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文档简介

MOS电容MOS电容强反型模式的开启由阈值电压的值决定。与阈值电压有关的两个近似：P型衬底的MOS电容阈值电压：N型衬底的MOS电容阈值电压：VFB对实际的MOS结构来说，VFB可分为两个部分：例1、计算阈值电压MOS电容的工艺参数及相应的物理参数值

参数符号值衬底掺杂浓度NA2×1016cm-3栅氧厚度tox30nm氧化层电荷密度Q0/q5×1010cm-2栅的类型N+多晶硅本征载流子浓度ni1.02×1010cm-3带隙宽度Eg1.12eV室温下的热电压Vt=kT/q0.026二氧化硅介电常数eox3.45×10-11F/m硅介电常数es1.04×10-10F/m阈值电压的设计

在CMOS（互补MOS）集成电路工艺中，对于P型衬底和N型衬底必须要提供绝对值相等的阈值电压。对于N型衬底的MOS结构，我们有必要确定其施主浓度ND的值，以保证其阈值电压与P型衬底的MOS电容阈值电压的绝对值相等。平带如何绘制MOS电容的能带图？和之前一样，最先画费米能级，用虚线表示两种情形：如果系统处于热平衡（加零偏压），整个系统中费米能级是常数。如果栅和衬底之间加了偏压，费米能级（更精确的说，应该是准费米能级）在这种情形下会发生分裂。平带InversionregionDepletionregionNeutralsregionBanddiagram(p-typesubstrate)IdealMOSCurvesOxideSemiconductorsurfaceP-typesilicon表面强反型时，表面耗尽层(surfacedepletion-layer)宽度达到最大电荷密度也达到最大值电中性条件要求反型层(inversionlayer)电子只存在于极表面的一层，简化为理想条件下的阈值电压忽略氧化层中的表面态电荷密度理想情况下，

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