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文档简介
Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的杂质和缺陷
GaAs晶体中的点缺陷当T＞0K时：
●空位VGa、VAs
●间隙原子GaI、AsI
●反结构缺陷
—Ga原子占据
As空位，或As原子占据Ga
空位，记为GaAs和AsGa。
化合物晶体中的各类点缺陷可以电离，释放出电子或空穴，从而影响材料的电学性质。
实际晶体中，由于各种缺陷形成时所需要的能量不同，他们浓度会有很大差别。
GaAs
曾认为VAs、VGa是比较重要的。最近发现，主要缺陷是VAs、AsI。VGa、VAs、AsI是起施主还是起受主作用，尚有分歧。较多的人则采用VAs、AsI为施主、VGa是受主的观点来解释各种实验结果。
（2）Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的缺陷主要是离子键起作用，正负离子相间排列组成了非常稳定的结构，所以外界杂质对它们性能的影响不显著。其导电类型主要是由它们自身结构的缺陷（间隙离子或空格点）所决定，这类缺陷在半导体中常起施主或受主作用。
a.负离子空位产生正电中心，起施主作用电负性小b.正离子填隙产生正电中心，起施主作用c.正离子空位产生负电中心，起受
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