模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 1.1 半导体基础知识_第1页
模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 1.1 半导体基础知识_第2页
模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 1.1 半导体基础知识_第3页
模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 1.1 半导体基础知识_第4页
模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 1.1 半导体基础知识_第5页
已阅读5页，还剩10页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

半导体基础知识根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间半导体材料有：硅Si、锗Ge、硒Se、砷化镓GaAs等。半导体具有以下特性：（1）热敏特性：温度升高，大多数半导体的电阻率下降。（2）光敏特性：许多半导体受到光照辐射，电阻率下降。（3）掺杂特性：当在纯净的半导体中掺入微量的其它杂质元素（如磷、硼等）时，其导电能力会增加几十万甚至几百万倍。半导体及其特性单晶体的晶格结构是完全对称，原子排列得非常整齐，故常称为晶体。本征半导体（Insrinsicsemiconductor）：完全纯净、结构完整的半导体晶体本征半导体典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。本征半导体Si硅原子Ge锗原子硅、

锗原子的简化模型半导体的共价键结构特点—在T=0K和无外界激发时，没有载流子，不导电。本征半导体两个价电子的共价键正离子核本征半导体本征激发：在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。载流子：自由运动的带电粒子电子空穴成对出现，数量少，当温度越高、光照越强时，载流子数越多。光敏性、热敏性自由电子空穴＋自由电子(带负电)空穴(带正电)载流子N型半导体—本征半导体中掺入微量五价元素，如磷、砷（杂质）所构成。P型半导体—本征半导体中掺入微量三价元素，如棚、铟（杂质）所构成。本征半导体正离子多数载流子少数载流子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数

电子数负离子多数载流子少数载流子空穴—

多子电子—

少子载流子数

空穴数电中性载流子的运动：扩散运动——浓度差产生的载流子移动

P型半导体N型半导体PN结的形成多子：空穴多子：自由电子少子：自由电子少子：空穴载流子的运动：扩散运动——浓度差产生的载流子移动PN结的形成内电场载流子的运动：扩散运动——浓度差产生的载流子移动（多子）漂移运动——在电场作用下，载流子的移动（少子）PN结的形成内电场载流子的运动：扩散运动——浓度差产生的载流子移动（多子）漂移运动——在电场作用下，载流子的移动（少子）

PN结：是指P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。PN结的形成内电场PN结正向偏置—外加正向电压（P+、N–）或VP>VN外电场使多子向PN结移动，中和部分离子使空间电荷区变窄。扩散运动加强形成正向电流IF

=I多子

I少子

I多子(正向导通)PN结的单向导电性P区N区内电场+

UR外电场IF限流电阻PN结反向偏置—外加反向电压（P–、N+）或VP<VN外电场使多子背离PN结移动，空间电荷区变宽。漂移运动加强形成反向电流IR

=I少子

0(反向截止)PN结的单向导电性P区N区内电场

+UR外电场IRPN结的单向导电性：

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论