2022-2023学年高二物理竞赛课件：化合物半导体中的杂质和缺陷_第1页
2022-2023学年高二物理竞赛课件：化合物半导体中的杂质和缺陷_第2页
2022-2023学年高二物理竞赛课件：化合物半导体中的杂质和缺陷_第3页
2022-2023学年高二物理竞赛课件：化合物半导体中的杂质和缺陷_第4页
2022-2023学年高二物理竞赛课件：化合物半导体中的杂质和缺陷_第5页
已阅读5页，还剩8页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

化合物半导体中的杂质和缺陷

1.Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质和缺陷化合物半导体中的杂质和缺陷

掺受主的半导体的价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴（空穴数>>电子数），对应的半导体称为P型半导体。空穴为多子，电子为少子。

EcED电离施主电离受主Ev杂质的补偿作用(1)ND＞NA半导体中同时存在施主和受主杂质，施主和受主之间有互相抵消的作用此时为n型半导体n=ND-NAEAEcEDEAEv电离施主电离受主(2)ND<NA此时为p型半导体

p=NA-ND(3)ND≈NA杂质的高度补偿EcEvEAED不能向导带和价带提供电子和空穴(2)间隙SiSiSiSiSiSiSiSiSiSi间隙原子缺陷起施主作用

●施主杂质

Ⅵ族元素(Se、S、Te)在GaAs中通常都替代Ⅴ族元素As原子的晶格位置。Ⅵ族杂质在GaAs中一般起施主作用，为浅施主杂质。●受主杂质

Ⅱ族元素（Zn、Be、Mg、Cd、Hg）在GaAs中通常都取代Ⅲ族元素Ga原子的晶格位置。Ⅱ族元素杂质在GaAs中通常起受主作用，均为浅受主杂质。●中性杂质

Ⅲ族元素（B、Al、In）和Ⅴ族元素（P、Sb）在GaAs中通常分别替代Ga和As，由于杂质在晶格位置上并不改变原有的价电子数，因此既不给出电子也不俘获电子而呈电中性，对GaAs的电学性质没有明显影响。在禁带中不引入能级●两性杂质

Ⅳ族元素杂质（Si、Ge、Sn、Pb）在GaAs中的作用比较复杂，可以取代Ⅲ族的Ga，也可以取代Ⅴ族的As，甚至可以同时取代两者。Ⅳ族杂质不仅可以起施主作用和受主作用，还可以起中性杂质作用。在掺Si浓度小于1×1018cm-3时，Si全部取代Ga位而起施主作用，这时掺Si浓度和电子浓度一致；而在掺Si浓度大于1018c

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论