2022-2023学年高二物理竞赛课件：理想p-n结的电流电压关系_第1页
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理想p-n结的电流电压关系2024/5/172理想p-n结的电流电压关系讨论：2.强烈依赖于温度p-n结有电阻，电流越大，焦耳热越多，温度越高，电流更大，——形成正反馈，器件烧坏。2024/5/173影响理想p-n结J-V关系的因素势垒区的产生-复合电流表面效应大注入的情况串联电阻效应（自学）2024/5/174影响理想p-n结J-V关系的因素复合电流（正向偏压）2024/5/175影响理想p-n结J-V关系的因素2024/5/176影响理想p-n结J-V关系的因素m=1，扩散电流为主；m=2，复合电流为主。扩散电流与复合电流之比和ni及外加电压V有关。低正向电压下，复合电流占主要地位；较高正向偏压下，复合电流可以忽略。2024/5/177影响理想p-n结J-V关系的因素产生电流（反向偏压）2024/5/178影响理想p-n结J-V关系的因素讨论：Js与反向偏压无关，而JG随反向偏压增加而增加。禁带宽度小的半导体，反向漏电流增加显著。温度升高，反向漏电流增加。少子寿命越小，反向漏电流越大。2024/5/179影响理想p-n结J-V关系的因素大注入（正向偏压大）VJVP2024/5/1710影响理想p-n结J-V关系的因素2024/5/1711影响理想p-n结J-V关系的因素2024/5/1712影响理想p-n结J-V关系的因素总结复合电流扩散电流大注入串联电阻效应产生电流2024/5/1713例题

例1.Sip-n结参数如下：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，p-n结截面积A=0.01cm2，

n=

p=1us，设结两边的宽度远大于各自少子的扩散长度，求室温时正向电流I为1mA时的外加电压。设p区

n=5

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