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晶胞结构分析与计算-2024年高考化学二轮必刷题

必刷题晶胞结构分析与计算

建议完成时间:60分钟选择题:精选20题

实际完成时间:分钟非选择题:精选0题

题目曰(2023・广东广州・统考三模)研究者利用冷冻透射电子显微镜,在石墨烯膜上直接观察到了自然环境

下生成的二维晶体,其结构如图所示。下列说法正确的是()

A.石墨烯属于烯烧,可发生加成反应B.石墨烯中碳原子的杂化轨道类型为印

C.二维晶体的化学式为D.二维晶体中Ca和CI的配位数均为6

题目0(2023.重庆沙坪坝.校考模拟预测)X为一种由汞(%)、错(Ge)、睇(S6)形成的可作潜在拓扑绝缘体

材料的新物质,其晶胞如图所示(底面为正方形)。下列说法错误的是()

A.X的化学式为Ge为S与

B.与顼距离最近的Sb的数目为4

C.若晶胞中原子1的坐标为(0,0,0),则原子2的坐标为信,:,。)

D.设X的最简式的分子量为昭,则X晶体的密度为4M义%-cm-3

就目区(2024・辽宁沈阳・统考一模)某立方晶系的锦钾(Sb—K)合金可作为钾离子电池的电极材料,下图表

示1/8晶胞。下列说法中错误的是()

OK

•Sb

A.该晶胞的体积为8a3义10-3%1?B.K和Sb原子数之比为3:1

C.与K最邻近的Sb原子数为4D.该晶胞的俯视图为

题目©(2023•湖北武汉•校考模拟预测)CsPbBg纳米晶体作为新一代光电半导体材料,己被广泛应用于光

电子器件领域。CsPbBg的晶胞为立方型,其结构如下图所示。容忍因子+=」a+b、(以、功

V2(rB+rc)

和b分别代表着4B、。位的离子半径),其数值越接近1,晶体结构越稳定。已知MCsPbBn)=0.828。

下列说法错误的是()

O顶点A位Cs+

O体心B位Pb2+

•面心C位Br

+2+

A.CsPbBr3晶体中Cs和Pb的配位数均为6

2+

B.CsPbBr3晶体中Pb填充在Br-构成的正八面体空隙中

C.若要提高CsPbBr3晶体的稳定性,可用离子半径略小于P&2+的离子取代.2+

D.若某型晶体的容忍因子r=1,则人、B位的离子均恰好与C位的离子相切

题目回(2023・吉林长春・校考三模)氮化铝的晶胞结构如图所示,力点分数坐标为(0,0,0)=氮化铭的晶体

密度为dg/cn?,摩尔质量为河g/mol,晶胞参数为弋表阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的

是()

A.铭原子的价电子排布式为3屋4s2B.0r原子位于N原子构成的四面体空隙中

C距离a原子最近的%原子有8个D.a=卬x.

【题目回(2023・广东梅州・统考三模)FeS2晶体的晶胞结构如图所示。下列说法不正确的是(

2

•Fe2+OOS^

A.阴、阳离子个数比为1:1

B.FeSz晶体中距离%2+最近的"2+的数目为12

C.若晶胞边长均为磔山,则£一和S厂之间的最短距离为V2apm

D.阳离子位于由阴离子构成的正八面体空隙中

题目[7](2023•重庆渝中•校考模拟预测)CaQ的晶胞与相似,但由于。厂的结构导致晶胞沿一个方向

拉长(如图),已知CaG的摩尔质量为胸・moL,若阿伏加德罗常数的值为外,下列说法错误的是

()

A.(为2+填充在围成的八面体空隙中B.每个a?+周围等距紧邻的°厂有6个

C.两个最近@2+之间的距离为孚4M

D.CaC2晶体密度的计算式为一,30g-cm7

230

NAabX1Q-

题目回(2023・河北•校联考三模)实验室制取ELF的原理为(+H.SO,(讣、)'(「NO.7HF。,氢氟酸可用来

刻蚀玻璃,发生反应:S,O2+4HF=SiFn+2M。。的立方晶胞如图所示,其晶胞参数为加伊。下列

说法错误的是()

A.简单氢化物的稳定性:成>凡。

B.SiFi,H2O,SO广三者的VSEPA模型均为四面体形

C.SCO2晶体与S,晶体的晶体类型相同,二者均为良好的半导体

D.CaF,晶体中F-与Ca2+之间的最近距离为^-anm

[题目⑼(2023•北京海淀•校考三模)钛酸钙是典型的钙钛矿型化合物,该类化合物具有特殊的理化性质,比如

吸光性、电催化性等,其晶体结构如图所示。下列说法正确的是()

A.基态钛原子价电子排布式为4s23d2B.钛酸钙的化学式为CaTiO2

C.每个晶胞中含有8个32+D.每个@2+周围距离最近且等距的一有12个

题目①(2024•江苏连云港・统考一模)周期表中HA族元素及其化合物应用广泛。被的化合物性质与铝相

似,庆。的熔点为2575T,熔融时庆司能导电,而比也不能导电;下列有关说法正确的是()

A.BeF2和BeCl2均为离子化合物

B.BeO的晶胞如图所示,晶胞中-的配位数为4

C.IIA族元素形成的氧化物均能与冷水直接化合成强碱

D.在空气中加热蒸发庆仪和幅M溶液都能得到BeCl2和陷固体

题目①(2023•北京海淀•校考三模)硅酸盐是地壳岩石的主要成分,在硅酸盐中,四面体SVO『(如图甲为俯

视投影图)通过共用顶角氧原子可形成六元环(图乙)、无限单链状(图丙)、无限双链状(图丁)等多种结构。

石棉是由钙、镁离子以离子数1:3的比例与单链状硅酸根离子形成的一种硅酸盐。

®Si-0«甲(SiO$)

一人AAA一

AAAA

VVVVF双链)

下列说法不正确的是()

A.大多数硅酸盐材料硬度高与硅氧四面体结构有关

B.六元环的硅酸盐阴离子化学式(sio3)r

C.石棉的化学式为<7071@5,4。12

D.双链状硅酸盐中硅氧原子数之比为2:5

题目应(2023•辽宁阜新•校考模拟预测)碎化钱是一种立方晶系如图甲所示,将两掺杂到晶体中得到稀磁

性半导体材料如图乙所示,碑化线的晶胞密度为『gXcM-3。下列说法错误的是()

A.Imol碑化线中配位键的数目是4外

B.掺入儿加的晶体中A加、Ga、As的原子个数比为5:26:32

C.沿体对角线a-6方向投影图如丙,若c在11处,则As的位置为7、9、11、13

D.该晶体中距离最近的两个钱原子之间的距离为挈X5湾gx1010pm

2VpNA

建目H(2024.广西.统考模拟预测)某镁保合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图1(为便于观察,省略了2个

图2的结构),晶胞边长为磔机。下列说法正确的是()

图1图2

A.晶体的化学式为胸2MdB.晶胞中与1个胸配位的M有6个

C.晶胞中2个刖之间的最近距离为磔机D.镁保合金中竭、M通过离子键结合

题目包(2023•辽宁鞍山・统考一模)氮化硼(BN)晶体有多种结构。六方相氨化硼是通常存在的稳定相,与

石墨相似,具有层状结构,可作高温润滑剂;立方相氮化硼是超硬材料,有优异的耐磨性。它们的晶体结构

S.

如图所示,关于这两种晶体的说法正确的是()

六方相煎1化哪立方在

A.两种晶体中B原子的杂化方式均为s/

B.两种晶体中B-N键键长相等

C.六方相氮化硼层间共价键键能较小,所以可做高温润滑剂

D.每个立方氮化硼晶胞中含有4个B原子和4个N原子

题目工可(2024.江西.统考模拟预测)朱砂(硫化汞)在众多先秦考古遗址中均有发现,其立方晶系0型晶胞如

下图所示,晶胞参数为anm,人原子的分数坐标为(0,0,0),阿伏加德罗常数的值为/,下列说法正确的是

()

沿z轴投影

A.S的配位数是6B.晶胞中B原子分数坐标为信,:,管)

C.该晶体的密度是七号产刖3D.相邻两个Hg的最短距离为^-anm

题目电(2023•辽宁沈阳•校考模拟预测)化学式为加(30/27"凡4),2。6珏的笼形包合物四方晶胞结构

如图所示(〃原子未画出),晶胞中N原子均参与形成配位键,每个苯环只有一半属于该晶胞。晶胞参数为

a=bAc,a=6=7=90°则下列叙述正确的是()

ONi2+

OZn2+

A.Z"在元素周期表d区B.设晶体中刖原于的杂化方式为sp3

C.x:y:z—1:1:1D.Ni2+与Zn2+的配位数之比为2:3

题目兀(2023•安徽黄山・统考一模)硒化锌(ZnSe)是一种重要的半导体材料,其晶胞结构如图1所示,图2

为该晶胞沿Z轴方向在①g平面的投影,已知晶胞边长为磔机,阿伏加德罗常数的值为M,A点原子的坐标

为(0,0,0),下列说法错误的是()

图1图2

A.Z"位于元素周期表的ds区B.基态Se原子有18种不同空间运动状态的电子

C.B点原子的坐标为信,D.该晶体密度为黑锻嬴g/cm,

题目逗(2023•山东淄博・统考三模)NCbQ是锂离子电池正极材料,晶体中。围绕C。形成八面体,八面体

共棱形成层状空间结构,与乙广层交替排列。在充放电过程中,CO(III)与Co(IV)相互转化,入广在层间脱

出或嵌入,晶胞组成变化如图所示。下列说法正确的是()

A.Li^xCoO2中cc=。

O

B.每个晶胞中"+与GO(IV)个数比为2:1

C.每个LijCoO?晶胞转化为Li0.5CoO2晶胞转移的电子数为4

D.相同质量的。一分别转化为取Q。。?与小。。。2转移电子数之比为1:2

题目叵}(2023•湖南衡阳・校考三模)某水性钠离子电池电极材料由Na+、Fe2\Fe3\CAT组成,其立方晶胞

嵌入和嵌出Na+过程中,Fe?+与"3+含量发生变化,依次变为格林绿、普鲁士蓝、普鲁士白三种物质,其过

程如图所示。下列说法错误的是()

普鲁士蓝

A.普鲁士蓝中居2+与+个数比为1:2

B.格林绿晶体中加3+周围等距且最近的比产数为6

C.每个Fe(CN)3晶胞完全转化为NaFe(CN)3晶胞,转移8个e-

l303

D.若普鲁士白的晶胞棱长为apm,则其晶体的密度为34KX105-cm-

3

aNA

题目10(2023•全国•校联考一模)一种超导材料(仅由Cs、Ag,F三种元素组成)的长方体晶胞结构如图所

示(已知MF=Q民用此表示阿伏加德罗常数的值):

apm

一二送二八

R

OQ

QiO:

"A-QQiQ:o9

ii4-3二二船cpm

spm

,Q■Q

6noO

o;Q

©::匚二6;区Cm

M*

下列说法正确的是()

A.基态©Ag失去4d能级上的一个电子转化为Ag+

B.若N点原子分数坐标为则P点原子分数坐标为(0,0,C/

C.M、N之间的距离为4ax10-7cm

D.晶体的密度为茅

acNA

8

必刷题晶胞结构分析与计算

建议完成时间:上Q—分钟选择题:精选」0_题

实际完成时间:_____分钟非选择题:精选题

题目1(2023・广东广州・统考三模)研究者利用冷冻透射电子显微镜,在石墨烯膜上直接观察到了自然环境

下生成的二维晶体,其结构如图所示。下列说法正确的是

A.石墨烯属于烯燃,可发生加成反应B.石墨烯中碳原子的杂化轨道类型为叩2

C.二维晶体的化学式为Ga。。D.二维晶体中Ga和CI的配位数均为6

【答案】B

【详解】A.石墨烯属于碳单质,不含有H元素,不属于烯烧,不能发生加成反应,故A错误;

B.石墨烯为平面结构,。的价层电子对数为3,故碳原子的杂化软道类型为s/,故B正确;

C.每个Ca周围距离最近的C7有3个,每个C7周围距离最近的Ca有3个,故二维晶体的化学式为CaCl,

故。错误;

D.由。分析知,二维晶体中Ca和0的配位数均为3,故。错误;

故选及

题目团(2023•重庆沙坪坝•校考模拟预测)X为一种由汞(药)、错(Ge)、睇(Sb)形成的可作潜在拓扑绝缘体

材料的新物质,其晶胞如图所示(底面为正方形)。下列说法错误的是

anm

A.X的化学式为GeHgSb2

B,与为距离最近的Sb的数目为4

C.若晶胞中原子1的坐标为(0,0,0),则原子2的坐标为仔,,,,)

D.设X的最简式的分子量为跖,则X晶体的密度为幽»39•cm-3

NAac

【答案】。

【详解】4X中含两个数为4x:+6xJ=4,Ge个数为8x]+4x〈+l=4,Sb个数为8,则X的

化学式为GeHgSb?,故A正确;

B.以右侧面的为分析,与均距离最近的S6的数目为4,故B正确;

C.若晶胞中原子1的坐标为(0,0,0),则原子2在上面那个立方体的体对角线的四分之一处,其z坐标为

则其坐标为信,片《),故C错误;

Mrg•moL*4

D.设X的最简式的分子量为昭,则X晶体的密度为------普吟-----------=4昭义?一[.cm-,故

-,2

(aX10cm)xcXICT7cmNAa?c

。正确。

综上所述,答案为。。

[题目回(2024•辽宁沈阳・统考一模)某立方晶系的锦钾(Sb-K)合金可作为钾离子电池的电极材料,下图表

示1/8晶胞。下列说法中错误的是

OK

•Sb

A.该晶胞的体积为8a3x10-30cm3B.K和Sb原子数之比为3:1

C.与K最邻近的Sb原子数为4D.该晶胞的俯视图为

【答案】。

【详解】A.1/8晶胞的体积为a3x10-3。313,该晶胞的体积为8a3x10-30cm3,A正确;

B.根据图示1/8晶胞中平均含有K原子数为4xg+l=g_,Sb原子数为4X3=],K和Sb原子数之

o2o2

比为3:1,B正确;

C.由图可知,1/8晶胞体心处K最邻近的Sb原子数为4,。正确;

D.根据图示推出晶胞顶点、面心、内部存在K原子,该晶胞的俯视图为

故选。。

题目回(2023•湖北武汉•校考模拟预测)纳米晶体作为新一代光电半导体材料,已被广泛应用于光

电子器件领域。CsPbBq的晶胞为ABC3立方型,其结构如下图所示。容忍因子旨=/4、(乙、%

V2(rs+rc)

和,°分别代表着4、B、。位的离子半径),其数值越接近1,晶体结构越稳定。已知MCsPbBn)=0.828o

下列说法错误的是

O顶点A位Cs+

O体心B位Pb2+

•面心C位Br

+2+

A.CsPbBr3晶体中Cs和Pb的配位数均为6

2+

B.CsPbBr3晶体中Pb填充在Br-构成的正八面体空隙中

C.若要提高CsPbBr3晶体的稳定性,可用离子半径略小于P&2+的离子取代P&2+

D.若某型晶体的容忍因子丁=1,则人、B位的离子均恰好与。位的离子相切

【答案】4

【详解】4根据晶胞结构可知CsPbBn晶体中Cs+的配位数为12,J3/的配位数均为6,4错误;

B.根据晶胞结构CsPbBr3晶体中P&2+填充在Br-构成的正八面体空隙中,B正确;

C.根据题干可知容忍因子其数值越接近1,晶体结构越稳定,9怯+处于B位,MCsPbBn)=0.828,若用

离子半径略小于Pb2+的离子取代Pb2+,容忍因子的分母减小、容忍因子增大,越来越接近1,会提高晶体的

稳定性,。正确;

D.r=1说明方(以+r0)=以+「。,则4B位的离子均恰好与C位的离子相切,。正确;

故选4。

I题目回(2023・吉林长春・校考三模)氮化铝的晶胞结构如图所示,A点分数坐标为(0,0,0)。氮化铭的晶体

密度为dg/cn?,摩尔质量为“g/mol,晶胞参数为a侬n,/代表阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是

A.铭原子的价电子排布式为3d44s2B.0r原子位于N原子构成的四面体空隙中

C距离。原子最近的。原子有8个"牌"N

【答案】。

【详解】A.已知Cr是24号元素,根据洪特规则及特例可知,基态铭•原子价层电子排布式为3d54sl,A错

、口

7天;

B.由题干晶胞示意图可知,0r原子位于N原子构成的八面体空隙中,B错误;

C.由题干晶胞示意图可知,距离体心的Cr原子最近的Cr原子位于棱心,共有12个,。错误;

D.由题干晶胞示意图可知,N原子位于顶点和面心,个数为8x±+6xg=4,Or原子位于棱心和体

心,个数为12X+1=4,晶胞质量为聿与,晶胞体积为(aX10-7)3cm3,p=*可得,dg•cm-3=

4IVAv

4Mg

----------------01]nln=牌XI。',。正确;

M(aX10”.3'

故答案为:D。

题目回(2023广东梅州・统考三模)FeSz晶体的晶胞结构如图所示。下列说法不正确的是

A.阴、阳离子个数比为1:1

B.FeSz晶体中距离%2+最近的Fe2+的数目为12

C.若晶胞边长均为磔山,则用一和Sr之间的最短距离为V2apm

D.阳离子位于由阴离子构成的正八面体空隙中

【答案】。

【详解】A.Sr位于顶点和面心,个数为8xJ+6x《=4,"2+位于棱心和体心,个数为12x:+1=

o24

4,阴、阳离子个数比为1:1,A项正确;

2+2+

B.FeS2晶体的晶胞中,该晶体中距离Fe最近的Fe的数目为12,5项正确;

C.ST与SL之间的最短距离等于晶胞面对角线的一半,即ST和之间的最短距离为孚磔山,。项

错误;

D.由晶胞结构可知,晶胞中心的阳离子位于由阴离子构成的正八面体的中心,。项正确;

故选。。

题目⑶(2023•重庆渝中•校考模拟预测)CaQ的晶胞与Na。相似,但由于CT的结构导致晶胞沿一个方向

拉长(如图),已知CaC2的摩尔质量为Mg-moL,若阿伏加德罗常数的值为M,下列说法错误的是

A.52+填充在CT围成的八面体空隙中B.每个々2+周围等距紧邻的绫一有6个

C.两个最近Ga2+之间的距离为七pmD.CaQ晶体密度的计算式为一皿311g.em-3

230

2NAabxlO-

【答案】B

【详解】A.由晶胞结构可知,。厂为面心立方紧密堆积,填充在围成的八面体空隙中,故4正确;

B.该晶胞不是正方体,以面心a?+为研究对象,每个a?+周围等距紧邻的。厂不是6个,故B不正确;

c.由晶胞结构可知,两个最近@2+之间的距离为地面对角线的一半,为坐“小,故。正确;

D.CaG晶体中a2+的个数为8X3+6X】=4,。厂的个数为1+12x:=4,密度的计算式为

o24

4M-3

-----9---------^9'cm故D正确;

A^a^XlO-30

故选8。

题目回(2023•河北•校联考三模)实验室制取丘田的原理为「山.35。/津Jo,.?|任「,氢氟酸可用来

刻蚀玻璃,发生反应:SiO2+4HF^Si^+2H2O-,Ca用的立方晶胞如图所示,其晶胞参数为anm。下列

说法错误的是

A.简单氢化物的稳定性:成>其。

B.SiR、HQ、SO『三者的USEPA模型均为四面体形

C.SiO.2晶体与Si晶体的晶体类型相同,二者均为良好的半导体

D.CaF,晶体中产一与32+之间的最近距离为^-anm

【答案】。

【详解】4非金属性:F>O,则简单氢化物的稳定性:上田A科。,人正确;

B.S,虱、也。和SOt的中心原子的价层电子对数均为4,故VSEPA模型均为四面体形,B正确;

C.二氧化硅晶体和硅晶体均为共价晶体,共同点为熔点高、硬度大,不同点是二氧化硅晶体不导电,硅晶

体是良好的半导体材料,C错误;

D.Ca£晶体中@2+为面心立方最密堆积,干一位于々2+围成的正四面体的空隙中,与62+之间的最

近距离为立方晶胞体对南线长的[,即为斗anrri,。正确;

故答案为:。。

题目回(2023•北京海淀•校考三模)钛酸钙是典型的钙钛矿型化合物,该类化合物具有特殊的理化性质,比如

吸光性、电催化性等,其晶体结构如图所示。下列说法正确的是

A.基态钛原子价电子排布式为4s23d2B,钛酸钙的化学式为CaTiO2

C.每个晶胞中含有8个Ca2+D.每个Co2+周围距离最近且等距的-有12个

【答案】。

【详解】每个晶胞中钛离子为1个,晶胞的八个钙离子在立方体顶点上,六个氧离子在面心,根据均摊原则,

每个晶胞实际占有钙离子数目为8X5=1,氧离子数目为6X1=3,晶胞的化学式为CaTiO3o

o2

A.Ti为22号元素,其核外电子排布式为:Is22s22P63s23P63d24s2,可见其价层电子排布式为3d24s>1错

、口

沃;

B.每个晶胞中钛离子为1个,晶胞的八个钙离子在立方体顶点上,六个氧离子在面心,根据均摊原贝L每

个晶胞实际占有钙离子数目为8X3=1,氧离子数目为6x^=3,所以晶胞的化学式为CaT灰Ds,B错误;

o2

C.每个晶胞实际占有钙离子数目为8x^=1,。错误;

O

D.由晶胞结构可知,以顶点为研究对象,在1个晶胞中周围距离最近且等距的。2一有3个,该顶点被

8个晶胞共用,则每个々2+周围距离最近且等距的-有=3*8X:=12个,。正确;

故选。。

题目兀(2024.江苏连云港.统考一模)周期表中HA族元素及其化合物应用广泛。镀的化合物性质与铝相

似,BeO的熔点为25751,熔融时BeF2能导电,而Be。。不能导电;下列有关说法正确的是

•Be2+

Oo2-

A.Be6和庆2均为离子化合物

B.Be。的晶胞如图所示,晶胞中。2一的配位数为4

C.IIA族元素形成的氧化物均能与冷水直接化合成强碱

D.在空气中加热蒸发Be。。和皿*溶液都能得到BeCl2和陷仪固体

【答案】8

【详解】4BeCl2与AlCl3的结构性质相似,属于共价化合物,A不符合题意;

B.Be。的晶胞如图所示,白球为。一,面心。2一与两个Be2+相连,面心一应连接两个晶胞,故晶胞中

一的配位数为4,B符合题意;

C.II4族中的陶元素形成的氧化物为胸O,与冷水直接化合成的氢氧化镁不是强碱,。不符合题意;

D.BeCk是很易水解的,一般溶液呈酸性是正常的,类似于AlCl3溶液,如果溶液呈酸性或近中性,则蒸干

灼烧后会得到BeO,D不符合题意;

故选B。

题目⑪(2023•北京海淀•校考三模)硅酸盐是地壳岩石的主要成分,在硅酸盐中,四面体SCO:(如图甲为俯

视投影图)通过共用顶角氧原子可形成六元环(图乙)、无限单链状(图丙)、无限双链状(图丁)等多种结构。

石棉是由钙、镁离子以离子数1:3的比例与单链状硅酸根离子形成的一种硅酸盐。

久久久

®Si-0解哂VVV

▽A▽Av二▽八▽

乙(六元环)VVVVT(双链)

下列说法不正确的是

A.大多数硅酸盐材料硬度高与硅氧四面体结构有关

2

B.六元环的硅酸盐阴离子化学式(SiO3)l-

C.石棉的化学式为Ca竭3S%Oi2

D.双链状硅酸盐中硅氧原子数之比为2:5

【答案】。

【详解】硅氧四面体结构是指由一个硅原子和四个氧原子组成的四面体结构。这种结构因其内部化学

键的结构和特性而具有稳定性。硅氧四面体结构中的硅原子与四个氧原子形成了共价键,共享电子对使

每个原子都充满了电子。这种共价键结构使得硅氧四面体结构比单纯的硅或氧分子更加稳定,所以硅氧

四面体结构决定了大多数硅酸盐材料硬度高,故A正确;

B.六元环的硅酸盐阴离子中S5元素显+4价,。元素显一2价,所以六元环的硅酸盐阴离子化学式为

(SEO3)r,故B正确;

C.石棉中钙、镁离子之比为1:3,其中幅元素、Ca元素显+2价,S,元素显+4,O元素显一2价,所以,

该石棉的化学式可表示为Ca幅3$狐。12,故。正确;

D.由图丁可知,双链硅酸盐中有两种硅氧四面体,且数目之比为1:1,一种与单链硅酸盐中硅氧原子个数

比相同,其中硅原子个数为1,氧原子个数为2+2x]=3,个数比为1:3;另一种,硅原子个数为1,。原子

个数为l+3x^=2.5,个数比为1:2.5,所以双链状硅酸盐中硅氧原子数之比为2:5.5,故。错误;

故选。。

题目亘](2023•辽宁阜新•校考模拟预测)碎化像是一种立方晶系如图甲所示,将Mn掺杂到晶体中得到稀磁

性半导体材料如图乙所示,碑化线的晶胞密度为rgxcm\下列说法错误的是

A.Imol碎化钱中配位键的数目是4乂

B.掺入跖i的晶体中Mt、Ga、As的原子个数比为5:26:32

C.沿体对角线a-b方向投影图如丙,若c在11处,则As的位置为7、9、11、13

7

D.该晶体中距离最近的两个钱原子之间的距离为浮x1席x1010pm

2YpNA-

【答案】B

【详解】4由图甲知,1个As与4个Ga形成As—Ga共价键,即碑化镇中As的配4立数为4,则Imol神化

镇中配位键的数目是4乂,A正确;

B.掺入A血的晶体中Ga有7个位于顶点,5个位于面心,个数为:7x《+5x5=乌;As有4个位于体

o2o

内,跖I有1个位于顶点,1个位于面心,个数为:1乂5+1*1=3跖1、6(2、4的原子个数比为自:

o2oo

与:4=5:27:32,3错误;

O

C.由碑化镇晶胞结构可知,c位于侧面的面心,沿体对角线a-b方向投影图如丙,则力S的位置为7、9、

11、13,。正确;

D.由晶胞结构可知,距离最近的两个绿原子之间的距离为面对角线的一半,晶胞中含4个Ga和4个As,

晶胞质量为丝与,晶胞体积为-^-cm3,则晶胞边长为:,律萼x1010pm,两个绿原子之间的最近距离为

NApNAVpNA-

夺xJM义1上加他正确;

故选:Bo

[题目|13](2024.广西.统考模拟预测)某镁保合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图1(为便于观察,省略了2个

图2的结构),晶胞边长为磔小。下列说法正确的是

图1图2

A.晶体的化学式为皈2MHeB.晶胞中与1个场配位的M有6个

C.晶胞中2个M之间的最近距离为磔馆D.镁保合金中竭、M通过离子键结合

【答案】A

【详解】A.Ni位于顶点和面心,根据均摊法,Ni的个数为8xJ+6x《=4,每个M原子周围有6个

o2

因此H有24个,昭都在体内,因此他有8个,晶体的化学式为他2MHi,A正确;

B.由图像可知,A%周围距离最近且相等的M有4个,因此晶胞中与1个幅配位的M有4个,B错误;

C.由图像可知,晶胞中最近的2个N位于面的中心和顶点上,距离为面对角线的一半,即乎apm,。错

、口

7天;

D.Mg、Ni均为金属,合金中Mg、Ni通过金属键结合,D错误;

故选A。

题目红(2023・辽宁鞍山・统考一模)氮化硼(BN)晶体有多种结构。六方相氨化硼是通常存在的稳定相,与

石墨相似,具有层状结构,可作高温润滑剂;立方相氮化硼是超硬材料,有优异的耐磨性。它们的晶体结构

如图所示,关于这两种晶体的说法正确的是

A.两种晶体中B原子的杂化方式均为s/

B.两种晶体中B—N键键长相等

C.六方相氮化硼层间共价键键能较小,所以可做高温润滑剂

D.每个立方氮化硼晶胞中含有4个B原子和4个N原子

【答案】。

【详解】A.立方氮化硼中硼原子形成4个共价键,所以立方氮化硼中硼原子采用的是s/杂化,选项A错

、口

沃;

B.六方相氨化硼具有层状结构,立方相氮化硼形成正四面体结构,两种晶体中B-N键键长不相等,选项

B错误;

C.六方相氮化硼层间作用力为范德华力,相对较小,所以可做高温润滑剂,选项。错误;

D.根据立方氨化硼的晶胞示意图,每个晶胞中B原子个数是8x3+6x]=4,N原子个数为4,选项。

正确;

答案选。。

题目叵(2024•江西・统考模拟预测)朱砂(硫化汞)在众多先秦考古遗址中均有发现,其立方晶系万型晶胞如

下图所示,晶胞参数为a/wn,A原子的分数坐标为(0,0,0),阿伏加德罗常数的值为外,下列说法正确的是

沿z轴投影

A.S的配位数是6B.晶胞中B原子分数坐标为信,!,等)

C.该晶体的密度是0=9.3;xl0?93口.相邻两个两的最短距离为喜血山

a-NA2

【答案】。

【详解由晶胞图知,S的配位数是4,4错误;

B.由A原子的分数坐标为(0,0,0),结合投影图知,晶胞中B原子分数坐标为([,!,今),3错误;

C.由晶胞图可知,S有4x1=4个,Hg有6x《+8x]=4,故该晶体的密度是p=——----———

28(ax10-9)X

29

9.32xlO3,0正确;

3

a-NA

D.相邻两个两的最短距离面对角线的一半,为孚错误;

故选。。

题目恒(2023•辽宁沈阳•校考模拟预测)化学式为脑(印)/2n(般)广。6区的笼形包合物四方晶胞结构

如图所示(H原子未画出),晶胞中N原子均参与形成配位键,每个苯环只有一半属于该晶胞。晶胞参数为

Q=bWc,a=6=7=90°则下列叙述正确的是

ONi2+

OZn2+

A.Z外在元素周期表d区B.设晶体中加原于的杂化方式为印3

C.c:?/:z=1:1:1D.NX?+与浙2+的配位数之比为2:3

【答案】。

【详解】A.Z九在元素周期表中位置为第4周期第〃B族,即位于曲区,A错误;

B.晶胞中锲离子配位数为4,即晶体中M原于的杂化方式为ds/,B错误;

C.由晶胞示意图可知,一个晶胞中含有班2+个数为2乂[=1,2%2+个数为8义±=1,含有皿一为8x

y=4,7VH3个数为8x十=2,苯环个数为4xg=2,则该晶胞的化学式为N认CN)『Zn(W3)2-2C6H6,则

x:y:z—4:2:2=2:1:1,。错■误;

D.晶胞中每个N原子均参与形成配位键,岫2+周围形成的配位键数目为4,Zn计周围形成的配位键数目

为6,则Ni2+与Zn2+的配位数之比为4:6=2:3,D正确;

故选。。

瓦1立(2023•安徽黄山・统考一模)硒化锌(ZnSe)是一种重要的半导体材料,其晶胞结构如图1所示,图2

为该晶胞沿z轴方向在①g平面的投影,已知晶胞边长为磔机,阿伏加德罗常数的值为M,A点原子的坐标

为(0,0,0),下列说法错误的是

A.Zn位于元素周期表的ds区B.基态Se原子有18种不同空间运动状态的电子

C.B点原子的坐

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