非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 编制说明

1非本征半导体硅主要用来制作高纯半导体、耐高温材料、光导纤维通信材料、有机硅化合物、合金等，被广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、能源、化工、纺织、食品、轻工、医疗、农业等行业。单晶硅是重要的半导体材料，可制成二极管、三极管、将辐射能转变为电能。锗单晶是一种用途广泛的半导体材料，主要应用于电子工业中，例如制作锗晶体管，它具有快速的开关速度和线性增益，可用于高频电路、射频电路、测量电路、放大器等领域。此外，锗单晶还可以制成高电导的锗电阻器、锗稳压器等电子元器件。锗单晶的高红外透明度和独特的物理性质，使它在光电子学中具有重要的应用价值。例如，锗单晶可以制成高速光探测器、光伏器件、光电二极管、红外探测器等。同时，锗单晶还可以被用于制作半导体激光器，用于通信和材料加工等领域。锗单晶具有良好的红外透过性，可以用于制作红外滤光片等光学元件。同时，锗单晶的红外辐射特性也被用于红外成像、红外测温、生物医学检测、安防监控等领域。砷化镓(GaAs)在电子和光电子领域展现出独特的性能优势。GaAs工艺的独特性在于其高电子迁移率、直接带隙结构以及着半导体产业的蓬勃发展，越来越多的半导体材料被人们发现，并取得了广泛应用。如磷禁带宽度宽等诸多优点，可用于制备生产射频器件、光模块、LED、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件，被广泛应用在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域。国内磷化铟单晶的制备技术发展迅猛，已经实有相对小的禁带宽度、相对高的原子序数、易获得较大尺寸等特性，高纯锗探测器具有优高纯锗探测器在粒子物理、天体物理、核物理，以及核电安全，辐射环境监测等领域有着2极为广泛的应用。受制于当前国内尚无成熟的国所需高纯锗单晶及探测器全部源自于海外进口，美国公司奥泰克（Ortec）及堪培拉（Camberra）为当前全球市场主要的高纯锗探测器生产商及供应商。高纯锗单晶研制技术被国外垄断，高纯锗单晶急需实现进口替代。近几年，为打破国外技术封锁，国内高纯单晶的制备技术发展迅猛，相继取得重要突破，即将实现量产。同样面临国内没有相关产品标准和测试标准的问题。锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓等先进半导体材料也存在无标委发[2023]64号）的要求，由有研国晶辉新材料有限公司牵头修订国家标准《非本征半导主编单位研国晶辉新材料有限公司是中央企业有研科技集团（原北京有色金属研究总院）下属单位，是我国锗材料的技术发源地，是“集成电路关键材料国家工程研究中心”第一根大直径红外锗单晶、第一根水平GaAs单晶，以及液封直拉GaP单晶、第一条光纤级条锗单晶生产线，六十多年来研制成功多种用途的锗单晶，满足了军工部门的使用要求。净杂质浓度|NA-ND|=3～4×1010cm-3的高纯局相关项目，公司成功研制了第一代N型低位错锗、第二代、第三代P型低位错锗单晶，立项之后，公司成立了标准修订起草小组，小组成员都有较丰富的生产经验，对国内外本行业的发展有比较清晰的认识，并与相关单位中国电子科技集团公司第十三研究所、3中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所等进行了充分的沟通和交流，起草人员通过对资料的收集等工作，编制了标准讨论稿，首先在本公司内部进行了意见征集，修改后由公司质量管理部门向相关单位在湖北省武汉市召开国家标准《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》讨论会，会上，与会专家对标准文本进行了逐字逐句的审核，并提出修改意见。会后，编制组1)本标准按GB/T1.1-2020《及相关检测机构目前对半导体单晶材料的检测情况及要求，1)在标准1范围中增加了磷化铟、锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓、高纯锗单晶材料，也适用于电阻率小于108Ω·cm2)增加6试剂或材料章节；3)在标准8样品中增加了锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓、高纯锗材料样品的制检验、贸易的依据，经过本次修订，标准内容更加贴合实际，反应客户真实需求和产品现4的修订和补充，仅修订了产品的技术要求和标准格式，与现行的法律、法规及