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文档简介
耗尽层近似
假设空间电荷区的空穴都已全部耗尽，电荷全由已电离的受主杂质构成。半导体的掺杂是均匀的，则空间电荷区的电荷密度，
(x)=-qNA设xd为耗尽层的厚度
耗尽层近似表面空间电荷区的电场和电容表面空间电荷区的电场：F函数空间电荷层中电势满足的泊松方程εrs半导体的相对介电常数,
(x)空间电荷密度V>0,取正;V<0,取负V=Vs时,半导体表面处的电场强度电荷面密度
金属为正时，VG>0，QS为负号金属为负时，VG<0，QS为正号空间电荷层单位面积上的电容,单位F/m2以p型半导体为例,定量地分析各种表面层的状态空间电荷层的电容(1)VG<0，金属接负，半导体接正多数载流子堆积状态
随而
0
C
C0(AB)随|VG|
积累的空穴越来越少，CS
，C/C0
(BC)1.00.80.60.40.2ABCDEFC0CFBCminC
minVmin1低频C02高频GH00+VMIS结构的电容-电容曲线C/C0又（no)p<<(po)p(2)VG=0，VS=0
平带平带时的总电容为CFB
εro为绝缘层的相对介电常数(3)VG>0，金属接+，半导体接负VS>0，表面能带下弯，是空穴的势垒
空穴耗尽状态电离饱和时(p0)p=NAVG,C/C0
(CD)(4)VG>>0反型状态低频时,少子的产生与复合跟得上小信号的变化VS
，少子积累越多，ns
，Cs
，C0/CS
，
C/C0
(DE)
当VS
到使C0/C
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