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文档简介

场效应晶体管MOS晶体管MOS晶体管的匹配浮栅晶体管JFET晶体管提纲2(A)增强型NMOS(B)增强型PMOS(C)耗尽型NMOS

(D)耗尽型PMOSMOS晶体管的类型

MOS晶体管建模4

跨导系数5

阈值电压6N阱CMOS工艺NMOS晶体管的简化寄生模型寄生参数7N阱CMOS工艺PMOS晶体管的简化寄生模型寄生参数8击穿机制雪崩击穿穿通击穿介质击穿热载流子诱发阈值电压偏移短沟道NMOS晶体管的击穿效应穿通击穿（0.4um工艺器件）和雪崩击穿（0.6um和0.8um工艺器件）击穿机制9当源/漏扩散区相对背栅正偏时，会向邻近器件的反偏结注入少子相邻的NMOS和PMOS晶体管相互交换少子会引发CMOS闩锁效应少子保护环可以防止闩锁效应具有收集空穴保护环的PMOS；(B)具有收集电子保护环的NMOS闩锁效应10

漏电机制11简单的自对准多晶硅栅NMOS晶体管的版图和剖面图构造CMOS晶体管12 (A)利用NSD、PSD和沟槽掩模层 (B)利用NM

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