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半导体的体内平衡浓度0

将这种多子浓度高于体内平衡浓度的表面层叫多子堆积层，称此时的表面空间电荷层处于多子堆积状态。

多子空穴空间电荷特征：1）能带向上弯曲并接近EF；2）多子（空穴）在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。xQsQmEFmEcEiEvEv1Ec1EFs无空间电荷(2)VG=0，VS=0，平带半导体表面电荷堆积为0，称这种状态为平带状态。特征：半导体表面能带平直。(3)VG>0，金属接+，半导体接负EcEvEFEiqVsqVBVB是体内势：多子耗尽

ps<(po)p，空间电荷区的负电荷绝大部分为过剩的电离的受主IM++++++S－－－－－－电离的受主这种状态称为多子的耗尽状态，空间电荷区为耗尽层。空间电荷特征：1）表面能带向下弯曲；2）表面上的多子浓度比体内少得多，基本上耗尽，表面带负电。QmQsx（4）VG>>0反型层界面EcEiEFEvqVsxqVqVBEg半导体绝缘体表面空间电荷区内能带的弯曲P电子称这个状态为反型状态

电子电离受主空间电荷反型少子堆积弱反型：ps<ns<(po)p

强反型：ns>(po)p

特征：1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）；2）表面区的少子数>多子数——表面反型；3）反型层和半导体内部之间还夹着一

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