4r-2r
3qB3qB
7V"
极板电压大于Umin=二六时,粒子均不会被OM吸收,可以经过正极板下方磁场偏转,
1817
回到负极板上方磁场中,偏转后打在负极板上。则H点右方的点的粒子靶都可以接受到〃
(n>2)种能量的粒子。即CSf8。
7.(湖南卷13,13分)带电粒子流的磁聚焦和磁控束是薄膜材料制备的关键技术之一、带
电粒子流(每个粒子的质量为“2、电荷量为+q)以初速度V垂直进入磁场,不计重力及带
电粒子之间的相互作用。对处在xQy平面内的粒子,求解以下问题。
(1)如图(a),宽度为力的带电粒子流沿x轴正方向射入圆心为A(0,彳)、半径为4的
圆形匀强磁场中,若带电粒子流经过磁场后都汇聚到坐标原点。,求该磁场磁感应强度用的
大小;
(2)如图(a),虚线框为边长等于2々的正方形,其几何中心位于C(0,-e)。在虚线框内
设计一个区域面积最小的匀强磁场,使汇聚到。点的带电粒子流经过该区域后宽度变为2弓,
并沿x轴正方向射出。求该磁场磁感应强度员的大小和方向,以及该磁场区域的面积(无
需写出面积最小的证明过程);
(3)如图(b),虚线框I和II均为边长等于G的正方形,虚线框III和IV均为边长等于〃的
正方形。在I、II、III和IV中分别设计一个区域面积最小的匀强磁场,使宽度为的带电
粒子流沿x轴正方向射入I和I【后汇聚到坐标原点0,再经过H1和IV后宽度变为2〃,并沿
x轴正方向射出,从而实现带电粒子流的同轴控束。求I和III中磁场磁感应强度的大小,以
及II和IV中匀强磁场区域的面积(无需写出面积最小的证明过程)。
I-
图(a)图(b)
mvmv,72Vmv
2
【答案】(I)——;(2)——,垂直S2=nr,;(3)S=—,81n
"qr2%
"-1)小S|v=g»-l)d
【解析】
(1)粒子垂直x进入圆形磁场,在坐标原点。汇聚,满足磁聚焦的条件,即粒子在磁场中
2
运动的半径等于圆形磁场的半径彳,粒子在磁场中运动,洛伦兹力提供向心力夕口用=加一
ctnv
解得S=——
(2)粒子从。点进入下方虚线区域,若要从聚焦的。点飞入然后平行x轴飞出,为磁发散
的过程,即粒子在下方圆形磁场运动的轨迹半径等于磁场半径,粒子轨迹最大的边界如图所
示,图中圆形磁场即为最小的匀强磁场区域
mv
可知磁感应强度为层
r
根据左手定则可知磁场的方向为垂直纸面向里,圆形磁场的面积为邑=兀方
(3)粒子在磁场中运动,3和4为粒子运动的轨迹圆,1和2为粒子运动的磁场的圆周
V2mvmv
根据=一可知I和HI中的磁感应强度为6n]=----,综n|=---
rM/
图中箭头部分的实线为粒子运动的轨迹,可知磁场的最小面积为叶子形状,取I区域如图
图中阴影部分面积的一半为四分之一圆周S40P与三角形枭。8之差,所以阴影部分的面积为
S1=2(5XOB-SAOB)=2X(;喈-g片)=(g%-1)4
类似地可知IV区域的阴影部分面积为
S|V=2x(;力1_gq2)=(;"一]厉
根据对称性可知n中的匀强磁场面积为
1
5u-1)<,■9
8.(广东卷14,15分).图是一种花瓣形电子加速器简化示意图,空间有三个同心圆。、b、
c围成的区域,圆。内为无场区,圆。与圆b之间存在辐射状电场,圆方与圆c之间有三个
圆心角均略小于90。的扇环形匀强磁场区I、II和川。各区感应强度恒定,大小不同,方向
均垂直纸面向外。电子以初动能纭。从圆,上P点沿径向进入电场,电场可以反向,保证电
子每次进入电场即被全程加速,已知圆。与圆b之间电势差为U,圆b半径为R,圆c半径
为g/?,电子质量为,力电荷量为e,忽略相对论效应,取tan22.50=0.4。
(1)当&p=0时,电子加速后均沿各磁场区边缘进入磁场,且在电场内相邻运动轨迹的
夹角。均为45。,最终从。点出射,运动轨迹如图中带箭头实线所示,求I区的磁感应强度
大小、电子在I区磁场中的运动时间及在。点出射时的动能;
(2)已知电子只要不与I区磁场外边界相碰,就能从出射区域出射。当线0=心。时,要
保证电子从出射区域出射,求k的最大值。
eR4eU6
【解析】
1,
(1)电子在电场中加速有2eU=一〃w
2
在磁场I中,由几何关系可得r=Rtan22.5°=0.4RBev^m—联立解得
]r
5\[eUm
4二-------
1eR
271r
在磁场I中的运动周期为T=——
由几何关系可得,电子在磁场I中运动的圆心角为夕=3万
在磁场I中的运动时间为,=27联立解得「=*如土
2万4eU
从Q点出来的动能为线=8eU
(2)在磁场1中的做匀速圆周运动的最大半径为q,此时圆周的轨迹与I边界相切,由几
何关系可得
回心)=&+大
解得叶
V
2
由于8©%=机42eU=—mvm—keU
联立解得上=斗13
9.(全国甲卷25,20分)如图,长度均为/的两块挡板竖直相对放置,间距也为/,两挡板
上边缘尸和M处于同一水平线上,在该水平线的上方区域有方向竖直向下的匀强电场,电
场强度大小为E;两挡板间有垂直纸面向外、磁感应强度大小可调节的匀强磁场。一质量为
m,电荷量为q(q>0)的粒子自电场中某处以大小为vo的速度水平向右发射,恰好从尸点
处射入磁场,从两挡板下边缘。和N之间射出磁场,运动过程中粒子未与挡板碰撞。已知
粒子射入磁场时的速度方向与PQ的夹角为60。,不计重力。
(1)求粒子发射位置到P点的距离;
(2)求磁感应强度大小的取值范围;
(3)若粒子正好从QN的中点射出磁场,求粒子在磁场中的轨迹与挡板的最近距离。
2,n
【答案】(1)巫竺1;(2)~^-.(3)粒子运动轨迹见解析,
6qE(3+j3)〃ql
39-106/
44’
【解析】
(1)带电粒子在匀强电场中做类平抛运动,由类平抛运动规律可知%=%/①
y=Laf2=®②
-22m
粒子射入磁场时的速度方向与PQ的夹角为60。,有tan30°=*=©③
匕%
粒子发射位置到P点的距离s=正+)2④
由①②③④式得5=幽通⑤
6qE
(2)带电粒子在磁场运动在速度v=殳⑥
cos30°3
带电粒子在磁场中运动两个临界轨迹(分别从Q、N点射出)如图所示
02
由几何关系可知,最小半径「=3=走心
m,ncos3003
最大半旦彳鼠⑧
带电粒子在磁场中做圆周运动的向心力由洛伦兹力提供,由向心力公式可知
9
qvB=—⑨
2机匕)/n,2"巾0
由⑥⑦⑧⑨解得,磁感应强度大小的取值范围(3+循〃-B-一7
(3)若粒子正好从QN的中点射出磁场时,带电粒子运动轨迹如图所示。
5旧
由几何关系可知sin6=-^“=工-⑩
----1
2
Z
带电粒子的运动半径为,T⑪
3cos(300+0)
粒子在磁场中的轨迹与挡板MN的最近距离4伽=&sin300+/)-4⑫
由⑩⑪⑫式解得d=39一摩/
44
10.(浙江卷6月选考23,10分).如图甲所示,空间站上某种离子推进器由离子源、间距
为d的中间有小孔的两平行金属板M、N和边长为Z,的立方体构成,其后端面产为喷口。
以金属板N的中心。为坐标原点,垂直立方体侧面和金属板建立x、y和z坐标轴。M、N
板之间存在场强为E、方向沿z轴正方向的匀强电场;立方体内存在磁场,其磁感应强度沿
Z方向的分量始终为零,沿x和y方向的分量纥和“随时间周期性变化规律如图乙所示,
图中约可调。沆离子(Xe?+)束从离子源小孔S射出,沿z方向匀速运动到M板,经电场
加速进入磁场区域,最后从端面尸射出,测得离子经电场加速后在金属板N中心点。处相
对推进器的速度为山。已知单个离子的质量为加、电荷量为2e,忽略离子间的相互作用,
且射出的离子总质量远小于推进器的质量。
(1)求离子从小孔s射出时相对推进器的速度大小P;
(2)不考虑在磁场突变时运动的离子,调节综的值,使得从小孔S射出的离子均能从喷口
后端面尸射出,求综的取值范围;
(3)设离子在磁场中的运动时间远小于磁场变化周期T,单位时间从端面尸射出的离子数
为〃,且耳=斑也。求图
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