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半导体耗尽层厚度

半导体耗尽层厚度耗尽情况反型情况会算其厚度了解阈值反型点条件常用器件掺杂范围半导体耗尽层厚度小节内容11.1.4平带电压来源定义如果没有功函数差及氧化层电荷,平带电压为多少?如何算11.1MOS电容阈值电压:公式阈值电压：达到阈值反型点时所需的栅压表面势=费米势的2倍|QSDmax|=eNaxdTQSDns忽略反型层电荷11.1MOS电容阈值电压:与掺杂/氧化层电荷的关系P型衬底MOS结构Q‘ss越大，则VTN的绝对值越大；Na越高，则VTN的值（带符号）越大Na很小时，VTN随Na的变化缓慢，且随Q’ss的增加而线性增加

Na很大时，VTN

随Na

的变化剧烈，且与Q’ss

的相关性变弱11.1MOS电容阈值电压:导通类型VTN>0MOSFET为增强型VG=0时未反型，加有正栅压时才反型VTN<0MOSFET为耗尽型VG=0时已反型，加有负栅压后才能脱离反型P型衬底MOS结构11.1MOS电容阈值电压:n型衬底情形费米势表面耗尽层最大厚度单位面积表面耗尽层电荷单位面积栅氧化层电容平带电压阈值电压11.1MOS电容n型衬底与p型衬底的比较p型衬底MOS结构n型衬底MOS结构增强型、耗尽型都可能增强型（除非掺P型杂质）MOSFET类型阈值电压典型值金属-半导体功函数差11.1MOS电容表面反型层电子密度与表面势的关系11.1MOS电容表面空间电荷层电荷与表面势的关系堆积平带耗尽弱反型强反型小节内容11.1.6电荷分布分布图为什么书中可以经常忽略反型点的电荷?p32711.1.5阈值电压概念电中性条件与谁有关?如何理解?N型P型及掺杂的关系11.2节内容理想情况CV特性频率特性氧化层电荷及界面态的影响实例11.2C-V特性什么是C-V特性？平带电容-电压特性11.2C-V特性

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