2024车规级存储控制芯片

车规级存储控制芯片II目 次1范引文件 1语定义 1本求 1术求 3验法 3验则 4志包、输存 511车规级存储控制芯片范围本文件适用于存储控制芯片的生产制造及检验。（GB/T191 GB/T2423.1—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温GB/T2423.2—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温GB/T2423.3环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验GB/T2423.4电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db：交变湿热（12h＋12h循环）GB/T2423.10环境试验第2部分：试验方法试验Fc:振动（正弦）GB/T2423.56环境试验第2部分：试验方法试验Fh：宽带随机振动和导则GB/T4857.5包装运输包装件跌落试验方法GB/T9254.1信息技术设备、多媒体设备和接收机电磁兼容第1部分：发射要求GB/T17626.2—2018 AEC-Q100 JESD22-A103 JESD22-A104温度循环JESD22-A108 JESD22-A110 JESD22-A113 JESD22-A118 JESD22-B100物理尺寸本文件没有需要界定的术语和定义。车规级级别AEC-Q100-Rev-H(Grade2——早期寿命失效率ELFR；——非易失存储器耐久性，数据保持性和工作寿命EDR；——邦线剪切WBS；——焊球剪切SBS；——应力试验前后电测试TEST；——静电放电人体模型HBM；——静电放电充电器件模型CDM；22——闩锁效应LU。JESD22-A113JESD22-A110JESD22-A118JESD22-A104JESD22-A103JESD22-A108JESD22-B100SATA接口SATA3.2SATA2.0SATA1.06Gb/sSATANCQ32SATATRIM。S.M.A.R.T。2848LBANAND闪存支持ONFI3.xToggle2.01x/1y/1znm3DMLC/TLCNAND1.8V/3.3VFlash1O4K、8K16K416CE。数据可靠性2KLDPC。DSP。40/KBBCHCRCRAID硬件32RISC64JTAG,UART(RS-232),SPIeFuse334.6.1 (ISP)。包裹144ballTFBGA。RoHS外观结构存储芯片应能顺利连接具备相应接口卡槽的设备，接口衔接顺畅并且无卡住现象。出现非法断电或误操作断开连接的情况下，不会对存储芯片内已有的数据造成破坏。容量可用容量应达到标称容量的90%以上。2.35V～3.6V3μA38mA。应符合GB/T17626.2—2018等级3的要求。应符合GB/T9254.1的要求。产品在以下环境条件下应能正常工作，试验后产品外观结构应无明显变化：85-404093除气候环境适应性试验外，其他试验在下述标准大气压条件下进行，并应符合以下要求：a) 温度：15℃～3530RH～75RH；86kPa～106kPa。44用目测法和检测工具进行外观和结构检查。通过检测工具以及目测法进行试验。按照GB/T17626.2规定的试验方法进行。按GB/T9254.1规定的试验方法进行。按GB/T2423.1—2008Ae16h2h4093396h，按GB/T2423.3规定的方法进行。工作状态下，在温度55℃，按GB/T2423.4规定的方法进行交变湿热，循环数为2个循环。按GB/T2423.2—2008Be16h2h按GB/T2423.10、GB/T2423.56规定的方法进行。按GB/T4857.5规定的方法进行。受试样品须进行初始检验。试验后检查存储芯片的损坏情况，并对受试样品进行外观和结构的检查及写入速度和存储容量测试。将存储芯片在适用设备上进行擦写检测100000次，试验后，检查产品结构是否损坏、产品能否正常读写。检验分类产品检验分为出厂检验和型式检验。组批以同一工艺、同一原辅材料生产的同一规格产品为一组批。出厂检验552626GB/T2828.1II6.51表1 抽样案批量范围样本大小接收数（Ac）拒收数（Re）26～5081251～90132391～1502034151～2803256281～5005078501～1200801011型式检验12标志GB/T191包装运输产品在运输